硅钢脱碳工艺研究

通过对硅钢退火原理的分析，研究了影响硅钢退火的因素，指出调整炉内气氛，改进脱碳工艺，可以达到提高产品质量的目的。     

普通高频感应加热设备的磁悬浮熔炼技术

采用普通高频感应加热装置实现了大块非晶合金的磁悬浮熔炼和铜模吹铸法制备．分析讨论了磁悬浮的原理,发现当装有物料的石英玻璃管位于加热直螺线管的中间偏上位置时,物料开始被高高弹起,随后在直螺线管的顶部振荡几次后基本稳定在一静止位置．感应涡流加热物料,待物料熔化后再从顶部通氩气把熔融物料从玻璃管小孔中吹入下方的铜模中快速冷却制取大块非晶台金．物料的密度太大或物料在感应线圈中位置太低时,物料不会被弹起和悬浮．     

PbTe热电材料的合金化研究

[目的]探索PbTe热电材料的合金化方法。[方法]利用机械合金化方法和高频熔炼方法快速制备PbTe热电材料。首先,通过调整Pb和Te成分配比,球磨时间,制备出品质较好的PbTe热电材料;其次,利用高频熔炼的方法制备PbTe材料;最后对所制备的样品进行X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)测试和分析,比较两种方法制备样品的优缺点。[结果]机械合金化制备的PbTe样品退火时,细化的晶粒开始回复和再结晶,结晶度明显增加,但是仍然低于高频熔炼的样品,且退火后,块状PbTe材料中存在大量的缺陷和晶格的畸变。[结论]通过机械合金化制备的PbTe样品结晶度明显低于高频炉制备的样品。     

基于神经网络的铜闪速熔炼过程工艺参数预测模型

基于铜闪速熔炼过程是典型的高温、多相多组分复杂生产过程,熔炼时,闪速炉内发生激烈而迅速的化学反应,冰铜品位、冰铜温度和渣中铁硅比是铜熔炼过程的关键三大工艺参数,在线检测时存在成本高、滞后大,实现困难等问题,在分析影响工艺参数因素的基础上,提出一种基于BP神经网络的三大工艺参数预测方法,通过收集现场生产数据,挖掘其中隐含的工艺参数信息,建立预测模型。仿真结果表明,这三大工艺参数的最大绝对误差分别为0.630,6.680和0.051,最大相对误差分别为1.16%,0.55%和3.40%,说明模型预测结果与实际生产数据较吻合,该预测模型可用来指导实际生产操作,并可用于铜闪速熔炼过程参数优化。     

在冲天炉中熔炼铁精矿粉的试验分析

在进行热力学和动力学分析的基础上 ,阐述了在冲天炉中熔炼铁精矿粉的可能性 .通过自行设计热风冲天炉和采取铁精矿粉压块等手段 ,改善了铁精矿粉还原的热力学条件和动力学条件 .生产试验表明 ,在冲天炉中用铁精矿粉压块代替部分金属炉料直接生产铸铁件是可行的 ,铸件化学成分稳定 ,机械性能良好 ,可有效地降低铸件成本 ,提高经济效益 .     

浅谈脱碳再生热负荷的影响因素及解决方法

分析了脱碳吸收工况近期不好的原因，提出了解决问题的办法，通过理论计算确认了解决方法的可行性。     

闪速熔炼中微量元素气相形态的热力学分析

在重新筛选有关热力学数据的基础上，选择了Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ气相物质的热力学数据。结合冶金数据库的热力学计算功能，计算了在铜闪速熔炼条件下各微量元素气相物质的平衡分压，确定了气相中微量元素的主要存在形态为Ｍ，Ｍ２，ＭＳ和ＭＯ（Ｍ＝Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ）。     

红土镍矿还原熔炼制备镍铁的试验研究

对低铁、高硅、高镁腐殖土型红土镍矿的脱水和碳还原过程进行DTA-TG分析,确定脱水和固体碳还原反应的温度区间。在煅烧-还原熔炼红土镍矿制备镍铁中,针对矿石自然渣型碱度低、黏度及密度大,不利于金属与渣分离及镍回收率提高等问题,采用控制CaO加入量的方法,调节CaO-FeO-MgO-SiO2系炉渣的黏度和密度;探讨还原剂焦粉及CaO用量、温度、时间对熔炼效果的影响。综合考虑镍铁品位和镍的回收率,确定最佳还原熔炼试验条件:焦粉、石灰与矿石质量比分别为9.0%和8.3%,温度为1 550℃,时间为40 min。在最佳试验条件下,产出的镍铁品位为22.0%,镍、钴回收率分别为92.5%和70.0%。     

2种浸入式侧吹模式下的熔池搅拌现象

在考虑流股成泡后各分散气泡形阻力的影响以及气液相运动时相间的滑移等条件的基础上,耦合了Sato模型和湍流分散力,建立了欧拉气液两相多流体模型;采用计算流体力学的方法对深侧吹和浅侧吹2种不同浸入式侧吹模式下熔池内两相流动状态和混合特性等进行了计算和比较.研究结果表明:浸入式侧吹能有效吸收气体流股的冲击能量,减少喷溅,熔池中易于形成有利于体系混合的环流;深侧吹比浅侧吹具有更强的搅拌能力和更快的混合速度,相间和相内传质速度更快,可以为高碳锰铁快速脱碳提供更加良好的反应动力学条件.     

热电动势法快速测定微碳铬铁中硅含量

用热电动势法快速测定了微碳铬铁中硅含量．当冷热端温度差为２８０℃和黄铜为参比极时，热电动势Ｅ＿ｔ与待测极微碳铬铁中硅含量［％Ｓｉ］间有如下关系：Ｅ＿ｔ＝１４．２３８—０．５８２［％Ｓｉ］，ｍＶ．其测量精度与化学法和光谱法相比．分别为±０．０４％Ｓｉ和±０．０２８％Ｓｉ．每次测试时间为３０ｓ．