表面综合形貌的小波分离法

用小波分析将曲面表面误差分离为三项之和：形状误差，表面波度和表面粗糙度，同时得出三种误差的分布及其特性，克服了传统统计参数法的某些不足，有利于对表面的分项及总体特征综合评定。     

空磁控靶溅射刻蚀的模拟研究

建立了磁控溅射单粒子模型，结合靶表面磁场的分布，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ研究了溅射气体粒子的运动规律，得到靶表面刻蚀的图形，发现靶中间环的刻蚀最强，这与实验结果和磁场的水平分量分布一致。     

[（n-Bu）4N]2[X2Mo4O10（OCH3）2]的合成与表征

本文选用醌类配体菲醌和酚类配体1，2-二羟基萘，合成了具有相似结构、通式为[(n-Bu)4N]2[X2Mo4O10(OCH3)2](X=OC10H6O和OC14H8O)的二种四聚钼多酸配合物，进行了元素分析、核磁共振、红外光谱和热重分析等表征．并对菲醌与钼多酸配合时由醌式状态向酚式结构的还原进行了研究和探讨．     

多效唑对幼年桃树生长发育的影响

多效唑施于土壤中，对雨花露桃的营养生长有明显的抑制作用，但能增加叶绿素含量，促进成花，改变果形指数；在蟠桃上叶面施多效唑对其营养生长和生殖生长影响不明显，但明显地改变果形指数。土壤的最佳处理浓度为０．８ｇ／ｍ＾２。     

范德瓦耳斯方程研究

讨论了真实气体的状态方程，分析了范德瓦耳斯对其方程的推导过程，并根据统计物理学的系统理论，结合Ｍａｘｗｅｌｌ－Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ分布，给出了建立范德瓦耳斯方程的一种新方法。还给出了真实气体修正系数ａ，ｂ的计算公式。     

分布式测控系统 RS-422 串行通讯软件设计

本文叙述了如何对ＩｎｔｅｌＩＮＳ８２５０进行直接编程，以实现微机与８０３１单片机组成分布式测控系统以及用软件设计的方法解决通讯数据检错、防止总线竞争、确定回传等待时间等问题。     

推挽式零电压开关多谐振高频变换器的直流稳态分析

将零电压开关多谐振技术应用于推挽变换器电路，提出了一种推挽式零电压开关多谐振高频变换器（ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ）电路方案，较全面、完整地对其稳态工作模式和直流特性进行了分析，发现了变换器正常运行的４种工作模式。用自编制的ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ的计算机仿真程序，仿真研究了ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ电路中各处电压、电流的稳态变化规律以及电路的直流电压增益与开关频率的变化特性。设计并实现了输入４８Ｖ、输出５Ｖ、功率５０Ｗ的离线式ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ实验电路，通过实验验证了理论分析的正确性。     

复杂多层结构的二次离子质谱定量深度分析

讨论了用ＣＡＭＥＣＡＩＭＳ－４ｆ型二次离子质谱仪对ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ复杂多层结构定量深度分析的方法。采用ＣｓＭ＋技术，完成了无外部参考物质ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ基体成分定量分析，提出并实验验证了一种新的变溅射速率深度校准方法，详细讨论了复杂基体中对杂质进行定量分析时二次离子类型的选择，还尝试了在缺乏足够参考物质时杂质含量的实验估算。实现了二次离子质谱（ＳＩＭＳ）对复杂多层结构的定量分析，同时得到了主成分和杂质的定量深度分布，并保持了ＳＩＭＳ的优良深度分辨本领。     

CVD 矩阵与 n-宽度的(p,q)问题

证明了ｄ２ｋ＝δ２ｋ＝ｄ２ｋ≥ｂ２ｋ，其中ｄ２ｋ、δ２ｋ、ｂ２ｋ分别表示Ａ（ＢＭｐ）在ｌＮｇ中的ｋｏｌｍｏｇｒｏｖ、线性、Ｂｅｒｎｓｔｅｉｎ型２ｋ－宽度，ｄ２ｋ表示ＡＴ（ＢｌＮｑ′）在ｌＭｐ′中Ｇｅｌ′ｆａｎｄ型２ｋ－宽度，这里Ａ（ＢＭｐ）＝｛Ａｘ：ｘ∈ＡｌＭｐ，‖ｘ‖ｐ≤１｝，其中Ａ是一个Ｎ×Ｍ的ＣＶＤ矩陈（Ｎ＞Ｍ＝ｒａｎｋＡ，Ｍ是奇数），１ｐ＋１ｐ′＝１，１ｑ＋１ｑ′＝１（１≤ｑ≤ｐ＜＋∞，ｐ≠１）．     

轴线直线度和同轴度误差的理论研究

建立了符合定义的轴线直线度和同轴度误差的最小二乘和最小条件评定法数学模型并简要地介绍了获得采样数据的方法，从而为救是准确的轴线直线度和同轴度误差值提供了理论依据。按照中文建立的数学模型所开发的数据处理软件已成功地应用在ＸＷＹ－１型形位误差测量仪上。