浅谈低压电网中零线电位升高的原因及改善措施

本文主要探讨了低压电网中零线电位升高的原因及改善措施，升高原因有：电压在零线阻抗上引起的电压降，零线断线及零线接地不良，改善措施有：零线应妥善接地，设备外壳接零也必需接地，三相负葆尽量平衡，零线截面不能太小等。     

通电光栅对光的衍射

报道了一种栅格上有电流通过的新型光栅（电光栅）．入射到该光栅上的光，经光栅透射和反射后形成的衍射条纹，会发生收缩或扩展；光的偏振面发生旋转可产生法拉第效应．该光栅比同光栅常数的光栅具有较高的分辨率，作为一种提高光栅分辨率的新光电元件，可望应用于光电通讯     

铜高碘酸盐配合物电化学研究

用计时电流法对〔Cu(HIO6) 2 〕5-/〔Cu(HIO6) 2 〕6-电对的氧化还原行为进行了研究 ,估算了〔Cu(HIO6) 2 〕6-的扩散系数约为 3.3× 10 -6cm2 /S。     

b→sg衰变与荷电Higgs玻色子企鹅图贡献

在双稀格斯模型理论框架下，计算了荷电Ｈｉｇｇｓ玻色子对Ｂ介子衰变过程ｂ→ｓｇ的企鹅图贡献。计算结果，表明：在所考虑的参数空间内，在考虑了ＱＣＤ重整化群效应以后，荷电Ｈｉｇｇｓ粒子新贡献仍将对衰变分枝比Ｂｒ（ｂ→ｓｇ）给由８倍的增强。     

新疆哈萨克大尾羊盲肠和结肠初袢综合肌电的活动规律

盲肠的电活动特征与结肠初袢的相同，均为以峰电活动为特征的电活动期与静息期交替出现的周期性电活动。盲肠、结肠初袢有长间隔（６３．２７±４．１３ｍｉｎ），短时程（５．１６±０．１３ｍｉｎ）的增强性峰电活动相，盲肠、结肠初袢的峰电具有移行性，常见的移行性峰电有５种类型，均与回肠无关系。     

电沉积制备钯微/纳米结构材料

利用准二维电沉积法, 通过控制不同浓度的PdCl2溶液和沉积电压, 在硅衬底上制备出了钯微/纳米结构材料, 分别用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对沉积物的形貌和结构进行了表征. 结果表明, 随着溶液浓度和沉积电压的不同, 沉积物呈现出准阵列、“树枝”状和膜状三种形貌, 溶液的离子浓度和生长电势对于沉积物形貌具有决定性的影响, 这些钯微/纳结构材料均由钯纳米颗粒构成, 属于面心立方结构.     

Cu（I）（CH3COCHCOOEt）[P（NEt2）3]2配合物的电化学合成及表征

用牺牲金属阳极的电化学方法合成了一种新的价铜配合物Cu(I)(CH3COCHCOOEt)[P(NEt2)3]2，对配合物进行了元素分析、红外光谱、核磁共振测试及表征，并研究了反应的机理。     

同轴传输线的电特性研究

探讨了在介质漏电情况下，同轴传输线中的电流分布，指出电流和电是随空间变化的，当介质的电导率为０时，ω＝０，传输线电流Ｉ为常量，并计算出无限长同轴传输线的电阻Ｒ＝（Ｒ１＋Ｒ２）／ω及有限长同轴传输线的电阻Ｒｔ，Ｒ称为同轴传输线的特征电阻。