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171.
对W18Cr4V钢激光表面淬火工艺参数进行了试验研究.试验结果表明,激光表面淬火工艺参数d=1.5mm,q=124W/mm2,v=18mm/s时,激光淬火加热温度处于Ac1~T熔范围之内.可以得到无表面熔化的淬火层,淬火层深度0.25mm,淬火层组织为细针状马氏体+碳化物+残余奥氏体,显微硬度HV0.1950~1050  相似文献   
172.
计入外磁场、体和界面单轴各向异性后,详细研究了铁磁或反铁磁层间耦合的自旋双链系统中的光学界面自旋波及其存在的充要条件.结果发现:对于不同的界面各向异性,该系统可以存在0、1和2个光学界面自旋波,其能量随铁磁层间耦合强度的增大而升高,却随反铁磁层间耦合强度的增大而降低.  相似文献   
173.
含分层损伤复合材料层合板非线性热弹性分析   总被引:3,自引:1,他引:3  
应用含分层损伤复合材料层合板的高阶理论精化有限元模型,对「0/90」s对称正交铺设层合板在热成型过程中的热变形及残余应力进行了非线性热弹性分析,考虑了材料弹性性能和热性质依赖于温度变化的影响,得到一些对工程应用有参考意义的结果。  相似文献   
174.
推广了群的概念,提出了新的代数系统——广群与层广群.  相似文献   
175.
高饱和磁化强度Fe16N2单晶薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
姜恩永   《科学通报》1996,41(4):370-373
尽管Fe_(16)N_2的结构早已为人们所知“‘,但对其研究的巨大兴趣则始于发现其奇异的高饱和 磁化强度(Bs一258 T严之后.制备高含量比川。的研究在块体和薄膜材料方面都很活跃l’ 4]. 然而,由于它是亚稳相,迄今只有日本Sllgita’领导的小组在半导体基片上制备出了Fe_(16)N_2单 晶薄膜,并验证了室温下其饱和磁化强度高达 29又大大超过 Slaterwaaling曲线.关于 卜;刀。是否具有如此高的饱和磁化强度值成为当个磁学理论界争论的一个热点风刁.作者曾详 细研究了溅射条件对氮化铁各相形成的影响闷,本文用溅射法制备出a‘’xe入单晶薄膜,井清 晰地观察到了沿[l叫和[110方向的电子衍射花样.磁性测量结果表明其饱和磁化强度值高 达 264~ 289 Wbha’.  相似文献   
176.
离子束溅射制备的C-N薄膜   总被引:2,自引:0,他引:2  
Liu和Cohen采用经验模型和从头计算法计算了假想结构共价键化合物β-C_3N_4的弹性模量和结构性能。结果表明:该种共价键化合物的弹性模量与金刚石相当,其结构至少是亚稳态的,该种材料不仅具有高硬度,而且具有良好的导热性和热稳定性。为此,这种新型超硬材料受到了普遍关注,人们开始采用不同的实验方法合成β-C_3N_4.Wixom利用含氮的有机化合物进行冲击波合成,结果只得到了一些金刚石颗粒;Maya等人采用几种含氮的有机化合物进行高温热解,也未观察到碳氮成键的迹象。采用磁控溅射法合成β-C_3N_4时,得到的是非晶的C-N薄膜,其中含有极少量的纳米晶体。最近,Niu等人报道:采用脉冲激光蒸发高纯石墨并通进原子氮可制备出含有β-C_3N_4晶相的碳氮薄膜,薄膜中的氮含量可以达到40%。Gouzman等人采用低能氮离子注入到石墨表面,结果观察到氮的化合态,说明了β-C_3N_4的存在。  相似文献   
177.
】文章明确提出了四川新场气田蓬莱镇组浅层气藏中、上部气藏之间存在层间干扰现象,并从产层压差、试井终压、压力恢复曲线特征及井间干扰等多个角度证实了这一现象的存在。随后,运用层间干扰现象合理地解释了气藏西部两口高产气井长时间关井后产能丧失殆尽的原因,并指出中部气藏在西区的潜力远比预想的差。最后,在层间干扰分析的基础上得出,中、上部气藏不能归为同一开发层系,必须用不同井网分层开采  相似文献   
178.
进行了自熔合金氧乙炔火焰喷熔层的腐蚀、磨粒磨损和摩擦磨损行为对比的试验研究,对喷熔层与母材之间的结合性能及喷熔层孔隙进行了测试分析.试验结果表明:自熔合金喷熔层可以在高负荷环境及非氧化性酸腐蚀的严重的工作环境中服役.  相似文献   
179.
利用动态规划来训练多层前馈网络,即逐层修改网络的权值。其算法采用有关文献提出的矩阵的广义逆的正交反向传播算法,经有限次迭代即可得到每一层的最优权值。  相似文献   
180.
通过对某48层筒中筒结构在35层处设置刚性层效果的计算分析,提出筒中筒结构设置刚性层的作用机理在于提高翼缘框架的轴向抗侧作用,影响设置刚性层效果的主要因素在于外框筒裙梁刚度  相似文献   
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