半导体纳米环中激子的磁场效应

在有效质量近似下,采用矩阵对角化方法,研究了半导体纳米环中激子的磁场效应.研究发现半导体纳米环中激子的谐振子强度随磁通变化呈现Aharonov-Bohm振荡,振子强度的振幅随纳米环的半径增加而减少.讨论了线性、三阶非线性和总光学吸收系数随环半径和磁通的变化关系,结果表示半导体纳米环中激子的光吸收随磁通的变化显示Aharonov-Bohm效应.     

等离体子物理学现状与发展前景

正根据最近的一项分析,等离体子学领域的技术成熟度发展已稳步爬升至光明期,在此阶段对这一领域潜力的理性评估,有望产生广泛的、对社会有用的多种实用性技术。大批研究人员集众人之力,探索这一有可能产生许多惊人发现的新的研究领域,如等离体子非凡的光传输能力、负折射率新材料、等离激子激光器等。在等离子体学领域内,有些人可能会比别人更早意识到,闪闪发光的未必都是金子,但在这个令     

BaBO_3系列透氧材料最优成份规律的理论研究

本文利用第一性原理的密度泛函理论计算方法,对BaBO3系列透氧材料所涉及的4种结构（立方相、六方相、BaBO2和BaBO4）进行了几何优化模拟,得到了来自第4,第5和第6周期中48个B位元素替换后的优化结构,通过这4种虚拟相之间结合能的比较,了解B位元素在稳定立方相中的作用和规律,并讨论了B位元素对晶格稳定性和立方-六方相变的影响.结合实验数据总结分析,本文发现了现有的透氧材料最优透氧性能成份的范围和规律,为今后ABO3系列的透氧材料成份的定量优化设计提供一个理论指导.     

组氨酸二肽-水团簇的Ab Initio和ABEEMσπ力场的研究

使用密度泛函B3LYP/6-311++G(d,p)方法对组氨酸二肽与水团簇的结构进行优化,在MP2/aug-cc-pVDZ水平下计算了这些体系的结合能,同时考虑了基组重叠误差(BSSE)和零点能(ZPE)校正.应用ABEEMσπ浮动电荷分子力场优化了组氨酸二肽与水分子所形成的团簇结构,计算了氢键键长和氢键键角,同时计算了组氨酸二肽与1~6个水分子所形成的团簇His(H2O)n(n=1~6)的结合能,探讨了氢键的协同效应.将ABEEMσπ浮动电荷分子力场、OPLSAA和AMBER力场所得的结果与从头算方法的结果进行了比较,ABEEMσπ的结果好于OPLS-AA和AMBER力场的,可与从头算方法所得到的结果相媲美.     

导电聚合物中极化子动力学的外加电场效应

基于紧束缚近似的Su-Schrieffer-Heeger(SSH)模型,考虑了外电场和Brazovskii-Kirova对称破缺对Hamiltonian的修正,采用非绝热动力学方法研究了一维导电聚合物中正负极化子对的碰撞过程.研究发现外加电场对正负极化子对碰撞的影响至关重要.当外电场很小(约E0<0.02mV/),碰撞的产物是束缚的正负极化子对;在稍强些的电场下,正负极化子可以复合成中性激子,其产率可以达到85%以上;在强电场(约E0>0.2mV/)下则散射成极化子激发态.其中激子形成的细节研究对于如何提高有机电致发光器件的发光效率具有一定的指导意义.     

溴化铊和氯化铊中激子的结合能

利用巳有的电子——空穴有效作用势,引进一校正因子ε/ε_0后,用变分法计算溴化铊和氯化铊中激子的结合能,得出的结果比现有的其它理论与实验结果符合得更好。     

混晶GaAs_（1－x）P_x：N中等电子杂质束缚激子的发光

在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ的光致发光进行了研究。在发光谱中分别明显地出现ＮＮ＿ｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎ＿ｘ带发光猝灭及谱带窄化。低温下，降低激发功率密度，Ｎ＿ｘ谱带移向低能量位置并且半宽变窄。实验结果表明发生Ｎ＿ｘ束缚激子从孤立Ｎ＿ｘ中心到ＮＮ＿ｉ中心的热激活转移。分析结果说明，在加压和低激发密度下，发生这种转移现象的主导机制分别是多重陷入和变程跳跃．     

混晶半导体材料GaAs_（1－x）P_x：N（x＝0．4）光致发光谱研究

采用变激发功率密度下的光致发光，变温下的光致发光等手段，研究了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）样品中各发光带的发光特性，比较了不同激发条件下Ｎｒ与Ｎｘ发光带的不同行为，求得在不同的温度区间内，Ｎг及Ｎｘ不同的激活能，结果表明Ｎг与Ｎｘ分属不同的杂质发光中心，有着不同的束缚激子的机制．     

PNB聚合物的激子及其对静电场的响应

在Baranowski-Butterner-Voit模型的框架内，得到了PNB聚合物有限长开链的自隐激子态。研究了静电场对激子的影响，发现电场对激子的电荷密度、能级、据角序参量、键序位形都有较明显的影响；并使激子吸收峰从红外波段进入可见光波段。当电场超过0．74MV/cm时，激子解离成一对正反纽结孤子，此时，激子吸收峰分裂成1．1和1．4eV左右的两个峰，分别对应于电子型弧子和空穴型弧子。由此对实验上已观察到1．0和1．3eV两个短寿命低能吸收峰的成因作出了解释。