3,3''''-二羟基4,4''''-联苯二甲酸的合成和表征

联苯二甲酸类化合物是很好的刚性桥联配体,可用于制备纳米多孔材料.设计了一条制备联苯二甲酸类新配体的合成路线,以4氨基水杨酸为原料,经过4步反应最终合成了新配体3,3'-二羟基4,4'-联苯二甲酸,并通过红外光谱、核磁共振氢谱和元素分析进行了表征.     

同轴和平行平板介质阻挡放电特性研究

分别利用同轴和平行平板介质阻挡放电装置,在流动大气压氩气中实现了稳定的放电.利用电学方法对两装置的放电电流进行了比较,研究发现两装置外加电压每半周期都放电1次,但平行平板装置的放电电流脉冲是对称的,而同轴装置外加电压正负半周的放电电流幅度和宽度明显不对称.通过分析放电动力学过程,对这一实验现象进行了定性解释.该结果对介质阻挡放电动力学过程的研究具有重要价值.     

电晕放电离子迁移谱的设计

介绍了离子迁移谱的构造、工作原理和应用,采用针板式高压放电极对电晕离子迁移谱进行了设计.     

光谱法研究Ni[(C4H9O)2PS2]2与 2,2''''-联吡啶的加合反应

用光谱法研究了Ni[(C4H9O)2PS2]2(简称NiL2)与2,2'-联吡啶(简称B)温度为32℃时在乙醇溶剂中的加合反应.Ni[(C4H9O)2PS2]2与2,2'-联吡啶生成1∶1的六配位的加合物NiL2·B,且加合物的吸收光谱是由NiS4N2的发色基团所引起的.实验测定了加合反应的平衡常数值Kθ=3.40×106.     

基于脑电功率谱-连续隐马尔科夫链的精神疲劳分级模型

提取多通道脑电（EEG）功率谱特征,训练连续高斯密度混合隐马尔科夫模型（CHMM）,建立了基于功率谱-CHMM的精神疲劳分级模型.分级结果表明：EEG各节律功率谱及其比值是精神疲劳的敏感指标,CHMM对于不同的精神疲劳状态具有较高的分类精度,最高分类正确率达到97.5%;在训练样本相同的情况下,CHMM比反向传输人工神经网络具有更高的分类精度.     

碱激发对粉煤灰活性的影响

研究了粉煤灰的物理化学特性,设计了四种方案对粉煤灰进行改性,旨在扩大粉煤灰的应用. 通过对比改性前后Na2SiO3-粉煤灰试块的强度,使粉煤灰在改性前后的反应速度通过试块的强度得以体现. 扫描电镜照片显示,在机械粉磨结合化学激发处理后,坚硬的外壳大部分被破坏. 27Al的核磁共振图谱显示宽峰变窄. 29Si的核磁共振谱表明,Q0消失,Q2增多,Q4减少. 说明加入强碱并同时机械粉磨可有效破坏粉煤灰的玻璃微珠外壳及硅铝网络结构,可增强粉煤灰的潜在活性.     

诱导顶板崩落时变力学模型的建立与应用

运用时变力学理论,针对大厂铜坑矿顶板诱导崩落试验采场的地质特征,建立有限元基本方程和时变力学模型,采用多步骤开挖的准时变力学有限元方法,模拟不同顶板诱导失稳崩落模式下的塑性区发展、东西预裂硐室与崩顶硐室的安全系数,对比研究确定顶板诱导可控失稳崩落的诱导模式,即先预裂爆破后切顶诱导崩落,其塑性区主要控制在东西两条预裂缝之间,垂直向达到顶板上方58m处,最小安全系数为1.1。采用数字式全景钻孔摄像技术,对铜坑矿顶板诱导崩落实验采场的顶板围岩诱导效果进行可视化监测。发现生成20～40mm宽的预裂缝,在顶板围岩中出现大量"X"型次生裂隙。实践结果表明,该模式可以有效地实施顶板的诱导可控失稳崩落。     

浅谈同步电动机的励磁调节

煤矿负荷大多是感应式电动机,属感性负荷,功率因数低。同步电动机可以在超前的功率因数下工作,但必须正确地调节电动机的励磁电流才能充分发挥其补偿能力,该文笔者根据理论和实践经验,介绍了正确的调节方法,具有一定借鉴意义。     

新型电流比较器的设计

针对传统的电流比较器只能输入差值电流的问题,本文提出了一种可直接输入两个电流进行比较的电流比较器。它由电流做差比较电路、二极管连接负载放大器、CMOS互补反相放大器构成。该电路采用负反馈技术降低输入电阻,从而提高了电路的响应速度,要比牛秀卿[1]提出的可直接比较的电流比较器有更快的响应速度。     

Fabrication and superconducting properties of nano-SiC doped MgB2 tapes

Nano-SiC doped MgB2 tapes were prepared by the in situ powder-in-tube method. Heat treatment was performed at 650℃ for 1 h. XRD data indicate that SiC particles had reacted with the MgB2 during sintering process. MgB2 core seemed to be denser after SiC doping, and the critical temperature was slightly depressed. The critical current density Jc of the SiC doped tapes was significantly enhanced in magnetic fields up to 14 T compared to the undoped ones. For the 5% SiC doped samples, Jc was in- creased by a factor of 32 at 4.2 K, 10 T. The enhancement of Jc-B properties in SiC doped MgB2 tapes is considered to be due to the enhancement of grain linkages and the introduction of effective flux pining centers. The substitution of B by C in MgB2 grains is thought to be the main reason for the improve- ment of the flux pinning ability in SiC doped MgB2 tapes.