一类风险模型的破产概率的渐近性分析

本文运用中心极限定理分析一类风险模型的破产概率的影响因素,分析破产概率随初始资本、安全负载和索赔的方差变化情况。最后,运用概率不等式给出指数破产概率的一个渐近行为,从而得到破产概率按指数衰减到零。     

电源通过GJB151A-97标准测试实例

<正>0引言目前大多数电子产品都选用开关电源供电,以节省能源和提高工作效率,按照电源的规范要求制造的电源是不应该有干扰的。但由于设计时对EMC问题没有严格的规范要求或执行不力,设计人员也就没有对电源的EMC问题做深入细致的研究,导致开关电源是目前电子产品中最主要的电磁干扰源之一,这也是国内目前的现状。当一个系统出现干扰问题时,人们首先是找电源的问题,以至有"电源时干扰之源"之说。电源干扰的原因有多种,一是干扰原因较多,二是干扰能量较大,三是干扰频带较宽。理想的电源应该是从电路设计开始就进行EMC设计。     

任意介质中MAXWELL方程组的解

利用电荷密度ρ，电流密度Ｊ，极化强度Ｐ和磁化强度Ｍ推导出任意介质中Ｍａｘｗｅｌｌ方程组的解。这组解将电场强度Ｅ，电位移矢量Ｄ，磁感应强度Ｂ和磁场强度Ｈ发别表示为对推迟的电荷密度，推迟的电流密度，推迟的极化强度和推迟的磁化强度及其对空间和时间的导数的积分。     

基于方波脉冲激励的电导率测量方法

采用方波脉冲信号作为激励获取导电介质的电阻抗信息时,方波信号频谱中高次谐波的幅值衰减一直是难以克服的问题。对一阶阻容型传感系统添加电感或电容元件构成二阶谐振单元,在激励信号的上、下沿处会出现自由衰减振荡信号,可使激励信号频谱在谐振单元的谐振频率附近得到增强。通过测量方波下降沿处自由衰减振荡信号第一个波峰的峰值电压,即可得到谐振单元中等效电阻的测量值。实验结果表明:这种检测方式只需要数字电路产生固定频率的方波激励信号,即可实现30kHz~1MHz范围内的电阻测量,可用于电解质溶液、水、人体皮肤等介质电导率的有线及无线测量。     

似稳圆电流产生的感生电场

在圆电流磁场分布的基础上，给出似稳圆电流产生的感生电场、感生电动势及两共轴圆线圈的互感系数的计算公式，并通过例题计算两共轴圆线圈的互感系数。     

外加电场下谐振子量子线的电子拉曼散射

文章研究了外加电场下谐振子量子线的电子拉曼散射.利用有效质量近似,以GaAs材料为例,计算了微分散射截面,结果表明,谐振子频率和外加电场的强度对拉曼光谱均有影响.拉曼光谱的峰值随着外加电场强度的增大而增大;在恒定的外加电场下,与电场方向相同的谐振子频率只影响峰值的大小,而与电场方向垂直方向的谐振子频率还对峰值的位置有影...     

外电场作用下M_gF_2电子结构特性研究

利用密度泛函B3P86方法在cc-pVTZ基组水平上研究了不同外电场对MgF2分子基态键长、键角、偶极矩、电荷分布、能级分布的影响.结果表明随外电场强度增大,最高占据轨道与最低空轨道能隙变小,占据轨道的电子易于激发至空轨道,因而为研究MgF2材料的电致发光机制提供了一定的理论基础.     

斜入射电磁波在大气等离子体层中的衰减

基于WKB近似方法,研究了任意角度入射的电磁波在覆盖金属表面的大气等离子体层中的衰减.讨论了适合等离子体隐身的等离子体密度模型,数值计算了电磁波在大气等离子体层中的衰减与大气等离子体层中的负离子、入射角度以及电子碰撞频率之间的关系,并给出了相关参数的电磁波衰减.     

组分渐变过渡层对氮化镓基发光二极管性能的影响

针对半导体发光二极管(LED)中普遍存在的效率衰减效应严重影响大注入电流条件下LED发光性能的问题,在传统InGaN/GaN多量子阱LED基础上,设计了组分渐变过渡层结构,引入到量子垒和电子阻挡层界面。模拟计算结果表明:当引入过渡层后,量子垒和电子阻挡层界面处的电子势阱深度和空穴势垒高度减小,有益于有源区载流子浓度的提高,有效提升了量子阱内辐射复合速率,使发光效率衰减现象得到显著改善.研究结果对大功率发光二极管的结构设计和器件研发具有启发作用.     

叶片共振频率的测试原理与方法研究

通过力学分析和实验证实：叶片在受敲击等瞬态激励某段时间之后，其小阻尼自由振动发出的声音主要是一阶振动固有频率所确定的基音，而其它高阶振动固有频率所确定的泛音极弱，且叶片的一阶共振频率与一阶振动固有频率极为接近。因此，对一阶共振频率的测量就可以通过自由衰减曲线法转化为对基音频率的测量，即用敲击使叶片产生能够测量的自由衰减的声音信号，将记录下的时间历程与时标比较，便可算出该叶片的共振频率。