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通道不一致性、互耦对最优阵列处理器的影响 总被引:7,自引:0,他引:7
本文研究了通道幅相不一致性、互耦这两种误差对最优阵列处理器性能的影响。理论分析结果表明,对于只利用干扰加噪声协方差矩阵求逆的自适应方法(简称NAMI法),当干噪比(JNR)较大时,这两种误差不会导致零点位置的漂移,但零点深度有所变化;对于信号加干扰和噪声协方差矩阵求逆自适应方法(简称SPNMI法),当信噪此(SNR)较小或较大时,零点位置变化不大,但性能损失比NAMI法严重得多。如果能加以补偿,则SPNMI法与NAMI法有相同的结果。我们用矩量法计算得到的互耦矩阵对此进行了仿真模拟,实验结果证明了理论分析的正确性。 相似文献
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用光学显微术研究了奥氏体化温度对30、40、60、T8、T12钢马氏体组织形态的影响。结果表明,奥氏体化温度越高,获得板条马氏体的量越多,奥氏体化温度超过某个临界值时,中高碳钢均可获得全部板条马氏体组织。钢的含碳量越高,获得全部板条马氏体的临界奥氏体温度越高。在该温度以下淬火时,30、40、60钢先形成板条马氏体,后形成片状马氏体;T8、T12钢先形成片状马氏体,后形成板条马氏体 相似文献
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提出了一种新型的广义预测控制器。由于在控制器的设计中,进行了预测误差的动态校正,并且控制器采用了比例积分型(PI)目标函数,因此该控制器对未建模动态具有很强的鲁棒性。应用低阶的模型对一个强放热的化学反应釜模型进行的仿真研究检验了该方法的有效性。 相似文献
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将微机引入人造革生产线,设计了轧辊温度自校正调节器,并给出了仿真数据,结果表明了所设计系统的正确性。 相似文献
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根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法. 相似文献
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FANUC OTDⅡ数控系统已广泛应用在数控机床上,其螺距误差补偿功能有一定的典型性。通过对螺距误差补偿的熟练掌握,可以处理许多数控机床的加工难题。 相似文献
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本文针对炉体温度对象建模较难,常规算法难以发挥良好的作用,阐述了将模糊控制与变结构控制结合控制的原理及方法,并成功的将该设计方法应用于成都砂轮厂树脂硬化炉的温度控制中,取得良好效果。 相似文献
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