现代MOCVD 技术的发展与展望

ＭＯＣＶＤ是一门制造化合物半导体器件的关键技术。本文综合分析了现代ＭＯＣＦＶＤ技术的基本原理,特点及实现这种技术的设备的现状及其发展,重点讨论了能实现衬底温度,衬底表面反应源流均匀性的立式高速涡轮转盘ＭＯＣＶＤ技术,并对ＭＯＣＶＤ技术的进一步改进和应用作了展望。     

二价稀土卤化物与碱金属卤化物相图的模式识别评估

针对相图模式识别评估,给出了一种新方法来计算预报中间化合物的生成与否和中间化合物的种类以及数量．利用构成二元系相图的纯组分的离子的微观参数（半径和电负性）作为原始变量,经过特征变换和归一化处理,建立判别函数,计算并预报了二价稀土卤化物与碱金属卤化物构成的二元系相图按中间化合物信息进行的结果．     

庆阳乌蓼中黄酮类化合物的研究

从甘肃庆阳产中草药乌蓼中首次分离得到了５个黄酮类化合物：５７二羟基６７二甲氧基黄酮（１）,５７二羟基黄酮（２）,５７二甲氧基４′羟基黄酮（３）,桑色素７ＯβＤ葡萄糖甙（４）,５羟基３′甲氧基双氢黄酮７Ｏ芸香糖甙（５）．     

键能的分子轨道理论研究：Ⅳ.共价化合物稳定性的键能表征

按求键能ＥＡＢ的方法,对键能与共价化合物稳定性的关系进行了探讨。结果表明,在ＩＥＨＭ计算的水平上,键能ＥＡＢ小于２．５ｅＶ的键是不稳定的,而大于７ｅＶ的键则特别稳定。因此通过了计算键能ＥＡＢ,可推测共价物质的稳定性。     

杂芳基硼化合物的合成

利用２－溴噻吩、镁屑,硼酸三正丁酯或三氟化硼乙醚室温下－锅反应分别合成了－噻吩基、二噻吩基硼酸,三噻吩基硼烷及其衍生物。利用５－甲基－２－呋喃基锂、２－萘并呋喃基锂与硼酸三正丁酯或三氟化硼乙醚低温下反应俣成了几种含呋喃基硼化合物。     

辅酶NAD（P）H模型还原碳—碳双键化合物反应机理研究

辅助产ＮＡＤ（Ｐ）Ｈ因其在生物体内氧化－还原过程中的重要作用而引起了广泛的兴趣。研究焦点在其还原的历程,即辅酶分子中的一个氢是如何转移给底物的？通常采用ＮＡＤＨ的模型来还原一些有结构特征的底物以揭示其反应机理。大体上有三种见解：（１）一步负氢离子转移（２）电子转移－夺氢（３）电子转移－质子转移－电子转移。由于对辅酶模型还原碳－碳双键化合物研究尚不多见,本实验室在这方面开展了一系列转移。由于对辅酶模     

M(Pr,Ag)替代的La212型化合物的相变和晶体结构

用固态反应法制备了Ｍ（Ｐｒ,Ａｇ）替代的Ｌａ２１２型化合物,发现Ｌａ２－ｘＳｒｚＣ０．５Ｐｒ０．５Ｃｕ２Ｏ６,Ｌａ１７６Ｐｒ０．４Ｃａ１－ｘＰｒ２Ｃｕ２Ｏ６和Ｌａ２－ｘＰｒｘＣａ０．５Ｓ０。．５Ｃｕ２Ｏε单相范围的ｘ值分别是０．４－１．１,０－０．５和０－１．５。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中Co2＋的光谱及g因子的研究

采用一种修正的晶体场理论方法研究了３ｄ＾７离子在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的光谱和ＥＰＲ谱ｇ因子。此方法考虑了ｄ＾７离子ｄ电子与配体混合而导致ｄ轨道中ｅ和ｔ２轨道畸变的各向异性以及配体旋轨耦合作用对ｇ因子的贡献,用此方法解释了ＧａＰ,ＩｎＰ和ＧａＡｓ中Ｃｏ＾２＋的光谱和ｇ因子,并对结果进行了讨论     

四元Heusler化合物的力学与半金属特性

采用全势线性缀加平面波方法对一系列四元Heusler化合物进行了第一性原理计算。弹性常数的计算结果表明,共有28种化合物具备力学稳定性。对各种化合物的杨氏模量、剪切模量、泊松比以及剪切各向异性等参数进行计算和力学性质分析发现,所有满足力学稳定性的化合物均具有剪切各向异性。磁矩分析结果表明,有12种化合物符合Slater-Pauling准则。能带和态密度分析结果显示,这12种化合物均呈现出卓越的半金属特性。研究结果为四元Heusler化合物在材料科学和电子学领域的应用提供了重要的理论支持。     

SOD模型化合物：苯并咪唑桥连双核铜（II）的氨三乙…

合成了一个苯并咪唑桥连的双核铜（Ⅱ）配合物，Ｎａ３［Ｃｕ２（ＮＴＡ）２ｂＺｉｍ］·１０Ｈ２Ｏ（ＮＴＡ为三乙酸三价负离子，Ｂｚｉｍ为苯并咪唑负离子），并用元素分析，摩尔电导，ＵＶ／ＶＩＳ，ＩＲ，ＥＳＲ谱，进行了表征。用Ｘ－射线单晶衍射法测定了配合物的晶体结构，它属于三斜晶系，Ｐ－↓１空间群，晶胞参数ａ＝１．０４２６（７）ｎｍ，ｂ＝１．２０７４（５）ｎｍ，ｃ＝１．４６８０（２）ｎｍ，ａ＝７３．６２（３