MoS4Ag2(PPh3)3和MoS4Cu2Ag(PPh3)3Br的固相合成及非线性光学性能

在无机氧化物及含氧酸盐、半导体材料、有机化合物、聚合物和金属有机化合物等领域近年来关于非线性光学材料的研究引起人们的广泛兴趣。原子簇化合物由于其特有的结构与性能特点,它们实际上是一类具有广泛应用前景的非线性光学材料。我们的实验发现,Mo(W)-Cu(Ag)-S簇合物呈现出很强的三阶非线性光学效应,特别是一些含银的簇合物的光限制能力超出C~(60)的2～3倍。我们已对蝶状、离子型类立方烷、鸟巢状和双鸟巢状,六棱柱状及二十核超笼状簇合物等Mo(W)-Cu(Ag)-S簇合物的非线性光学性研究作了报道。在这些报道中有关铜的簇合物较多,而银的相对较少。本文报道直链状簇合     

联吡啶钌络合物敏化钠晶多孔TiO2薄膜电极光电性能研究

<正>用有机光敏染料敏化半导体电极,拓展其光谱响应,可以改进宽禁带半导体的光电转换性能。近来,Graetzel研究联吡啶钉络合物敏化纳晶多孔TiO₂薄膜,使光电转换效率大大提高,进一步证明这是提高半导体光电性能的一个非常有效的措施。联吡啶钌络合物有较强的可见光吸收,其氧化态稳定性高,是一种理想敏化剂。为设计、发展新型有机光敏体系、进一步提高敏化效果,本文研究联吡啶钌的空间结构因素和纳晶多孔TiO₂薄膜电极的表面处理改性对其敏化性能的影响。     

二元非线性等重码的检错性能

等重码在编码理论中占有重要的地位,它在通信系统中有着广泛的应用。文献[1～5]研究了二元非线性等重码的检错性能,并证明了:当n>8时,二元(n,2,w)非线性等重码均不是最佳检错码。王新梅提出了一个猜想:当n>4δ且δ>1时,二元(n,2δ,w)非线性等重码均不是最佳检错码。本文研究了二元(n,2δ,w)非线性等重码的检错性能,推导出非线性等重码成为最佳检错码的必要条件,从而说明,当n适当大时,二元(n,2δ,w)非线性等重码均不是最佳检错码。本文详细分析了δ=2,3的情形,说明此时存在码长超过4δ的二元非线性最佳检错等重码。我们认为王新梅的猜想应该改正为:n>8δ时,不存在二元(n,2δ,w)非线性最佳检错等重码。     

低能耗,高绝缘性能的绝缘子玻璃

在分析钠－钙－硅系统绝缘子玻璃成分的基础上利用“压抑效应”，即以碱土金属氧化物取代部分ＳｉＯ２的可能性。采用正交设计的方法，按Ｌｙｏｎ粘度计算公式，对玻璃的高温粘度作了优选计算。     

R22饱和蒸气在水平双侧强化管外凝结换热的实验研究

对氟里昂制冷工质Ｒ２２在水平单管外的凝结换热性能进行了实验研究．传热管分别采用光管、低肋管及６根不同几何参数的双侧强化高效传热管．试验结果表明：强化管内侧强化换热效果为光管的２倍左右，管外凝结换热系数是光管的５～７倍．在冷凝温度为４０℃、管内冷却水流速范围为０．５～３．２ｍ／ｓ时，各强化管总的传热系数是低肋管的１～２倍，是光管的４～６倍     

聚苯胺的掺杂及其导电性能研究

利用对甲基苯磺酸（ＴＳＡ）和磺基水杨酸（ＳＳＡ）对聚苯胺（ＰＡｎ）进行了掺杂，研究了在掺杂过程中浓度、温度及时间对聚苯胺电导率的影响，并对掺杂态ＰＡｎ在空气中电导率与温度的关系进行了研究，结果表明ＴＳＡ和ＳＳＡ掺杂的ＰＡｎ在研究的温度范围内电导率均随温度的提高而增加。     

Ni—Ti合金电极表面激光预处理及其电化学性能的研究

研究用激光预处理Ｎｉ－Ｔｉ合金电极表面的条件以及对电极电化学性能影响的规律，并探讨了激光作用的机理，结果表明，激光处理后的电极应用于色氨酸的。灵敏度提高，稳定性进一步改善。     

卤化物与水玻璃复合物的抑尘性能

在恒温箱中测定了粉尘试样添加ＣａＣｌ２或ＭｇＣｌ２和水玻璃后的含水率与环境温度、湿度、有效抑尘时间等因素之间的关系．研究结果表明：（１）当环境温度低于３１℃，相对湿度高于６０％，粉尘试样中ＣａＣｌ２和水玻璃含量的质量分数分别达到２０％和１０％（ＭｇＣｌ２和水玻璃含量的质量分数为２３％和１１．５％）时，试样的含水率就能保持大于５％（质量分数）；（２）当环境温度低于４０℃，相对湿度高于５０％，粉尘试样中ＣａＣｌ２和水玻璃含量的质量分数分别达到２６％和１３％（ＭｇＣｌ２和水玻璃含量的质量分数为３０％和１５％）时，试样的含水率就能保持大于５％（质量分数）；（３）ＣａＣｌ２或ＭｇＣｌ２与水玻璃复合后，其粘尘功能进一步增强，而且其溶液的弱酸性得到进一步降低。     

换热器两侧性能的最佳匹配关系

基于换热器的传热方程和投资费用方程，在单位投资费用换热热流量最大的条件下导出换热器两侧的最佳性能匹配关系式，即最佳投资分配、最佳表面积分配及最佳热阻分配的平方根律。结果表明，由于投资费用的影响，换热器两侧的最佳换热性能匹配并不是等值匹配。因此，采用该规律能避免换热器设计过程中确定换热表面的盲目性。     

a-Si:HSchotky 势垒结构太阳能电池中的载流子俘获效应a-Si:H太阳能电池稳定性研究

基于实验结果，应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ａ－ＳｉＨＳｃｈｏｔｋｙ势垒结构太阳能电池进行计算机数值分析。计算结果与实验一致并且进一步指明，随着光辐照发生的载流子俘获造成的ａ－ＳｉＨ中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布发生变化和准中性区（低场“死层”）的出现，从而导致载流子收集长度的减少。这是ａ－ＳｉＨＳｃｈｏｔｋｙ势垒结构太阳能电池光致性能衰退的重要原因。于是，一种提高ａ－ＳｉＨ太阳能电池稳定性的新途径有可能被提出