Ga2Se3:Co2+光谱及Co-Se键长的研究

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。     

重介子谱的相对论动能修正

使用超弦理论激发的伸缩子--胶子有效耦合得到的重夸克势研究了重介子的能谱，采用统一的方式来求解Salpeter方程和SchrEodinger方程，以便能真实地比较相对论动能修正的效应。发现相对论Salpeter方程更好地说明了实验上观察到的重介子能级。     

Fe-Mn-Si基形状记忆合金中FCC相的电子结构与稳定性

利用基于第一原理的离散变分法研究了Fe-Mn-Si合金的电子结构与FCC相稳定性的关系. Si元素使Fe原子的d带空穴数减少, 而Mn的影响较复杂. 以此为基础, 从电子浓度的角度解释了这两种元素对合金层错能的影响, 并结合对合金结合能的计算结果—— Si降低合金的结合能而Mn的作用相反, 阐述了Mn降低而Si升高马氏体相变温度的物理原因. 在不同方向上施加应力时, 合金的电子结构发生变化, Fermi能级处的总态密度有明显提高. 从Fermi能级附近的能谱变化可看出, 应变使能隙减小, 能级的简并性提高. 在同一方向上施以不同的应变, 中心原子的3d和4s轨道上的电子数减少, 3d局域态密度变窄, 且峰值增加. 对比电子密度的变化, 在应力方向上的成键轨道有减弱的趋势, 而在垂直于应力的方向上出现增强, 导致FCC结构的稳定性降低. 这是外场(应力)作用下合金的马氏体相变温度提高的重要原因.     

类锂离子（Z=11—20）1s^2s—1s^25p的跃迁能和振子强度

利用全实加关联(FCPC)方法计算了类锂离子(Z=11-20)激发态1s^25p的能级及精细结构劈裂，在此基础上计算了1s^2s-1s^25p的跃迁能和振子强度，相对论和质量极化效应对能量的修正用微扰论计算。还估算了来自量子电动力学效应的修正，所得到的理论结果与现有的实验数据符合得很好。     

一类非谐振子的相干态描述

利用相干态和正规乘积对一类微扰项为^↑H^1=λ^↑X^1的非谐振子进行了讨论，得到了^↑H^1矩阵元的精确解和^↑H^1对非谐振了能级的一级修正值，为处理非谐振子的微扰问题提供了一种新的方法。     

原子光电离势形共振的研究

在计算原子光电离截面时，涉及到光电离跃迁过程的初态波函数与末态波函数的选择。在已有的计算结果中，原子光电离的初态和末态波函数均选择为ＨＦＳ自洽场波函数。本文将选择ＨＦ自洽场波函数作为初态，在改进初态波函数的情况下，对原子光电离截面的势形共振进行计算，并把改进前后的相应的计算结果进行了比较     

用TASO—MO模型解释SiF4和XeF4等分子的几何构型

运用ＬＣＡＯ－ＭＯ的简化形式，建立ＴＡＳＯ－ＭＯ模型，根据价电子在ＭＯ中的填充情况，解释ＡＦ４类非金属化合物如ＳｉＦ４和ＸｅＦ４等分子的稳定和几何构型。     

用于可压缩Navier-Stokes方程的多速度级与多能级

构造了用于可压缩Navier Stokes方程的25 bit格子Boltzmann模型, 它具有3个速度级和3个能级. 令其局部平衡态分布函数具有质量、 动量和能量守恒, 同时假设平衡态分布函数满足高阶矩条件, 得到了具有二阶截断误差的可压缩Navier Stokes方程. 数值模拟表明, 所得结果比一阶模型的结果有较高的精度与分辨率.     

用最小二乘法求无限深势阱基态能量和波函数

用最小二乘法求出了粒子在无限深势阱中运动时的基态能量和波函数,并与精确解进行比较,结果表明二者相差很小.     

硅场发射的WKB法和转移矩阵法比较

硅作为场发射阴极成为可能，硅的场发射研究又重新引起人们的重视．该文将半导体表面的能带弯曲视为一势阱，从而建立了表面势阱作用下硅场致发射的基本方程．并分别应用WKB法和转移矩阵法，求出了垂直于界面的量子能级，并计算了场发射电流．最后对两种方法的结果进行了比较，发现转移矩阵法的结果比WKB近似法更加接近于FN理论的结果，该方法可为复杂势场中的量子化效应及电子特性提供一个有效的分析方法．