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61.
62.
本文合成了一种新型基于四苯乙烯衍生物的荧光探针TPE-H,并表征了其结构.探针TPE-H在CH3OH/H2O(v/v, 2/8,PBS 20 mM,pH=7.4)溶液中可荧光增强识别过氧化氢(H2O2),识别过程具有较强的抗其他活性氧物种干扰的能力,在pH值7~13的范围内适用,检测限为1.77×10-7 M.实验表明探针TPE-H与H2O2作用后会释放出具有聚集诱导发光(AIE)性质的化合物TPE-N.此外,探针TPE-H具有细胞渗透性,可用于MCF-7细胞中H2O2的荧光成像,并具有良好的线粒体靶向功能.  相似文献   
63.
以二氰基异佛尔酮为母体,经Knoevenagel缩合、Duff反应、再与水杨醛腙发生席夫碱反应合成了一种新型的具有近红外发射的荧光探针W1,经核磁共振氢谱、碳谱以及高分辨质谱表征确定了结构。并对其荧光性质进行了研究,该探针拥有大的Stokes位移(252 nm)和近红外荧光发射(668 nm),检测限低至2.9×10-8 mol/L,且对铜离子选择性高、响应时间快(120 s),在铜离子浓度0~6×10-6 mol/L内表现良好的线性关系(线性方程为y=-4.91x+367.49,R2=0.992 1),能够在DMF溶液中对Cu2+进行可视化检测,并将其成功制备成滤纸条用于Cu2+的快速可视化检测。  相似文献   
64.
通过加成-消除反应合成了2-乙氧基苯甲醛缩4-氨基安替比林席夫碱,通过IR、1H-NMR和元素分析对其结构进行了表征.并对其与Zn2+、Cu2+、Co2+、Ni2+、La3+、Ce3+、Sr2+、Pb2+、Cd2+、Ru3+、Ag+等金属离子作用前后的荧光性质进行了研究.实验结果表明,金属离子的加入对2-乙氧基苯甲醛缩4-氨基安替比林席夫碱的荧光发射波长影响不大,但荧光强度发生了不同程度的改变.其中Cu2+与席夫碱络合后的荧光强度增强显著.  相似文献   
65.
随着社会经济发展,我国各类垃圾产量显著增加,新型热解法处理的垃圾热解气高效清洁利用研究相继开展.本研究采用FLUENT软件对垃圾热解气在燃烧器中的低氧稀释混合(MILD)燃烧状况进行数值模拟,研究了燃料喷管孔径、空气喷管孔径、燃料喷管和空气喷管间距、空气喷管分布以及热值波动对燃烧室内燃烧及NO排放的影响.结果表明:空气...  相似文献   
66.
通过Pechini溶胶-凝胶法与传统固相烧结工艺分别制备Ba0.96 Sr0.04 TiO3(BST)粉体和陶瓷.BST陶瓷在不同电压和温度的硅油浴中极化处理,随后采用电场20 kV/cm、周期1000 ms的测试条件,对陶瓷的铁电、储能性能和场致应变进行了测试.在极化温度100℃附近,BST陶瓷出现铁电相向反铁电相转...  相似文献   
67.
为指导煤矿井下软煤水压致裂的现场应用,基于弹塑性损伤理论进行软煤水压致裂渗流耦合数值模型研究.通过研究煤岩体孔隙度动态变化,推导出孔隙度-应变耦合模型,形成水压致裂的应力-渗流耦合模型和水压致裂煤体失效判据.结果表明,数值模拟结果与实际相符,软煤在压裂过程中同时发生剪切和拉伸破坏,小流量压裂时压裂半径小,大流量压裂时压...  相似文献   
68.
基于离散元构建考虑页岩层理特征的颗粒流模型,进而改进微观参数标定方法并对页岩颗粒流力学模型微观参数进行系统标定,利用页岩颗粒流热力耦合模型研究加热方式、天然微裂缝及围压对页岩热致裂缝演化的影响。结果表明:100℃下即可产生热致裂缝,裂缝的宽度和数量随着温度的升高在不断增加后保持稳定;天然微裂缝的倾斜度对热致裂缝扩展存在影响,倾斜角度增大,页岩热致裂缝的延伸性变弱;围压在10 MPa以下促进页岩热致裂缝生成,10 MPa以上抑制热致裂缝的生成。  相似文献   
69.
以碳化硅和高岭土为原料,利用原位反应合成法制备了氧化物结合碳化硅材料,并基于响应面法,采用材料显气孔率、常温抗折强度和热震稳定性为评价指标,研究了热处理温度、成型压力和高岭土添加量对材料性能的影响。模型分析及验证性实验结果表明,制备氧化物结合碳化硅材料的最佳热处理温度、成型压力以及高岭土添加量分别为1400℃、80 MPa、10%,在该工艺条件下所制材料的显气孔率、常温抗折强度以及残余强度保持率分别为15.9%、22.7 MPa、45.8%。  相似文献   
70.
针对功率n-LDMOS器件在动态应力条件下的热载流子退化恢复效应进行了实验和理论研究.电荷泵实验测试和器件专用计算机辅助软件的仿真分析结果表明,在施加不同的动态应力条件下,功率n-LDMOS器件存在2种主要的热载流子退化机理,即鸟嘴区域的热空穴注入和沟道区域的界面态产生,均有明显的退化恢复效应.对功率n-LDMOS器件施加2个连续3 600 s的不同应力,观察每个阶段结束时刻的CP电流曲线,发现该器件在应力变换期间确实发生了热空穴的退陷阱效应.然后,对功率n-LDMOS器件施加3个连续3 600 s的不同应力,观察每个阶段结束时刻的CP电流曲线,发现器件处于关断阶段时,已产生的界面态存在一定程度的复合.  相似文献   
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