全文获取类型
收费全文 | 158篇 |
免费 | 3篇 |
国内免费 | 6篇 |
专业分类
丛书文集 | 10篇 |
教育与普及 | 3篇 |
综合类 | 154篇 |
出版年
2023年 | 5篇 |
2021年 | 4篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 1篇 |
2018年 | 1篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 3篇 |
2013年 | 6篇 |
2012年 | 9篇 |
2011年 | 5篇 |
2010年 | 18篇 |
2009年 | 6篇 |
2008年 | 8篇 |
2007年 | 7篇 |
2006年 | 4篇 |
2005年 | 7篇 |
2004年 | 4篇 |
2003年 | 4篇 |
2002年 | 9篇 |
2001年 | 2篇 |
2000年 | 7篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 6篇 |
1996年 | 5篇 |
1995年 | 6篇 |
1994年 | 6篇 |
1993年 | 6篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 1篇 |
1988年 | 4篇 |
1987年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
排序方式: 共有167条查询结果,搜索用时 15 毫秒
151.
C194铜合金热压缩变形流变应力 总被引:14,自引:0,他引:14
在Gleeble-1500热模拟机上对C194铜合金在应变速率为0.01~10s~(-1)、变形温度为650~850℃条件下的流变应力行为进行了研究.结果表明:在实验范围内,C194铜合金热压缩变形时发生明显的动态再结晶;用Zener-Hollomon参数的指数函数形式能较好的描述C194铜合金高温变形时的流变应力行为;所获得的应变速率ε解析表达式中,参数A和β值分别为6.35×10~9 s~(-1)和0.119 MPa~(-1);其热变形激活能Q为316.11 kJ/mol. 相似文献
152.
CdS多晶薄膜的异常电导现象研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对化学池沉积方法(CBD)制备的CdS多晶薄膜的电导率测试,发现电导率-温度关系的异常现象,在室温附近,电导率随温度增加的变化逐渐变慢,出现异常;温度继续升高则恢复正常.本文就此异常现象和测试结果对CdS多晶薄膜性能的影响进行了讨论. 相似文献
153.
利用热活性检测仪测定了5种弧菌在4个温度下完整的生长热谱图。根据这些热谱图所反映出的变化规律研究了它们在各个温度下的生长速率常数,激活能和传代时间。 相似文献
154.
研究了不同掺杂浓度的掺铟铌酸锂晶体的紫外光致吸收和浅能级缺陷对应的热激活能.实验结果表明,只有在掺铟量超过第一阈值的样品中,才出现明显的紫外光致吸收现象.并且紫外光致吸收所对应浅能级缺陷的中心是O-小极化子,其附近的负电中心主要是(InNb)2-. 相似文献
155.
156.
采用铜模铸造法制备了Cu60 Zr29 Ti11大块非晶合金,用x射线衍射仪(XRD)、三点压弯式粘度仪对该非晶合金的动力学性质进行了研究.测定了大块非晶合金Cu60 Zr29 Ti11在过冷液相区的粘度,得到了它的动力学脆性系数m=30.848,以及流变激活能E=63.437kJ/mol.表明大块非晶合金Cu60 Zr29 Ti11是一种强液体.分析了合金在过冷态的流变激活能变化规律,发现流变激活能的变化并不符合Kivelson的super—Arrhenius公式. 相似文献
157.
符时民 《渤海大学学报(自然科学版)》2010,31(2):157-161
对半导体热敏电阻的温度特性进行了研究,确定了半导体电阻的两个性能参数a,b的值,计算出了半导体材料的激活能,得出了各种不同温度下的半导体电阻的温度系数,确定了半导体电阻的经验公式,给出了一元线性回归方程,介绍了制作半导体电阻温度计的方法。 相似文献
158.
采用铜模铸造法制备了Cu60Zr29Ti11大块非晶合金,用X射线衍射仪、三点压弯式黏度仪对该非晶合金的动力学性质进行了研究.测定了大块非晶合金Cu60Zr29Ti11在过冷液相区的黏度,得到了它的动力学脆性系数m=31,以及流变激活能E=63.4kJ/mol.表明大块非晶合金Cu60Zr29Ti11是一种强液体,有较强的非晶形成能力,形成非晶比较稳定.分析了合金在过冷态的流变激活能变化规律,发现流变激活能的变化并不符合Kivelson的Super-Arrhenius公式. 相似文献
159.
采用单道次热压缩实验方法,在Thermomaster-Z型热模拟试验机上模拟高碳钢高速线材热轧变形过程动态再结晶行为,测定82B高碳钢在变形温 度为800~1 100 ℃、变形速率为0.1~50 s-1、变形程度为0~0.60条件下的真应力-应变曲线,利用曲线特征值确定高应变速率下的变形激活能,根据实验结果分析动态再结晶变形条件,建立动态再结晶状态图. 相似文献
160.
利用聚碳硅烷与碳化硅粉混合,采用陶瓷工艺,低温烧成了碳化硅热敏电阻,其lnR-1/T关系具有鲜明的两段线性区.借助两相结构(α-SiC粉被聚碳硅烷热解得到的β-SiC所包围)的电流输运通道模型,用能带理论,计算了一个微导电单元的电导,从而对阻-温特性中反映的两种激活能的本质作出了解释. 相似文献