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11.
以甲基乙烯基二氯硅烷为单体,采用超声钠缩合法合成聚(甲基-乙烯基)硅烷;在此基础上,采用相同的方法,变化单体以甲基乙烯基二氯硅烷和甲基苯基二氯硅烷为原料,合成了共聚硅烷和有一定程度交联的聚甲基乙烯基硅烷,并对它们用FT-IR,1HNMR,UV,TGA进行了表征.结果表明,聚(甲基-乙烯基)硅烷产物产率从2%提高到了28%;各种产物聚硅烷中均含有大量乙烯基基团,有利于进一步进行其他官能化反应. 相似文献
12.
用定量加入NaOH的方法高产率地合成了烷氧基稀土钠簇合物SmNa8(O^t Bu)10(OH),并对其进行了X射线晶体结构鉴定.此外,将其对芳醛的Tishchenko反应的催化活性进行了初探. 相似文献
13.
采用了一种全新的方法,应用真空沉积技术在弹性的聚二甲基硅氧烷(PDMS)绝缘层上制备了均匀致密的并五苯薄膜.实验结果显示,通过氧等离子体处理和十八烷基三氯硅烷(OTS)气相修饰PDMS绝缘层,对沉积大晶粒的并五苯薄膜进而获得高迁移率的薄膜场效应晶体管有着至关重要的作用.实验中通过优化氧等离子体处理和OTS修饰的条件,在先后经过100 s氧等离子体处理和7 h气相OTS修饰的PDMS绝缘层上,制备并五苯薄膜场效应晶体管,其最高迁移率可以达到0.58 cm2·V-1·s-1.后续实验中在PDMS绝缘层上尝试并成功地制备了柔性的并五苯薄膜场效应晶体管.这一实验结果拓宽了PDMS作为柔性绝缘层可以通过真空沉积技术制备薄膜器件的能力,在未来大规模柔性电子产品的制备和优化中具有巨大的应用潜力. 相似文献
14.
以不同长链烷氧基聚氧乙烯醚丙烯酸酯、丙烯酰胺和2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸为单体,通过聚合制备三元共聚物PAAC12、PAAC14和PAAC16.聚合物的分子结构通过红外光谱和核磁共振氢谱得到了表征.采用热重分析仪和流变仪对聚合物的热稳定性和水相增黏性进行测试,并通过高温高压张力仪对聚合物的界面性能进行测试.试验结果... 相似文献
15.
高级氧化法产生的具有强氧化性的·OH、·O2-等可以把水体中有害的有机物大分子氧化成CO2、H2O 等小分子物质。以甲基三甲氧基硅烷为有机陶瓷的前驱体,以Keggin 型锰取代杂多阴离子PW11O39Mn(II)(H2O)5-[PW11Mn]为可见光活性组分,采用溶胶-凝胶法制备PW11Mn/有机陶瓷膜光催化剂,并进行了IR、UV-Vis DRS 以及SEM 等表征。通过高级氧化法对罗丹明B(RhB)的光降解反应来评估其光催化活性,同时探究了PW11Mn 负载量、煅烧温度对PW11Mn/有机陶瓷膜光催化性能的影响。实验得出,100 ℃时煅烧的PW11Mn 负载量为2.0 g 的PW11Mn/有机陶瓷膜对罗丹明B 降解效果最佳。 相似文献
16.
以废弃脱脂棉和精梳棉为生物模板,聚碳硅烷(PCS)为SiC陶瓷先驱体,采用浸渍法在惰性气氛下1 000℃低温热解制备出了SiC遗态陶瓷,为开发非木材原料废弃物制备环境材料提供了实验依据。研究了浸渍浆料中PCS含量对烧成产物微观形貌、物相结构、线收缩率、体积密度、元素组成和比表面积的影响。结果表明:脱脂棉和精梳棉遗态保持了纤维状,浸渍浆料后纤维遗态被PCS热解产物包裹,形成了主晶形为β-SiC的遗态陶瓷;脱脂棉模板对浆料的吸收更好;随浸渍浆料中PCS含量从10%增加至40%,陶瓷中β-SiC含量逐渐增多,线收缩率逐渐减小,体积密度逐渐增大,热解产物Si含量逐渐增多,比表面积逐渐减小。 相似文献
17.
溶胶-凝胶法制备TEOS-PDMS杂交材料 总被引:1,自引:0,他引:1
以羟基封端的聚二甲基硅氧烷(PDMS)低聚物为有机组分,以四乙氧基硅烷(TEOS)为无机原料,用溶胶-凝胶法制备了TEOS-PDMS有机/无机杂交材料。研究了材料的机械性能和动态力学行为。所得材料柔软透明,与纯的溶胶-凝胶玻璃差别很大,拉伸强度0.5~1.0MPa,极限伸长率可达7%,动态力学曲线显示有机物PDMS均匀分散在SiO_2无机网络中,没有出现相分离。 相似文献
18.
海洋药物羊栖菜中单糖的毛细管色谱分离研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首次报道了采用毛细管气相色谱法和气相色谱-质谱法分析羊栖菜中单糖的组成。结果表明羊栖菜中含有D-木糖、D-半乳糖、L-山梨糖、葡萄糖、D-甘露糖、异木糖、阿杜糖醛酸和葡萄糖醛酸内脂等八种单糖,百分含量在1.16%-39.9%之间。 相似文献
19.
为了满足化学工程设计的需求,文章采用斜式沸点仪测定了甲基苯基二乙氧基硅烷与邻二甲苯在5.325,10.325,15.325,20.325,25.325,30.325kPa下的汽液平衡数据.在相同的摩尔分数条件下相平衡的温度随着压力的增大而升高,呈现一定的规律性. 相似文献
20.
基团电负性与三甲基硅烷衍生物的标准生成热 总被引:1,自引:0,他引:1
韩长日 《湖北师范学院学报(自然科学版)》1990,(2)
利用前文建立的基因电负性,通过分析ΔΔfH~0(MeSiX/CH_3X)与基团电负性XG的关系,本文建立了两个计算ΔfH(Me_3SiX)的公式: ΔfH~0(Me_3SiX)=ΔfH~0(CH_3X)-15.18X_G-19.70 ΔfH~0(Me_3SiX)=ΔfH~0(HX)+(6.05p-15.18)X_G-16.08p-19.70 式中,X_G为基团X的电负性;X=F.0H、NH_2、Cl Br、SH.I.ΔfH~0(Me_3SiX)和ΔfH~0(HX)分别为Me_3SiX、CH_3X和HX的标准生成热,P为分子HX中氢原子的个数。两式计算的平均偏差分别为0.99 Kcal/mol和0.84Kcal/mol。同时,导出了一个计算Me_3Si—X键的键裂能的方法: DH(Me_3Si—X)=DH(CH_2—X)+15.18X_G-16.2, X=F、OH、NH_2、Cl、Br、SH、上式计算的平均偏差为0.99Kcal/mol。 相似文献