激光相变热处理对TC４电子束焊缝残余应力的影响

利用CO２激光相变热处理技术对TC４钛合金电子束焊缝进行了处理,研究了激光功率、光斑直径、 辅助气体等激光工艺参数对电子束焊缝残余应力分布的影响。实验结果表明,激光相变热处理改善了焊缝残余 应力的分布,使焊缝表面残余应力由拉应力转变为压应力,其压应力值随着激光功率的增加而增大,随着激光 光斑直径的减小而增加;辅助气体为O２时残余压应力值比辅助气体为N２大３０～４０MPa,激光相变热处理显著 提高了TC４钛合金电子束焊缝的残余压应力及其使用寿命。     

电子束蒸发Al2O3/SiO2复合薄膜电学性能的研究

利用离子辅助电子束蒸发技术,在玻璃基底上以交替沉积的方式制备了A12O3/SiO2叠层复合薄膜,单层介质膜膜厚分别选取54和16 nm,总厚度为560 nm.采用步进法测试得到金属电极/复合绝缘膜/金属电极(MIM)结构的I-V特性曲线,具体成分为CrCuCr/(Al2O3/SiO2)8/CrCuCr,相应的厚度为80...     

电子束辐照交联热塑性聚酯弹性体（TPEE）的研究

研究了电子束辐照对热塑性聚酯弹性体（TPEE）性能的影响。对辐照前后的样品进行凝胶含量测试和力学性能测试,测试结果表明,电子束辐照能够使热塑性聚酯弹性体（TPEE）交联,交联度随辐照剂量的增加而增大,并且能够改善其在常温下的力学性能。电子束辐照剂量在100～200kGy的范围内,交联度大于50%,拉伸强度提高较为明显。     

单晶样品材料的生长与纳米量级光刻工艺探索

基于电子束直写技术在纳米尺度刻蚀的标准过程,探索适用于单晶样品的刻蚀工艺,在微米尺度上建立一套方案,给出各步骤条件参量,以期进一步应用到单晶样品的纳米尺度光刻。     

显微镜下的植物花粉

利用高倍扫描电子显徽镜捕捉到的这些镜头，展示了各种微小花粉颗粒的原形。瑞士分子生物学家、摄影家马丁·欧格利使用真空容器，通过电子束扫描花粉颗粒的表面，完美地呈现了它们小巧精致的特征。     

用电子束生电流像观测PN结的形貌

本文介绍了利用SEM的EBIC像和SE像观测PN结的全部形貌的理论和方法,对PN结的结深、结宽做了精确的测量,给出了EBIC像和SE像的叠加像。     

2.5MeV质子静电加速器加速电子束的改制

描述了2.5MeV质子静电加速器改出电子束的一种改进方法.其聚焦系统由电子枪、浸没式短磁透镜和加速管组成;加速电子束用稳定加速器高压的装置被安装,高压稳定度为±1％;扫描窗宽度为400或600mm.电子束能量2.0—2.1MeV,电子束流强150μA.运行时间已超过3000小时.     

电子束曝光机工件台结构的设计研究

根据激光定位光栅扫描电子束曝光机工件台具有的特点，设计了ｘ向用静压气浮导轨结构，实现快速扫描；ｙ向采用机械滚珠导轨，满足间歇步进运动，即走一步、停一段时间再走一步、为保证在高速运动下的稳定性，将机械驱动系统、激光测量和计算机组成一个闭环控制系统，利用计算机不断采样叠代，选择合适的校正系数适时校正，实现了快速运动精确达到预定位置。采用双频激光高精度测量定位，从误差分析出发，对结构进行了改善，保证了最终精度。     

带电粒子在电子束法脱硝中的行为及作用

模拟研究了电子束法脱硝中带电粒子的特性，结果表明带电粒子反应速度非常快，其浓度达到平衡所需时间很短；非常电粒子可与其分开处理，带电粒子反应是自由基的重要来源。     

GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用

GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末国际上出现的一种新型极化电子源。它采用GaAs半导体晶片作为光阴极，并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上，以获得负电子亲和势（Negative lectron Affinity）表面，然后通过用波长合适的圆偏振激光阴极，来获得自旋极化的电子束，详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程，并介绍了极化电子在极化（e.2e)反应中的应用。