缺陷石墨烯的可控制备及其室温湿敏性能

利用活泼的金属钠还原廉价的糖类,成功实现了一种缺陷石墨烯的可控制备,该石墨烯材料在室温下表现出极佳的湿敏性能. 表征结果显示:蔗糖前驱体使石墨烯片层厚度增加到0.4 nm,并改变缺陷石墨烯表面的修饰基团及缺陷含量(摩尔分数). 蔗糖前驱体制备的缺陷石墨烯,其表面含氧基团的摩尔分数可达24.2%. 不同缺陷含量的石墨烯样品室温湿敏性能表现不同. 相比不加糖类的石墨烯样品,蔗糖前驱体制备的缺陷石墨烯室温湿敏性能最高可提升4.5倍. 研究结果可为石墨烯基材料在室温气敏探测方面的应用提供技术参考.     

介质阻挡放电等离子体处理对涤纶织物表面性能的影响

研究了湿度对介质阻挡放电等离子体处理涤纶织物性能的影响,以氩气和氧气分别为载气和反应气体,对涤纶织物进行常压介质阻挡放电处理,利用扫描电子显微镜和X光电子能谱仪分析等离子处理前后纤维表面形态和化学成分的变化,并利用水滴吸收时间表征织物吸湿性.结果表明,介质阻挡放电处理可以使涤纶织物表面的粗糙度增加,并且湿度大的织物处理后粗糙度更大.处理后,O/C比率增加,表明有新的含氧基团生成,而湿度大的O/C比率更高.刚刚处理完的试样,织物湿度对处理后的水滴吸收时间没有太大的影响,在织物洗后水滴吸收时间增加,但洗后放置一段时间后未见明显改变.大气条件下的时效性测试中,织物性能也未见明显改变.     

电磁继电器触点面的SEM和XPS研究

使用X射线光电子能谱（XPS）和扫描电子显微镜（SEM）等表面分析方法,研究未启封、使用过失失效和使用过失效的继电器触点表面和形貌、组份和结构,结构表明,经过使用后触点表面烧蚀严重并发生磨损,其组份中含Ag、Sn、C和O等原子,C和O的XPS峰显示,触点表面氧化膜和碳化物的形成,导致接触电阻增大,从而影响继电器的稳定履使用寿命。     

用1／N展开技术研究汞核的能谱和B(E2)

用１／Ｎ展开法加上自洽Ｑ框架的ｓｄＩＢＭ１研究比Ｈｆ更重一些的中等质量核的Ｈｇ的同位素的能谱,计算了＾１８６Ｈｇ基带的几个Ｂ（Ｅ２）值,有一定程度的符合,高激发态符合得较好,特别是能正确反映出Ｂ（Ｅ２）值随能级谱化的趋势,而且只用了很少的可调参数去拟合大量数据,注意到值随能级变化的趋势,而且只用了很少的可调参数去拟合大量数据。注意到Ｈｇ核的质子数Ｚ＝８０,很接满壳层,可见１／Ｎ展开展理论适用于很大     

DYNAM无对流区天体中的发电机效应(英文)

根据等离子体湍动波发电机方程 (p ω发电机方程 ) ,应用球坐标系统 ,得到了一组标量发电机方程 .考虑各种不同的旋转情况 ,得到了不同的分析解 .不论旋转角速度是否均匀 ,对流是否存在 ,p ω发电机总能产生作用 .较差自转的存在将增强发电机的作用 .运用这种发电机模型能够解释所观测的无对流天体的磁场 .     

次近邻电子跳跃对聚苯胺基态电子结构的影响

在聚苯胺的Baranowski-Büttner-Voit模型基础上,引入了含有次近邻电子跳跃的哈密顿修正项,并推导出相关理论公式.数值计算了完全氧化态的Pernigraniline-base(PNB)和半氧化态的Emeraldine-base(EB)的基态电子能谱结构,结果表明(1)次近邻电子跳跃对能隙和总带宽的影响较小;(2)随着次近邻跳跃强度的增加,PNB聚合物价带宽度将增加,导带被压缩;而EB聚合物的导带与价带均被压缩.     

一般双模双耦合谐振子能谱的精确解

在占有数表象中通过幺正变换将质量和频率均不相同的双模双耦合谐振子体系的哈密顿量对角化,得到了双模双耦合谐振子体系能谱的精确解,给出了求解双模耦合谐振子本征能谱的一般方法．     

Auger电子能谱分析方法及其在2.25Cr-1Mo钢回火脆性中的应用

介绍了Auger电子能谱（AES）分析方法、分析原理和试验过程，并对主要试验参数进行了讨论。同时，基于AES分析方法，对加氢反应器用2.25Cr-1Mo钢及其在步冷脆化和修正步冷脆化状态下进行AES分析试验。结果表明，2.25Cr-1Mo钢回火脆化机理是杂质原子P在晶界偏析所致，材料加速脆化的机理是材料中杂质原子P在晶界上不断偏析所致。     

Si／GaP（111）界面生长及其形成过程

研究用电子束蒸发方法把Ｓｉ淀积在ＧａＰ表面的界面生长过程。用ＸＰＳ在线测量Ｓｉ／ＧａＰ（１１１）界面形成过程中各原子芯能级的移动趋势来研究界面原子间的成键情况；借助Ｇａ３ｐ峰强随Ｓｉ覆盖厚度的变化确定Ｓｉ的生长模式。还用ＬＥＥＤ监测Ｓｉ生长时的表面结构状态。     

CdZnTe半导体探测器X射线能谱响应特性分析

CdZnTe是一种性能优异的高能射线探测材料,在空间科学、核安全以及核医学等众多领域有广泛的应用前景.本文选取了3枚不同等级的CdZnTe探测器,在详细阐述了CdZnTe探测器工作原理的基础上,对比分析了他们的能谱响应曲线和载流子输运特性的关系.重点分析了CdZnTe探测器能量分辨率、电荷收集效率和峰谷比等关键指标参数与CdZnTe晶体中电子和空穴的迁移率和寿命积以及载流子的去俘获效应的相关关联,分析表明载流子的迁移率和寿命积是影响探测器电荷收集效率决定因素,而当电荷收集效率〈90%时,电荷收集不完全对探测器的能量分辨率有较大影响,而载流子在陷阱中的去俘获时间对探测器信号的本底噪音和极化效应有较大影响.建立了一个通过简单平面探测器能谱响应曲线反映CdZnTe晶体载流子输运特性的方法,为CdZnTe探测器和晶体质量的评价和筛选提供了基础.