Γ－近环的完全素理想

讨论了Γ－近环的素理想与完全素理想之间的关系，侧重于各种根（素根，完全素很），特别是下列Γ－近环类：素根等于幂零元集作成的Γ－近环类。给出了此类Γ－近环的性质。     

关于亚直不可约环为除环的条件

给出了亚直不可约环为除环的充分必要条件，推广了文献［１］、［５］、［８］中的结果。     

四氧化三铁敏感材料的研究

本文报道了Fe_3O_4胶体的制备工艺、结构及形成机理,讨论了Fe_2O_3型气敏元件的制备及敏感特性。研究表明,依此工艺制备的Fe_3O_4胶体可以作为敏感材料使用。     

有非周期根的左H-环

每个子环都是左理想的环叫作左H-环。本文刻划了根不是非零周期环的左H-环。     

硅基半导体光电子材料的第一性原理设计

具有特定功能的半导体材料的计算设计，是计算材料科学的一个重要研究领域．由于半导体的诸多性质取决于价带顶和导带底的电子态及其中的载流子分布，因此带隙的大小和能带极值的对称性便成为半导体材料设计最受关注的问题．为了进一步解决硅基光电子集成（OEIC）技术发展的瓶颈．设计具有直接带隙特性的硅基新材料并使其成为有效的光发射体，是一项富有挑战性的工作．本文在分析大量半导体能带结构的基础上，给出类sp系列半导体由间接带隙过渡到直接带隙的主要物理机制，并以对称性概念、芯态效应和电负性差效应为基础，提出一种新的直接带隙半导体材料设计方案．根据这个方案所表达的设计思想，我们对当前十分受关注的硅基光发射材料进行了计算设计．结果发现，用VI族元素在硅生长时进行周期性插层的、具有正交和四角点群对称性的人工微结构材料VIA／Sim／VIB／Sim／VIA具有直接带隙特性．其中当m=5或奇数时，材料有四角结构对称性，而m=6或偶数时是正交结构对称性．VI“。。是在〈001〉生长方向生长的单层VI族元素．这类材料的优点在于可自然地与硅实现晶格匹配，与微电子技术相兼容，并可较容易的用现行的MBE、MOCVD或UHV-CVD生长方法实现．预期这类新材料及其相应器件的研制开发．将大大开拓全硅OEIC和硅光子集成（PIC）技术的进一步发展．     

气体燃料LPG的理想空燃比

本文阐述LPG发动机汽车使用的LPG燃料的理想空燃比。     

陈湛：成功始于成功系统

天狮发展到今天，成功系统功不可没，而该系统的幕后英雄是其创始人陈湛，也有人说，是李金元描绘了天狮直销帝国的宏大理想，而以陈湛为代表的团队领导人才是把这种理想变为现实的人。     

第7届世界生物材料大会

“第7届世界生物材料大会”（7th　World　Biomaterials　Congress）于2004年5月17日～21日在澳大利亚悉尼举行。本次大会旨在世界范围内促进材料科学家、医学工作者和其他相关组织就生物材料的制备、应用和评价进行科技协作，着重就生物材料、外科植人物、假体、人工器官及组织工程和再生医学的发展进行了广泛而深人的研讨。     

掺杂尖晶石LiAlxMn2-xO4的合成与性能研究

采用固相法合成了掺杂改性的尖品石型锂锰氧正极材料。XRD结果表明所得材料均呈现良好的尖晶石结构。通过充放电性能测试，发现LiAl_xMn_(2-x)O_4的循环性能都有了很大程度的改善，循环30次后仍能保持较高的容量，其中以LiAl_(0.05)Mn_(1.97)O_4的循环性能最好。     

Tin Oxide and Carbon Composite （Sn6O4（OH）4/AG） as the Anode in a Lithium Ion Battery

A tin oxide and carbon composite （Sn6O4（OH）4/AG） with a Sn content of 0.15-0.30 was prepared by chemical deposition at normal pressures and temperatures. The structures of the artificial graphite （AG）, the Sn6O4（OH）4, and the Sn6O4（OH）4JAG were analyzed using X-ray diffraction. The electrochemical lithiation was investigated by measuring the galvanostatic charge and discharge ratio. The electrochemical capacities of the three materials during the first discharge were 310 mAh/g （AG）, 616 mAh/g （Sn6O4（OH）4/AG）, and 1090 mAh/g （Sn6O4（oa）4）. The discharge capacity of the Sn6O4（OH）4/AG was larger than the simple sum of the capacities provided by AG and Sn6O4（OH）4 with the same content. The cyclic performance of Sn6O4（OH）4/AG was also better than that of Sn6O4（OH）4 for voltages of 0 to 3 V. The results imply that the interaction between Sn and C in Sn6O4（OH）4/AG is very strong and effectively inhibits the volume expansion of the Sn.