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31.
本文试用两种方法计算GaAs/Ga1-xAlxAs复合量子阱中激子结合能增量与磁场的关系,计算结果与实验相符。 相似文献
32.
本文计及晶格的原子结构讨论了二维Frenkel激子的性质。用二次量子化方法处理晶格振动及其与激子的相互作用,导出了二维Frenkel激子的自陷能以及它的有效质量与温度的关系。 相似文献
33.
彭景翠 《淮北煤炭师范学院学报(自然科学版)》1988,(3)
从分析聚乙炔的结构出发,在总结实验事实的基础上,提出了一个研究其电导的模型:它是沿链上、链间和纤维间三部分的贡献之和.从量子力学的普遍原理出发,分别算出了它们的数值;讨论了各种极限情况,能很好地解释实验事实. 相似文献
34.
35.
在考虑像势影响的情况下,利用变分的方法计算了垂直电场下无限深介电势阱中激子的结合能,得到了像势对激子结合能的修正随阱宽、电场强度以及阱垒介电函数之比的变化曲线,我们发现:考虑像势影响对激子结合能及其Stark效应的修正是很有意义的,而且自像势和互像势对Stark效应的影响是相反的。 相似文献
36.
测定并研究了单硫代二苯甲酰甲烷(HTDBM)及其稀土配合物Ln(TDBM)4[(C2H5)2NH]H(Ln=除Ce、Tm外的La-Lu)的光电子能谱(XPS)。结果表明:Ln3+离子通过O原子和S原子配位形成螫合物,Ln—O键和Ln—S键均具有一定程度的共价性;从La到Lu,配位键的离子性逐渐增强;观察到La3+配合物3d5/2具有伴峰现象。 相似文献
37.
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光波长红移.杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定.随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小,带间发光蓝移. 相似文献
38.
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心时,对于InxGa1-xN/GaN量子点,量子点高度和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中束缚激子的结合能升高,激子态的稳定性增强,提高了激子的离解温度,使人们能在较高的温度条件下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰。而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子的结合能升高,载流子被更强的约束在量子点中。说明对GaN/AlxGa1-xN量子点,杂质使人们能在更高温度下观察到量子点中的激子。类氢施主杂质位于量子点上界面时,束缚激子的结合能最大,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子结合能减小,激子的离解温度下降。 相似文献
39.
40.
利用严格可解的平均场加邻近轨道相互作用对力模型来描述大形变核 .将该模型应用于超铀区的核素 .计算了2 2 6 2 3 4 Th ,2 3 0 2 40 U及2 3 6 2 43 Pu同位素的结合能和对激发能 ,并与实验结果进行比较 . 相似文献