全文获取类型
收费全文 | 11080篇 |
免费 | 127篇 |
国内免费 | 436篇 |
专业分类
系统科学 | 132篇 |
丛书文集 | 487篇 |
教育与普及 | 465篇 |
理论与方法论 | 111篇 |
现状及发展 | 89篇 |
研究方法 | 3篇 |
综合类 | 10356篇 |
出版年
2024年 | 25篇 |
2023年 | 101篇 |
2022年 | 110篇 |
2021年 | 150篇 |
2020年 | 84篇 |
2019年 | 109篇 |
2018年 | 46篇 |
2017年 | 78篇 |
2016年 | 132篇 |
2015年 | 252篇 |
2014年 | 645篇 |
2013年 | 585篇 |
2012年 | 601篇 |
2011年 | 796篇 |
2010年 | 726篇 |
2009年 | 797篇 |
2008年 | 885篇 |
2007年 | 791篇 |
2006年 | 564篇 |
2005年 | 547篇 |
2004年 | 444篇 |
2003年 | 430篇 |
2002年 | 369篇 |
2001年 | 358篇 |
2000年 | 279篇 |
1999年 | 238篇 |
1998年 | 186篇 |
1997年 | 188篇 |
1996年 | 170篇 |
1995年 | 155篇 |
1994年 | 162篇 |
1993年 | 126篇 |
1992年 | 107篇 |
1991年 | 104篇 |
1990年 | 132篇 |
1989年 | 82篇 |
1988年 | 46篇 |
1987年 | 23篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 6篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 2篇 |
1957年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
211.
磁层顶是由经过舷激波的太阳风和地磁层相互作用而形成的边界层,其上有电流流动.本文将这种电流看成电子剪切流,来讨论夜侧磁层顶的电子剪切流所引起的Kelvin-Helmholtz(K-H)不稳定性问题.电子剪切流受到的洛仑兹力中包括了电场的作用,正是这种作用使得剪切不稳定性要复杂一些.本文对电子剪切流激发的K-H不稳定性进行了细致的分析,从而得知,电子流剪切引起的K-H不稳定性倾向于在磁层顶内侧激发,并且只有当剪切速率在上下两阈值之间时,才可能激发K-H不稳定性.本文对比了夜侧近地磁层顶和磁尾磁层顶,发现当磁层顶两侧电子数密度之比恒定时,高电子数密度的磁层顶侧易产生K-H不稳定性.而磁鞘侧电子数密度n2与磁层侧电子数密度n1之比n2/n1的改变对不稳定性的影响也很显著:较大的n2/n1产生的K-H波主要是在低速区域,其有效增长率较小. 相似文献
212.
随着经济全球化的深入发展和国际能源原材料价格的不断攀升,世界各国对发展资源型产业战略意义的认识日益提高。我国镁的储量、原镁产量、原镁出口量均居世界首位,是继稀土和钨之后具有三个世界第一的重要资源。镁合金产品因具备体轻节能、易再生利用、性能优良等特点,在航天航空、交通运输、电子通讯等领域被广泛使用,被誉为本世纪"最具开发和应用潜力的绿色工程材料"。镁合金产业已成为关系到我国工业发展和装备制造业振兴的重要基础产业。 相似文献
213.
内部输运壁垒 ITB(internal transport barrier)的发现是近几年托卡马克实验研究的一项重要进展 ,ITB中微观不稳定性的研究对理解 ITB的作用至关重要。应用平板磁剪切位形和回旋动力学理论 ,通过 Raleigh- Ritz方法数值求解耦合的积分方程组 ,研究了内部输运壁垒区的电磁离子温度梯度 (ITG)模 ,计算中考虑了磁剪切的梯度和非绝热电子响应。结果表明 ,考虑非绝热电子的情况下 ,有限β(等离子体压强 /磁压强 )在极弱磁剪切区对 ITG模的 4个分支有明显的抑制作用 ,而且高阶的 ITG模更易被有限 β所抑制。 相似文献
214.
Al-Mg-Si合金的价电子结构分析 总被引:9,自引:0,他引:9
用经验电子理论(EET)对Al—Mg—Si合金中主要成分(如α—Al、镁、硅,以及强化相(β—Mg2Si)的价电子结构进行计算,计算结果表明各成分晶胞最强键上的共价电子对数与其密度、熔点、硬度、电负性有对应关系;Mg、Si原子上次强键的共价电子分布有利于β相的形成。 相似文献
215.
介绍了Electronics Workbench(EWB)电子仿真软件在电工、电子技术EDA实验教学中的应用,并通过实例阐述了该软件的主要特点. 相似文献
216.
关于过渡元素族价态化合物氧化性变化规律之讨论,尚无统一认识。本文笔者从含氧酸根键的强度和中心离子受电子轨道势能递变情况对过渡元素族价态化合物氧化性及其递变的影响,从不同侧面进行了初步探讨。 相似文献
217.
基于密度泛函理论下的第一性原理,计算了不同B掺杂浓度的SWCNT的几何形状结构、杂质的形成能、能带结构和态密度(DFT),研究了B掺杂对(2,2)单壁碳纳米管(SWCNT)电子结构的影响.B杂质的引入使SWCNT的管径增大,杂质的形成能为负值,表明(2,2)SWCNT进行掺B的过程为放热反应,B原子以替位形式掺入碳纳米管中是可行的.掺杂B后,SWCNT的费米能级向价带迁移,使(2,2)SWCNT转变为n型半导体. 相似文献
218.
新型电子封装材料的研究现状及展望 总被引:10,自引:0,他引:10
综合论述了各类新型电子封装材料的优势及不足之处,同时指出了目前我国新型电子封装材料所存在的问题及进一步完善的措施,并预测了电子封装用金属基复合材料的应用前景。 相似文献
219.
建立含有屏蔽参数σ的铍离子Be~(2+)(z=4)和硼离子B~(3+)(z=5)的哈密顿方程.以有效核电荷数为z*=z-σ的类氢原子基态1s和激发态ns(n=2,3,…)组合的双电子波函数,作为铍离子Be~(2+)和硼离子B~(3+)的基态近似波函数.应用参数微扰法确定铍离子Be~(2+)的屏蔽参数σ=0.56350197和硼离子B~(3+)的屏蔽参数σ=0.525070444,应用参数微扰法计算铍离子Be~(2+)三级近似基态能量和硼离子B~(3+)四级近似基态能量的理论值与实验值的误差为ΔE≈10~(-4)~10~(-5)a.u.. 相似文献
220.
王金光 《曲阜师范大学学报》2009,35(3):116-119
首先分析当前比较流行的数字签名算法,着重介绍MD5与RSA算法,讨论如何对两者的优点加以利用,如何通过互补避免两者的缺点所带来的一系列问题,以及如何在利用两者的同时加入一些控制因素,加强数据在网上办公系统传输中的安全性.接着讨论数字签名在电子公文中的实现与应用,利用发送方与接受方之间比较严密的应答协议,克服了单纯利用数字签名带来的弊端,介绍了如何利用两者的优势互补再配合科学的封装机制,利用传送协议实现包含数字签名的公文在网上安全传输,并且提供了一种有效的认证机制,接着介绍电子公章在公文流转中的软件方案.通过对BMP图像数据位的读写分析,结合公文流转的特点以及MD5加密算法,实现用户对电子公文的加盖公章操作.对网上办公系统进行研究分析,创建了一套安全的网上公文流转方案,结合公文审批、申请等网上办公的方法,利用前面讨论的安全机制,完成了基于数据加密技术的网上办公系统.最后对这套网上办公系统的源文件的注册加密技术展开讨论,从而实现对文件的底层保护,避免程序文件被破解而产生的整个办公系统的安全问题. 相似文献