放电等离子烧结制备Cu/Ti3SiC2-TiC复合材料

选用单质粉(Ti,Si,C,Al)为原料,采用机械合金化法制备含有Ti3SiC2和TiC的混合粉体,然后将Ti3SiC2,TiC和Cu的混合粉体进行放电等离子烧结,以制备Cu/Ti3SiC2-TiC复合材料,并对其组织耐磨性进行了研究。实验结果表明,放电等离子烧结可制备致密的Cu/Ti3SiC2-TiC复合材料,复合材料的显微硬度随强化相(Ti3SiC2-TiC)掺加量的增加显著提高,当强化相掺加量为20 vol%时,复合材料的硬度值达1.58 GPa。Cu/Ti3SiC2-TiC复合材料的耐磨性随强化相含量增加显著提高,当强化相掺入量为20 vol%时,复合材料的耐磨性为纯Cu的4倍。     

高能球磨-热压烧结制备定向排布板状WC硬质合金

采用高能球磨辅助特殊的热压烧结工艺制取定向排布板状WC硬质合金,研究了烧结温度和球磨时间对板状WC晶粒形成及其定向排布的影响.研究结果表明:烧结温度越高,越有利于晶粒粗化,形成大块板状WC晶粒;高能球磨中引入的缺陷是促进WC晶粒长径比提高的主要原因;WC晶粒的均匀性、粒径和长径比是影响其定向排布的主要因素.制备定向排布板状WC硬质合金是同时提高硬质合金硬度和韧性的有效方法.     

ZnO压敏陶瓷反射光谱的研究

利用简便的粉末反射光谱法，测量了不同烧结温度下ZnO压敏陶瓷的反射光谱，并对其影响机理进行了探讨．研究结果表明，同纯ZnO相比，压敏陶瓷反射光谱吸收边发生红移，红移量随烧结温度的提高而增大；吸收边斜率随着烧结温度升高而变小．吸收边的变化是烧结过程中ZnO晶粒表面包覆程度和元素相互扩散随温度变化的结果．高温烧结的试样在波长为566nm、610nm、650nm处存在光反射谷，反射强度随烧结温度升高而降低．烧结过程中形成的界面层缺陷是反射谷形成的主要原因，缺陷类型与温度变化无关，浓度随烧结温度的升高而增大．     

3C-SiC纳米粉烧结制备多孔碳化硅的研究

研究了用3C-SiC纳米粉末压制成坯后烧结制备多孔碳化硅的温度和时间工艺参数，采用扫描电子显微镜(SEM)分析了烧结温度和时间对烧结样品平均孔径尺寸的影响，采用X射线衍射(XRD)分析了烧结样品的结构。研究结果表明，在100kPa压力的氩气气氛中和1600℃4h 30min～4h50min的烧结条件下，烧结样品的主要结构是3C-SiC，其他晶型基本消失；烧结样品具有大量的纳米孔，其平均孔径约为80～90nm。     

纳米陶瓷研究进展

综述纳米陶瓷的性能，粉体制备，烧结及结构研究现状，分析实现纳米陶瓷成功制备的关键因素。得出结论：在纳米陶瓷制备过程中，无团聚高致纱坯是前提，烧结过程中晶粒生长的抑制是关键。     

高品位烧结矿的烧结研究

介绍在实验室条件下烧结高品位高碱度烧结矿所能达到的各基本原则 技术经济指标，论述了影响高品位、高碱度烧结矿冷强度的各种因素。旨在为现场生产高品位高碱度烧结矿提供参考依据。     

扩散机制对于釉面砖微观结构的影响

从扩散机制入手，讨论了扩散对于制品烧成状况的影响，同时根据制品宏观性能与其微观结构的对应性，采有扫描电镜（SEM）和X射线衍射分析（XRD）等探测手段，分析和研究了在不同煅烧温度下，制品的微观结构特点，对釉面砖在烧成过程中结构的形成和转化，进行了系统的论述。     

烧结温度对LaMnO_3晶胞常数的影响

通过Ｘ－射线粉末衍射法，研究了烧结温度对精密晶胞常数的影响．三个晶轴因烧结温度的不同而伸缩，其中ｃ轴的变化特别强烈．在１１００℃和１３００℃两处，ｃ轴最长，从而能够促进催化剂表面的氧离子缺位．这个结果将解释晶轴变化与吸附和催化性能之间的联系     

福建高岭土合成赛龙粉体的烧结性能研究

研究了由福建省高岭土合成的赛龙粉体的烧结性能，实验表明：在常压和不加任何其它添加剂的条件下，烧结温度在１７００℃获得了致密的烧结材料，β－ｓｉａｌｏｎ烧结体是由长柱状β－ｓｉａｌｏｎ晶体相互交织成网状骨架，并由石英，氮化硅，莫来石和少量β－ｓｉａｌｏｎ等轴晶粒填充到骨架空隙的复合型结构。     

氮化铝陶瓷材料的烧结机理

以国外引进的热膨胀测量仪为主要手段，全面地探讨了ＡＩＮ材料的烧结过程。用最小二乘法回归分析了实验数据并用现有烧结理论进行了阐释，结果表明，ＡＩＮ材料烧结初期的收缩是固相扩散与粘滞流动的共同作用，中后期烧结机理是以相界反应速率控制的溶解－淀析过程为主。