不同温度条件下温敏核不育水稻雄性不育的细？…

昼／夜２４℃／２２℃的的温度处理下,小孢子发育正常。２９℃／２６℃的温度处理下,部分减数分裂出现异常,民子败育主要发生在单核期,开花时镜检为典败。日均温在３０℃以上高温条件下,小孢子母细胞发育到中、晚期出现败育、开花时镜检为无花粉型败育,结果表明,小孢子发育的不同时期对温度的敏感性不同,其中减数分裂期对温度最敏感。     

水稻5460F细菌人工染色体文库的构建和鉴定

温敏核不育水稻在杂交水稻的生产中具有重要的应用价值,前人的研究表明,该不育性状是由隐性单基因控制的,本室首次把该基因定位于水稻的第８染色体,并将命名为ｔｍｓｌ,为了构覆盖ｔｍｓｌ基因区域的精细物理图谱并最终克隆ｔｍｓｌ基因,利用１个改进的载体ＰＥＣＢＡＬ进行了温敏核不育水稻５４６０Ｓ的可育恢复突变体５４６０Ｆ细菌人工染色文库的构建。该文库由１６８９６个克隆构成,克隆片段平均大小为１１９ｋｂ相当于水     

拟南芥温敏雄性不育突变体atms1的获得及表型分析

从甲基磺酸乙酯（ethylmethane sulfonate,EMS）化学诱变建立的野生型拟南芥（Col-0）突变体文库中筛选到1株突变体.在低温16 ℃时,该突变体的雄性育性与野生型没有显著差异,花粉染色呈现100%可育.随着培养环境温度的升高,突变体花粉育性逐渐下降,因此,该突变体为一温敏雄性不育突变体,并被命名为atms1（ambient temperature-sensory male sterility 1,即环境温度敏感雄性不育1）.花药切片结果显示,在23 ℃以下,该突变体花药各个发育时期的形态与野生型花药没有显著的差异;而27 ℃处理1周后的突变体花药呈现多种表型：同一朵花中各个花药的发育时期出现显著分化,花粉母细胞胼胝体单薄,绒毡层发育滞后于同时期的野生型花药.遗传分析确定,atms1的不育表型是由单个隐性核基因控制的.     

硅温敏二极管研制

由硅材料电阻率的选择、结面积设计的不同，试制几种温敏二极管，在恒定电流下，测量室温至１２０℃温度范围内正向电压Ｖｆ与温度Ｔ的关系，测试结果表明，Ｖｆ－Ｔ特性曲线线性优良，在恒定电流为５０μＡ下，灵敏度最高的可达２．７０ｍＶ／℃．根据测试结果，对提高灵敏度等特性进行一些讨论．     

P(NIPAM-NVP)/GNRs复合材料的制备及其温敏性质研究

通过调节GNRs的生长方式,在P(NIPAM-NVP)凝胶膜中原位制备出了密度可控的GNRs,研究了P(NIPAM-NVP)/GNRs复合材料的温敏性质以及GNRs的密度对温敏-光学性质的影响.研究发现,该复合材料的局部表面等离子体共振(LSPR)吸收峰的位置和强度随温度的变化发生明显的改变,并呈现出温敏可逆性.此外还研究了P(NIPAM-NVP)/GNRs复合材料的表面增强拉曼(SERS)性质,发现随着温度的升高,尼罗蓝A(NBA)的拉曼信号产生明显的增强.     

纳米TiO2/Ag复合水性温敏聚氨酯整理剂的应用研究

采用原位负载法制得纳米TiO2/Ag复合水性温敏聚氨酯(TiO2/Ag-WTSPU)乳液,将其用于织物整理,测试了整理织物的表面形貌、力学性能、抗紫外线及抗菌等性能,结果表明:整理后织物的力学性能、抗紫外线性以及抗菌性均增强,且随着纳米TiO2、Ag含量增加,各项性能更优异,当纳米TiO2、Ag含量均为0.4％时,织物的断裂强力和拉伸长度分别为393.2 N、42.2 mm;织物的紫外防护系数为53.7,长波紫外线透过率为4.96％;对大肠杆菌与金黄色葡萄球菌的抑制效果良好;且织物在20～30℃透湿量增加较明显,显示较好温敏特性,织物在40℃时的透湿量达2480 g/(m2·d).     

水稻温敏核不育系HD9802S不育基因的SSR标记定位

使用分子标记辅助选择可以获得目标性状的个体从而提高育种效率.以HD9802S/(HD9802S/R287) BC1群体为材料,利用BC1群体中随机选择的32个高度不育单株和32个高度可育单株,以及涵盖水稻12条染色体的22个SSR标记,通过连锁分析进行染色体定位,将温敏核不育基因(HDtms)定位于第2号染色体上;利用软件QTL Ici Mapping 3. 0进行染色体分群,HDtms被划分到第2号染色体上.在第2号染色体上覆盖筛选得到10个SSR标记,以回交群体中428个单株为材料绘制连锁图谱,图谱全长112. 21 cM,平均图距为11. 21 cM,HDtms在标记RM5897与RM12783之间.在此区间内筛选到与HDtms连锁紧密的SSR标记.其中RM12747是得到筛选率最高的分子标记,为90. 135%,且在HD9802S与R287间具有多态性.说明对温敏不育性的分子标记辅助选择可初步使用该分子标记.     

四氧化三铁负载石墨烯/聚偏氟乙烯复合电介质材料的温敏极化特性

将水热合成四氧化三铁负载的石墨烯(rGO/Fe_3O_4)引入到聚偏氟乙烯(PVDF)基体中,制备三元复合电介质材料(rGO/Fe_3O_4/PVDF).利用SEM、TEM、XRD、阻抗分析仪等测试手段对复合材料的形貌、结构、介电性能进行了表征,着重研究了材料在不同温度下的介电性能及极化特性.结果表明,Fe_3O_4的存在有效促进了石墨烯的分散,协同增强了PVDF电介质的介电性能.此外,复合材料的表面极化表现出了很强的温度依赖性,其介电常数随着温度升高而增大,尤其在玻璃化转变温度和熔点附近,材料表现出较大的介电松弛.     

中频炉的单片机温控系统

本文介绍了中频电加热炉温控系统。由８０３１ 单片机控制晶闸管触发角。利用温敏二极管的线性负温度特性对热电偶进行冷端补偿,补偿精度优于１℃。控制算法采用模糊ＰＩ复合控制。具有成本低,对参数变化不敏感,控制效果好等特点。