全文获取类型
收费全文 | 7079篇 |
免费 | 274篇 |
国内免费 | 278篇 |
专业分类
系统科学 | 10篇 |
丛书文集 | 309篇 |
教育与普及 | 395篇 |
理论与方法论 | 37篇 |
现状及发展 | 40篇 |
研究方法 | 1篇 |
综合类 | 6839篇 |
出版年
2024年 | 47篇 |
2023年 | 169篇 |
2022年 | 143篇 |
2021年 | 188篇 |
2020年 | 132篇 |
2019年 | 124篇 |
2018年 | 96篇 |
2017年 | 112篇 |
2016年 | 112篇 |
2015年 | 164篇 |
2014年 | 290篇 |
2013年 | 296篇 |
2012年 | 305篇 |
2011年 | 347篇 |
2010年 | 292篇 |
2009年 | 341篇 |
2008年 | 324篇 |
2007年 | 314篇 |
2006年 | 290篇 |
2005年 | 296篇 |
2004年 | 272篇 |
2003年 | 315篇 |
2002年 | 267篇 |
2001年 | 312篇 |
2000年 | 248篇 |
1999年 | 230篇 |
1998年 | 219篇 |
1997年 | 192篇 |
1996年 | 189篇 |
1995年 | 191篇 |
1994年 | 186篇 |
1993年 | 114篇 |
1992年 | 107篇 |
1991年 | 121篇 |
1990年 | 79篇 |
1989年 | 92篇 |
1988年 | 45篇 |
1987年 | 38篇 |
1986年 | 18篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 5篇 |
1962年 | 1篇 |
1957年 | 2篇 |
排序方式: 共有7631条查询结果,搜索用时 15 毫秒
281.
282.
283.
285.
SOI( Silicon-on-insulator)被国际上公认为是“21世纪的硅集成电路技术”。SOI是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的、有独特优势的、能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术。 SOI的重大突破 1998年8月,美国IBM公司宣布在世界上首次利用SOI技术成功地研制出了高速、低功耗、高可靠的微电子主流产品──微处理器等高性能芯片。紧接着,science杂志以及我国中央电视台新闻联播“中国科学报”等都相继作了报道。IBM的这一成果之所以引起如此大的轰动,是因为其不仅在世界上… 相似文献
286.
电源功率对SiO_x薄膜包装材料阻隔性影响的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了电源功率对磁控溅射制备的SiOx薄膜阻隔性的影响,获得了电源功率与薄膜阻隔性的变化曲线.实验结果表明,电源功率与SiOx薄膜的阻隔性成非线性关系,在电源功率为1 600 W时SiOx薄膜阻隔性最好,透氧率为0.01 cm3/(m2·kPa·24h),透湿率为0.003 g/(m2·kPa·24h).通过对3组不同电源功率下SiOx薄膜的红外光谱进行检测分析,得到薄膜的阻隔性与SiOx分子结构有关,x(1≤x≤2)越大阻隔性越好,x=2时,SiOx分子结构形成的薄膜阻隔性最好. 相似文献
287.
刘雪莹 《中国新技术新产品精选》2013,(20):6-7
一些芳基苯并恶唑的电化学合成是在苄胺存在的情况下,直接通过电化学氧化3,5-双叔丁基邻苯二酚而合成的,且没有在温和绿色的条件下使用催化剂。结果显示,电致3,5-双叔丁基-1,2-苯醌参与了苄胺衍生物的反应,并通过“电子转移+化学反应(形成亚胺)+化学反应(环化作用)+电子转移”ECCE机制,转变成相应的苯并恶唑衍生物。本研究使用了一种环保的新方法,在水溶液中得到一些高产量的苯并恶唑衍生物,且在碳极没有使用有毒的试剂和溶剂。 相似文献
288.
焦尤杰 《焦作师范高等专科学校学报》2013,29(2):24-27
《议释教》斥佛,是白居易儒家门户之见的表现。明经家庭出身、科举考试的读书目的、进士试和吏部试及第的经历以及中唐复兴儒学运动是白居易斥佛观点形成的主要原因。此外,斥佛也与白居易对佛教不甚了解、有高涨的政治热情、对佛教的认识片面关系密切;自我定位和人生目标也关系到白居易对待佛教的态度。 相似文献
289.
文章提出了一种用计算机程序设计语言C++来快速设计实用的信息管理系统的优化方案。本方案技术性很强,简单实用可行。 相似文献
290.
研究了添加不同含量Ag@SiO2 纳米材料的环氧树脂涂层在大肠杆菌溶液中浸泡前和浸泡110h后的电化学阻抗谱特征,分别提出了其等效电路模型,并比较了浸泡前和浸泡850h后的涂层形貌变化。结果表明,浸泡后未添加Ag@SiO2 的涂层的阻抗降低了96%,添加0.3%的Ag@SiO2 涂层的阻抗也下降了73%,且两者都出现了明显的锈斑;而添加0.1%的Ag@SiO2 涂层的阻抗和形貌在浸泡前后基本保持不变。可见,添加适量的Ag@SiO2 可以显著提高涂层的耐微生物腐蚀性能。 相似文献