对流作用下枝晶生长行为的数值模拟

应用一个二维的改进元胞自动机(modified cellular automaton, MCA)－传输耦合模型, 对流场作用下枝晶的非对称生长行为进行了模拟研究. 模型采用MCA技术模拟枝晶的生长, 同时采用一个传输模型对流场和由对流和扩散所控制的质量传输进行数值求解. MCA考虑了热过冷、成分过冷和曲率过冷对枝晶生长的作用, 也考虑了枝晶的择优生长方向和凝固过程中的溶质再分配. 在传输模型中, 采用SIMPLE算法求解动量和质量传输的控制方程. 应用该模型模拟研究了Al-3% Cu(质量分数)合金中单枝晶和多枝晶在不同流动方向的流体作用下的生长规律. 模拟结果表明, 金属液对流对枝晶的生长形貌产生重要的影响.     

马尾松蓝变木材中长喙壳属的两个新种

鉴定和描述了马尾松蓝变木材中长喙壳属的两个新种:松生长喙壳(Ophiostoma pinicola G. H.Zhao sp. nov.)和木生长喙壳(Ophiostoma lignicola G. H. Zhao sp. nov.)的形态特征。     

黑枕黄鹂繁殖习性的研究

对黑枕黄鹂的分布和数量、迁徙及活动规律、繁殖习性作了全面系统的报道．黑枕黄鹂分布于海拔800m以下的低山阔叶林中，在海拔300m的次生阔叶林中种群数量较大，为典型的低山带鸟类．春季迁来时间一般在5月中旬，8月中下旬迁出．主要在阔叶林中的阔叶树上营巢．巢位选择过程中，巢址多在树冠下层的外侧，巢筑在离树干较远的侧枝水平枝权间．营巢期6～7d．窝卵数为3～5枚．雏鸟一般13．5d离巢．雏鸟生长方程为：W=59.1/1 e^-0.613(t-1.994).     

齿瓣延胡索细胞悬浮系的建立和延胡索乙素的形成

就各种因素对齿瓣延胡索悬浮细胞生长和延胡索乙素形成的影响做进一步的研究。结果表明：随着接种量的提高，细胞生长加速，培养液浊度增大，齿瓣延胡索细胞悬浮液培养中最适接种量为2g/30ml;pH5.6最有利于细胞生物量的积累；2，4—D与2种细胞分裂素的组合，对于生长量积累和THP含量的作用最显著；在培养基中添加甘露糖和半乳糖，对于提高培养物THP含量是有效的；G1y Phe Lys的作用效果最显著，细胞鲜质量、干质量和THP含量均最高。     

猪苓母种培养基筛选研究

对猪苓[Grifola umbellata(Pets．ex Fr．)Pilat]进行了母种培养基筛选试验，结果表明，猪苓母种生长的最适培养基为：马铃薯100g，蔗糖10g，磷酸二氢钾1g，硫酸镁0．25g，维生素B15mg，琼脂9g．     

纳米复合Ti(C,N)基陶瓷烧结晶粒长大的特性

利用材料热力学原理，推导出纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷烧结过程中，晶粒生长速度与大、小颗粒半径之间的关系，并结合实验结果进行了分析．结果表明：纳米复合金属陶瓷在烧结的开始阶段，大晶粒的长大速度呈加速趋势，当大晶粒长大到一定程度时，其长大速度达到最大值，随后，速度逐渐减慢．采用放电等离子烧结、脉冲烧结等方法有可能进一步减小小颗粒的半径．Mo、WC、TiN的加入，抑制了沉淀—析出过程的进行，对晶粒的长大有一定的抑制作用．     

三维稳态晶体生长的物理本质

考虑在均匀流场的作用下，分析了金属熔液凝固过程中晶体生长的三维稳态数学模型。应用傅里叶级数展开法，在周期性条件下得到了相应的八阶常微分方程的精确解析解，并确定了解中各系数之间的关系。该解揭示了在均匀流场的作用下，晶体生长呈现了一种周期性振荡式的模式，从理论上证实了固液界面前沿浓度呈现指数振荡衰减性是晶体生长的一个本质特性。     

利用Delphi开发温室黄瓜生长动态模拟系统

介绍温室黄瓜生长动态模拟系统的设计思路、模块划分和各模块的主要功能．以通过实验得到的黄瓜光合作用数学模型及不同生育阶段中干物质分配比例等建模所需的作物参数为基础，运用积分的方法，进行黄瓜干物质增长量和在各器官中的分配的逐日模拟．研究表明：用Delphi开发的温室作物模拟模型比较简洁，易于实施；模拟值比实际值略高，误差在4．7％～14．8％之间，基本达到了预期的效果；如果进一步在模型中加入水肥等因子修正参数，则可以达到更高的精度．     

土壤调节剂“盐碱车”的推广应用

通过对土壤施入“盐碱丰”改良盐碱化严重的耕地，改良土壤的结构和理化性状，改善土壤的分散力，增加钙、镁离子的溶解度，置换出钠离子，经灌溉溶解作物周围盐分，达到改良土壤促进作物生长的效果。     

改进的多孔硅生长模型和计算机模拟

基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.