二维光子晶体微加工方法的研究与进展

光子晶体这类新型材料的出现使人们操纵和控制光子的梦想成为可能, 全光集成也将会因光子晶体的应用有突破性进展. 光子晶体集成能否实现将以光子晶体器件为基础, 因此首先要研究并实现将在光子集成上有很大应用前景的半导体材料的各种有源和无源光子晶体器件. 二维光子晶体研制的最实用和最重要手段是微加工方法. 总结了近红外波段的二维光子晶体微加工方法, 包括电子束曝光、模板选用和干法刻蚀等, 并进行了评述和展望, 介绍了自己的工艺方法.     

高精度高压稳压电源的研制

本文介绍了ＳＤＳ－２型电子束曝光机研制的３０ｋＶ高精度高压稳压电源。该电源采用双闭环调整，集中补偿与分散补偿相结合对关键采取了有力措施，使各项技术指标均达到高精度要求。     

电子束蒸发沉积制备高度晶体取向的CeO2薄膜

为了得到CeO2为埋层的新型SOI(Silicon On Insulator)材料，采用电子束蒸发沉积及后期退火处理的方法制备得到了高度(111)、(311)晶体取向的CeO2薄膜，为进一步外延制备SOI材料打下了良好的基础。同时，从热力学角度就退火对CeO2薄膜晶体取向的影响机理进行了初步的探讨。由于CeO2(111)、(311)面为密排面和次密排面，在结晶化过程中所需克服的能垒最低和次低，所以，退火后形成了(111)、(311)结构的CeO2薄膜。     

钛酸钠纳米线的电传输特性研究

利用电子束光刻技术制作了基于钛酸钠纳米线的纳米器件。分别在大气和真空两种环境下测量了该器件的电学特性,发现器件所处的气体环境可以影响其电传输特性,这可能是由于纳米线表面的氧分子吸附造成的。另外,还研究了紫外光（UV）照射纳米线对器件电学特性的影响,发现紫外光可以使纳米线产生很大的光电导。研究表明上述纳米器件可用作气体探测器和光电探测器。     

科学发展无顶峰——电子及其“波粒二象性”发现的启示

1897年,英国科学家汤姆逊在与德国科学家们关于阴极射线本性的论战中确认它是一种带负电荷的"粒子"——电子,而不是"波",颠覆了长期以来被公认的"原子不可分割"的理论。但是,30年后他儿子和另一位美国科学家戴维逊却又证明电子是"波"。那么你从这电子"波粒二象性"发现的曲折过程中能获得什么启示?     

TiO2薄膜折射率的调控方法

采用电子束蒸发技术及其辅助工艺制备了TiO2薄膜,利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的组织结构进行了表征,采用紫外可见分光光度计研究了TiO2薄膜的折射率变化.结果表明:传统电子束蒸发镀制的TiO2薄膜的折射率低于块体值,通过调节氧气压、沉积速率和衬底温度可在1.97～2...     

基板温度对电子束沉积LaF3薄膜残余应力的影响

采用电子束沉积的方法,分别在K9玻璃基片上制备了LaF3单层膜.研究了基板温度对LaF3薄膜残余应力的影响;基板温度从200 ℃上升到350℃,间隔为50℃.利用ZYGO干涉仪测量了基板镀膜前后的面型变化,利用Stoney公式计算出残余应力;分析结果表明:在本实验条件下,残余应力为张应力,随基板温度的增加,有增大的趋势.     

电子束蒸发制备碳化硼微球涂层的工艺研究

自行设计一套筛网反弹盘三维沉积装置,用于电子束蒸发制备碳化硼微球涂层. 采用电子束蒸发法并结合此装置在直径为1 mm的玻璃小球表面沉积了碳化硼涂层. 研究了筛网振动频率、电子束制备工艺对沉积速率、涂层厚度以及涂层表面粗糙度的影响. 采用X射线照相技术测试涂层的厚度;XPS测试涂层表面成分;AFM表征涂层的表面形貌和均方根粗糙度. 结果表明：涂层主要成分为B4C,表面较为光滑、均匀;当筛网振动频率为0.25 Hz,且电子束蒸发工艺参数定为：真空度P小于3×10-3 Pa,高压U 等于6 kV,束流I 在 1     

磁控溅射制备的含He纳米晶铜膜的微结构分析

采用直流磁控溅射法,在不同的He/Ar混合气氛下,制备了不同He含量的铜膜.利用弹性反冲探测（ERD）方法探测了铜膜中氦的含量和深度分布,实验发现引入铜膜中的氦深度分布较均匀;并本文采用X射线衍射（XRD）分析了铜膜中氦的微结构,实验结果表明随着铜膜中氦含量的逐渐增加,对应Cu（111）晶面的峰强也有所增强;最后应用了慢正电子束分析（SPBA）技术测量了不同含氦铜膜的缺陷结构,随着铜膜中氦的增加,S参数会发生相应的变化.     

电子束表面分析的一点注记

人们通常应用10～10~2×keV的电子束来分析表面元素成份,并分为定性分析和定量分析。定性分析是要确定表面的元素组成;定量分析是要确定构成表面元素的浓度和相对比例.近年来,质子荧光分析(PLXE)技术有一个重要的进展,那就是应用改变能量或改变入射角的方法,由一组被测元素的特微X射线计数来测定该元素在表面深度的分布信息。该方法的基本原理是,如果N(E)代表x射线探测器的计数,c(x)为待测痕量元素的浓度分布,则N(E)和C(x)之间有一个积分关系: