RENi_5电子结构与吸氢性能关系研究

由于LaNi_5具有比液态氢,甚至固态氢电大密度的贮氢能力,较低的平台压和较好的活化能力,被人们认为是目前最重要的贮氢合金之一.但是纯La价格昂贵,在实际生产中往往用混合稀土(99%为La,Ce,Pr,Nd)来代替La.然而实验发现,用混合稀土特别是Ce代替La后,氢化物的稳定性大大下降,合金的吸氢平台压剧增了几十个大气压,活化能力也大大下降.由于RENi_5(RE=La,Ce,Pr,Nd)的原子结构相同,RE原子半径相差极小,仅仅用     

格序环的诣零l－理想的幂零性

主要研究结果为：证明了格序环的任一诣零单侧ｌ－理想所生成的ｌ－理想是诣零的；同时给出了格序环的指零ｌ－理想为幂零的一些充分条件     

半素PI—环的超中心

证明了半素ＰＩ－环的超中心是平凡的，即定理若Ｒ是半素ＰＩ－环，则Ｔ（Ｒ）＝Ｚ（Ｔ（Ｒ））＝Ｚ（Ｒ），其中Ｔ（Ｒ）是Ｒ的超中心；Ｚ（Ｒ）是Ｒ的中心。     

交换环中素理想的特征数

文中的环均指有单位元的交换环，定义了素理想的特征数，讨论它的基本性质，刻画了素理想的特征数与环的特征数的关系，给出了特征数有限的环的分解定理的一种新证不。     

Γ－近环的完全素理想

讨论了Γ－近环的素理想与完全素理想之间的关系，侧重于各种根（素根，完全素很），特别是下列Γ－近环类：素根等于幂零元集作成的Γ－近环类。给出了此类Γ－近环的性质。     

关于亚直不可约环为除环的条件

给出了亚直不可约环为除环的充分必要条件，推广了文献［１］、［５］、［８］中的结果。     

四氧化三铁敏感材料的研究

本文报道了Fe_3O_4胶体的制备工艺、结构及形成机理,讨论了Fe_2O_3型气敏元件的制备及敏感特性。研究表明,依此工艺制备的Fe_3O_4胶体可以作为敏感材料使用。     

有非周期根的左H-环

每个子环都是左理想的环叫作左H-环。本文刻划了根不是非零周期环的左H-环。     

硅基半导体光电子材料的第一性原理设计

具有特定功能的半导体材料的计算设计，是计算材料科学的一个重要研究领域．由于半导体的诸多性质取决于价带顶和导带底的电子态及其中的载流子分布，因此带隙的大小和能带极值的对称性便成为半导体材料设计最受关注的问题．为了进一步解决硅基光电子集成（OEIC）技术发展的瓶颈．设计具有直接带隙特性的硅基新材料并使其成为有效的光发射体，是一项富有挑战性的工作．本文在分析大量半导体能带结构的基础上，给出类sp系列半导体由间接带隙过渡到直接带隙的主要物理机制，并以对称性概念、芯态效应和电负性差效应为基础，提出一种新的直接带隙半导体材料设计方案．根据这个方案所表达的设计思想，我们对当前十分受关注的硅基光发射材料进行了计算设计．结果发现，用VI族元素在硅生长时进行周期性插层的、具有正交和四角点群对称性的人工微结构材料VIA／Sim／VIB／Sim／VIA具有直接带隙特性．其中当m=5或奇数时，材料有四角结构对称性，而m=6或偶数时是正交结构对称性．VI“。。是在〈001〉生长方向生长的单层VI族元素．这类材料的优点在于可自然地与硅实现晶格匹配，与微电子技术相兼容，并可较容易的用现行的MBE、MOCVD或UHV-CVD生长方法实现．预期这类新材料及其相应器件的研制开发．将大大开拓全硅OEIC和硅光子集成（PIC）技术的进一步发展．     

气体燃料LPG的理想空燃比

本文阐述LPG发动机汽车使用的LPG燃料的理想空燃比。