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121.
122.
豆芽生长不正常。①产生的原因:一是豆芽机体密封不严,与空气直接相通。二是温度调节过高或过低:三是淋水间隔时间过长或过短。四是淋水延续时间过长或过短。②解决方法:一要检查排水口及箱门密封状况。二是要将温度整到18℃-32℃之间,一般选用27℃-29℃。三要将淋水间隔时间调整在2-4小时范围内:四要将淋水延续时间调整到2—4分钟内。 相似文献
123.
非欧姆氧化锌陶瓷的界面态和晶界势垒模型的探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
本文对非欧姆氧化锌(ZnO)陶瓷的界面态进行了探讨,提出了控制非线性电导特性的界面态是由于晶界的深能级电子陷阱,且深能级电子陷阱的形成是由于存在氧缺位缺陷和金属离子正电中心的观点.本文在实验分析的基础上提出了一种新的晶界势垒模型,认为晶界势垒分为主晶界势垒和次晶界势垒,两种势垒的物理性质相同,但形成和蜕变的温度不同。 相似文献
124.
本文用“等效长度”的概念研究并计算了铁路信号技术进步在换算周转量增长中的贡献.依据有关数据,分析并提出了具体的计算方法,算出了铁路信号技术进步的贡献占铁路运输各部门技术进步总贡献的16.49%~20.77%.其中,还未包括为确保行车安全所作出的贡献. 相似文献
125.
突变体库是研究基因功能的重要工具。拟南芥种质资源库(ABRC)储藏了几乎涵盖所有基因的突变体材料,其中T-DNA插入突变体占绝大多数。然而,当在T-DNA插入突变体中进行遗传转化或与其他转基因报告系统进行杂交时容易引起转基因沉默,阻碍了相关研究的开展,甚至产生错误结论。甲基磺酸乙酯(Ethyl Methane Sulfonate, EMS)诱变和快中子诱变技术可获得非转基因突变体,但这两种方法均为随机诱变技术,需要通过基因定位来确认突变位点,无法实现基因靶向敲除。CRISPR/Cas9可以对目的基因进行靶向编辑,获得不携带转基因的突变体。拟南芥中尚无利用CRISPR/Cas9进行高通量突变体库构建的报道。本研究共设计900条sgRNAs靶向300个RNA通路相关基因,通过合成sgRNA混池文库、引入DsRed2荧光筛选标记、将DNA条形码和二代测序技术相结合,实现了对转基因阳性苗的高通量鉴定和分型,并对T2代具有发育缺陷的无荧光植株进行负向筛选,成功鉴定到了不含转基因的smd3-b和rlua4突变体。 相似文献
126.
对福建省沿海至内陆出露的4件新生代玄武岩进行40Ar/39Ar年龄测试,对玄武岩中橄榄石斑晶进行电子探针测试;其中洋底和柳城玄武岩首次获得精确的40Ar/39Ar年龄数据.结果显示,闽西明溪40Ar/39Ar年龄数据为(1.44±0.11)Ma,柳城为(17.35±0.93)Ma;闽中洋底玄武岩年龄为(11.71±0.44)Ma;闽东厦门玄武岩年龄为(17.0±0.36)Ma.结合前人年龄数据,福建省新生代玄武岩整体表现出从闽东至闽西年龄逐渐减小的趋势.橄榄石斑晶电子探针数据显示闽东至闽西玄武岩碱性程度逐渐增加,可能指示岩浆熔融程度由沿海至内陆逐渐减少,岩石圈厚度由东向西逐渐增厚.最新获得的闽西柳城玄武岩40Ar-39Ar年龄为(17.35±0.93)Ma,与东部沿海玄武岩相似,推测可能是太平洋板块北西向俯冲时引起的岩浆扰动作用形成的. 相似文献
127.
以在蒸汽机车锅炉减温群控系统中成功地实现自适应控制为例,介绍一种用单板机对“灰箱”进行在线辩识和自校正调节的方法,并提出了简化的自适应控制算式. 相似文献
128.
报道了“桂丰三号”的主要植物学特征、农艺性状和生长发育特性.“桂丰三号”是一个无限生长型的中晚熟品种,主蔓长3.5~4.5m,其第15~20节开始着生花芽、第3~10节上共长出3~7条侧蔓.3月15日至6月30日期间,从播种到开花约需75天;7月10日至20日期间,从播种到开花约需50天.3月至7月20日期间,无论何时播种,其开花结荚盛期都在9月中旬至10月中下旬。单株结荚数30~50荚,荚长19cm,荚横断面呈正方型,每荚有15粒种子,老熟种子黄褐色、圆形,千粒重300g。嫩豆荚淡绿色,成熟豆荚黑褐色. 相似文献
129.
吕植香 《湖北大学学报(自然科学版)》1994,(2)
采用自拟方中药康健Ⅰ号治疗的贫血患儿66例。观察比较治疗前、治疗期、恢复期Hb指标的变化及健康状况。结果表明康健Ⅰ号对骨髓造血功能有促进作用,对免疫机能有保护和调节作用,从而使治疗后的Hb水平明显高于治疗前。 相似文献
130.
等离子体窗具有高真空密封性和良好的束流通过性,在电子束焊接、加速器等领域有很大的应用前景. 针对传统等离子体窗应用孔径小的问题,本文在优化的三阴极源基础上研究了通道直径为7 mm和8 mm等离子体窗的密封特性,以及Ar、He、H2三种等离子窗压降系数随输入电流和气流量的变化关系. 结果显示,在输入电流120~210 A、气流量1000~5000 sccm范围内,Ar等离子体窗的压降系数随输入电流、气流量的增加呈先上升后下降的变化趋势,He、H2等离子体窗的压降系数随输入电流的增加逐渐上升,但随着气流量的增加,He等离子体窗的压降系数先上升后下降,H2等离子体窗的压降系数逐渐下降. 本实验获得的等离子体窗最大压降系数为2550,可隔绝的最大高压为1 atm,与已报道文献相比具备较好的竞争优势,展现了良好的密封性,在未来加速器等领域有很大的应用潜力. 相似文献