植物根-茎过渡区的研究现状

根-茎过渡区的研究对于双子叶植物的结构(初生维管系统)是极具证明力的．尤其是在系统发育和个体发育上有十分重要的意义．当前在国际上对幼苗初生维管系统根-茎过渡区的研究有两大学派，一派主张根的外始式星状中柱最原始，茎的内始式真中柱最进化，在两者之间存在一个下胚轴为中始式的根茎过渡区；另一派主张幼苗可分成根-下胚轴-子叶与上胚轴苗等两个单位，上胚轴常似成一种分离的结构，着生在根-下胚轴-子叶的单位上，根和上胚轴间不存在过渡情形．     

一种求解二维扩散方程的分块隐式方法

提出了一种求解二维扩散方程的分块隐式格式。它结合了古典显格式、古典隐式格式和Crank-nicolson格式，该格式具有明显的并行性、很高的精度、很好的稳定性。     

锌对小麦幼苗生长和某些生理特性的影响

用不同浓度的锌(Zn^2 )处理小麦种子，结果表明：Zn^2 浓度高于10^-4mol／L时，种子萌发、种子中α-淀粉酶活性和幼苗生长均显著受抑；随着Zn^2 浓度的增加和培养时间的延长，细胞膜透性增加，根系活力下降和硝酸还原酶活性降低，根冠比下降。     

关于MERT-环的正则性

主要对满足一定条件的MERT-环的弱正则性，Ⅱ-正则以及强正则性进行了刻画。     

镉内标极谱分析法测定自来水中的铅

采用PS4.0微机极谱仪的内标分析法用镉做为内标物测定了自来水中的微量铅 ,检测下限0 .2 μg/L ,线性范围 0 .2～ 2 5 0 μg/L ,相对标准偏差为 8.70 % ,回收率为 93.4% .溶出分析条件 :富集电位 - 1 .0V ,富集时间 60s,静化时间 1 0s;净化电位 0V ,扫描速度 2 5 0mV/s .波型为一阶导数 .参考峰铅 - 0 .48V .锌、锰、铜不干扰测量 .     

琉球“沟-弧-盆系”构造地貌: 地质地球物理探测与制图

利用多波束全覆盖水深测量数据和地震、浅地层调查、地质地球物理调查资料及现有研究成果, 对琉球“沟-弧-盆系”构造地貌特征进行了系统的分析研究, 编绘了琉球“沟-弧-盆系”构造地貌图. 指出琉球“沟-弧-盆系”地貌的发育和分布格局主要受构造运动的控制. 琉球岛弧与东海陆架和陆坡构造地貌特征具有明显区别, 前者地质构造上由吐噶喇火山脊、琉球褶皱脊和弧前增生楔及夹于其间的奄美拗陷和弧前拗陷组成, 地貌上表现为岛坡海岭与岛坡断陷盆地相间分布的格局; 东海陆坡是一个新生的被动型陆缘, 地貌上表现为断阶型陡坡, 地形变化连续. 冲绳海槽构造上是一个弧后张裂带, 带内构造活动强烈, 火山活动和热液活动活跃, 已经并正在发生海底扩张. 海槽地貌的发育主要受雁行式排列的海槽扩张轴和东海陆坡断裂带、吐噶喇西缘断裂带的控制. 海槽中央为沿扩张轴发育的中央裂谷盆地和中央火山链, 西~西北侧为自东海陆坡坡麓向海槽中央倾斜的浊流堆积平原, 东~东南侧为自琉球岛弧西坡坡麓向海槽中央倾斜的火山碎屑堆积平原. 冲绳海槽在构造地貌上构成东海陆架和琉球岛弧的天然分隔.     

类水滑石限域空间中聚合反应的研究

用共沉淀法制备了单体4-乙烯基苯磺酸钠插层水滑石(SS-LDHs), 通过UV和NMR对单体在水滑石层间的原位聚合反应进行了跟踪. SS-LDHs在100℃下反应24 h后仍有部分单体未发生聚合反应, 当温度提高到150℃并反应24 h后, 层间的单体全部聚合, 得到了聚合物插层水滑石产物, 聚(4-乙烯基苯磺酸)/LDHs 复合物(PSS-LDHs). 研究发现, 单体在层间发生聚合反应后, 由于本体系反应温度较低, 生成的聚合物没有发生重排, 并且PSS易吸水, 随生成的聚合物增多, 聚合物溶涨程度增加, 导致水滑石层间距增大.     

TiO2纳米粒子的制备和表征及光催化活性

以钛酸四丁酯为原料,采用溶胶-凝胶法制备了TiO2纳米粒子,利用XRD,TEM,SPS,XPS,PL和UV-VIS测试技术对样品进行了表征.考察了TiO2样品的微晶尺寸、晶型结构、表面组成、光电性能和光学性能以及焙烧温度对TiO2粒子性质的影响.结果表明随着焙烧温度升高,TiO2纳米粒子完成了相转变过程,并表现出量子尺寸效应.600℃焙烧的TiO2纳米粒子具有与国际商品P-25型TiO2粒子相类似的晶相组成、结构、形貌和粒子尺寸,并且表面含有一定量的氧空位,这解释了表面有一定量的羟基氧和吸附氧,同时进一步引发表面态能级.TiO2纳米粒子PL光谱的产生与其表面氧空位和缺陷有很大关系,并能够提供氧空位和缺陷浓度以及光生电子和空穴的分离与复合等信息.此外,在光催化氧化苯酚的实验中,600℃焙烧的TiO2纳米粒子表现出最高的光催化活性,这与表征结果一致,说明TiO2纳米粒子的性质如晶型结构和表面组成等是影响其活性的主要因素.     

第二类Fredholm积分方程的一个基于插值的自适应解法

考虑核函数有弱奇性的第二类Fredholm积分方程的自适应数值解法,讨论如何对核函数进行分片多项式插值逼近,如何确定相关的参数,最后给出数值例子说明自适应解法的可行性.