包含纳米硅(nc-Si)晶粒MOS结构中的共振隧穿和库仑阻塞现象

采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致.     

机用锯条双层辉光离子渗金属、离子渗碳后的研究

针对机用锯条存在消耗合金元素、碳化物分布不均匀、冶金困难和工艺复杂等问题，利用双层辉光渗金属技术形成的表面冶金高速钢可以达到良好的综合机械性能。本研究用20Cr2V2机用锯条坯材作为试样进行双层辉光离子渗金属和离子渗碳，对渗金属、渗碳后的金相、XRD图谱进行分析，为表面高速钢机用锯条的工业化推广进行了有益的探索。     

配制高性能混凝土对原材料要求的探讨

高性能混凝土具有高流动性、高耐久性的特点，其组成原材料应满足各项性能的基本要求．胶凝材料用量较高，水灰比较低，最大骨料粒径较小，可采用普通水泥，但必须与高效减水剂有很好的相容性．     

非晶态SiO2过渡层上高C轴取向LiNbO3薄膜及生长机制探讨

利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态SiO2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度C轴取向性的LiNbO3光波导薄膜.利用X射线衍射、高分辨电子显微镜和原子力显微镜等手段对LiNbO3薄膜的结晶品质和C轴取向性等进行了系统的分析,基本确定了薄膜C轴外延生长的最佳沉积参数.非晶态SiO2过渡层上的LiNbO3薄膜由尺度约为150 nm×150nm的四方柱状C轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构.棱镜耦合技术测量表明,激光可以被耦合到LiNbO3薄膜中,形成TE和TM模式的光波导.此外,对于LiNbO3薄膜在非晶过渡层上择优取向生长的物理机制和薄膜基底效应进行了初步探讨,提出其生长机制很可能符合光滑晶面上三维岛状成核生长的Volmer模式.     

硅压阻式传感器与AD7705芯片在压力测量中的应用

介绍一种新型测量压力的元件——硅半导体压阻式传感器，并以MPX2100压阻式传感器为例，配合AD7705芯片构成压力测量系统，阐述压力测量系统的工作原理，说明系统的软、硬件设计方法．     

难溶杂多酸盐催化合成乳酸正丁酯

合成了硅钨三乙醇胺盐和磷钨酸三乙醇胺盐，并以它们为催化剂，合成了乳酸正丁酯。并对硅钨酸三乙醇胺盐催化合成乳酸正丁的工艺条件进行了研究。该催化剂易回收，可重复使用5次以上。     

硅对汞毒害玉米幼苗生长的缓解作用初探

研究表明,在幼苗生长阶段,较高浓度的汞能使玉米苗叶绿素含量、光合强度、根系活力、硝酸还原酶活力和水分利用率降低,而叶片蒸腾强度升高.培养液中加硅能使上述生理指标的变化明显减轻,说明硅在一定程度上起到缓解汞对玉米的毒害作用.     

在硅基材料上用Sol-gel法制备涂层测定氧扩散系数研究

提出一种测定氧扩散系数新方法。用Sol-gel法制备了Y2O3/SiO2均匀致密的薄膜，能成功解决其它方法无法得到的冶炼所得到的熔体，光学椭偏测定氧化层的膜厚。探讨了氧在薄膜中的扩散，在Wagner理论基础上，用数学方法表达在掺杂SiO2薄膜氧扩散系数与氧化层膜厚的关系。     

多孔硅中组装SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的发光现象

用溶胶-凝胶法制备符合SrAl2O4：Eu^2 ，Dy^3 化学组成的溶胶，通过水热反应组装后还原的多孔硅主客体材料的荧光光谱发生显蓝移，并出现一个新的400～450nm的余辉发射峰，分析其原因主要是发光材料进入了多孔硅的纳米孔洞，二价铕离子周围的环境变化和发光材料受到了量子尺寸效应产生的。     

改进的多孔硅生长模型和计算机模拟

基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.