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11.
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管深能级.结果表明,有B陷阱的GaAS0.55P0.45红色发光二极管亮度比有C陷阱的低;并对B陷阱深能级位置的真实值进行了详细计算. 相似文献
12.
半导体表面的研究是半导体物理中极为活跃的一个分支,因为半导体器件的体积越来越小,靠近半导体表面附近的物理性质越来越重要。笔者系统地对半导体表面态进行了综述。认为当波矢K取复数时局域于表面附近存在表面电子态,其波函数体内、体外都衰减。同时对半导体表面研究的发展历程、现状以及前景进行了展望。 相似文献
13.
基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”.n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒,三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i,是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。 相似文献
14.
在Kerr—Newman黑洞随时间缓慢变化的情况下,用时间变量表示其动态特征,通过解缓变的Kerr—Newman弯曲时空中的粒子运动方程,得出了缓变的Kerr—Newman时空中的粒子能级分布.并对此分布特征进行了研究。 相似文献
15.
Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。 相似文献
16.
利用基于第一原理的离散变分法研究了Fe-Mn-Si合金的电子结构与FCC相稳定性的关系. Si元素使Fe原子的d带空穴数减少, 而Mn的影响较复杂. 以此为基础, 从电子浓度的角度解释了这两种元素对合金层错能的影响, 并结合对合金结合能的计算结果—— Si降低合金的结合能而Mn的作用相反, 阐述了Mn降低而Si升高马氏体相变温度的物理原因. 在不同方向上施加应力时, 合金的电子结构发生变化, Fermi能级处的总态密度有明显提高. 从Fermi能级附近的能谱变化可看出, 应变使能隙减小, 能级的简并性提高. 在同一方向上施以不同的应变, 中心原子的3d和4s轨道上的电子数减少, 3d局域态密度变窄, 且峰值增加. 对比电子密度的变化, 在应力方向上的成键轨道有减弱的趋势, 而在垂直于应力的方向上出现增强, 导致FCC结构的稳定性降低. 这是外场(应力)作用下合金的马氏体相变温度提高的重要原因. 相似文献
17.
蒋学华 《漳州师范学院学报》2003,16(2):35-39
利用相干态和正规乘积对一类微扰项为^↑H^1=λ^↑X^1的非谐振子进行了讨论,得到了^↑H^1矩阵元的精确解和^↑H^1对非谐振了能级的一级修正值,为处理非谐振子的微扰问题提供了一种新的方法。 相似文献
18.
周晓林 《四川师范大学学报(自然科学版)》1997,(3)
在计算原子光电离截面时,涉及到光电离跃迁过程的初态波函数与末态波函数的选择。在已有的计算结果中,原子光电离的初态和末态波函数均选择为HFS自洽场波函数。本文将选择HF自洽场波函数作为初态,在改进初态波函数的情况下,对原子光电离截面的势形共振进行计算,并把改进前后的相应的计算结果进行了比较 相似文献
19.
运用LCAO-MO的简化形式,建立TASO-MO模型,根据价电子在MO中的填充情况,解释AF4类非金属化合物如SiF4和XeF4等分子的稳定和几何构型。 相似文献
20.
用最小二乘法求出了粒子在无限深势阱中运动时的基态能量和波函数,并与精确解进行比较,结果表明二者相差很小. 相似文献