基于TSV的3D IC层次化物理实现技术

随着集成电路特征尺寸逼近物理极限,硅通孔（TSV）实现层间互连的三维集成电路（3D IC）成为延续摩尔定律的一种趋势.但现有集成电路设计工具、工艺库、设计方法尚不成熟,难以实现三维集成中超大尺寸基板芯片的时序收敛问题.为此,本文提出了一种利用现有传统的EDA工具完成基于TSV的3D IC物理设计的流程.首先,用热应力模型将三维硅通孔投影成二维阻挡层,从而将三维集成电路设计转化成若干含阻挡层的二维集成电路分别实现;其次,针对超大尺寸基板芯片的时序收敛困难问题,提出了一种标准单元布局方法,通过在版图中划定若干固定放置区用于限定关键时序单元的摆放,并迭代确定这些关键单元在固定放置区中的位置,实现大尺寸芯片的时序收敛.基于所提出的三维集成电路设计流程完成了一款三维集成的网络路由芯片基板芯片的设计,结果表明,相比传统的设计流程,提出的3D IC物理设计流程可使超大尺寸基板芯片从时序无法收敛优化到可收敛并满足时序要求,验证了所提出的3D IC物理设计流程的可行性.     

液相浸渗中纤维非润湿性的处理

纤维与金属液的非润湿性是液相浸渗制造纤维增强金属基复合材料的主要障碍之一。实验发现纤维的非润湿性使其在自然排布时的浸渗缺陷必须存在。通过提高液相浸渗压力可以改善复合材料的浸渗效果,但仍有细小的浸渗缺陷必然存在。通过提高液相浸渗压力可以改善复合材料的浸渗效果,但仍有细小的浸渗缺陷无法消除,采用颗粒与纤维的混杂使纤维丝相互分离,消除了充填“死角”而使纤维束内完整充填并且均匀分布,提高浸渗压力和混杂预制     

硅砂表面高温改性温度水玻璃砂强度的机理

Ｘ－射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电镜（ＳＥＭ）、能谱（ＥＤＳ）等的研究表明,硅砂表面存在吸附膜,高温改性使吸附膜被牢固烧结在砂粒表面,改变了吸附膜和砂粒表面的物理和化学特性,大大改善了湿润性,使粘结桥的断裂形式从附着断裂向内聚断裂转经,提高了水玻璃砂的强度。     

硅光探测器紫外量子增益谱

对硅光探测器在紫外光波段的量子增益过程进行了分析,考虑到碰撞粒子的相对运动及终态的态密度分布,计算了增益谱,制作了紫外性能良好的硅光电二极管,测量了紫外谱响应,对实验测量与理论计算进行了比较,结果基本一致。     

Keggin结构钼硅稀土杂多蓝的合成及性质研究

合成了钼硅稀土二电子、四电子杂多蓝ＬｎＨ３〔ＳｉＭｏ１０＾ＶＩＭｏ２＾ＶＯ４０〕·１２Ｈ２Ｏ和ＬｎＨ５〔ＳｉＭｏｇ＾ＶＩＭｏ４＾ＶＯ４０〕·１３Ｈ２Ｏ,其中Ｌｎ＝Ｌａ,Ｃｅ,Ｐｒ,Ｎｄ,Ｓｍ,Ｇｄ,通过ＩＲ,ＵＶ,ＴＧ－ＤＴＡ,ＸＰＳ,ＥＳＲ磁化率等对杂多蓝进行表征。结果表明,杂多酸盐还原为杂多蓝后,结构上发生了轻微的畸变。     

纳米结构硅研究的发展动态*

本文综合归类了目前制备纳米结构硅的主要方法：等离子体化学气相沉积．激光诱导化学气相沉积和热蒸发法（制纳米晶硅）及电化学腐蚀法（制多孔硅）,给出各种方法的典型参数及其对纳米硅结构的影响,分析了纳米硅结构特征,比较分析了各种方法制备的纳米硅的光学性能,如光学能隙Ｅｏｐｔｇ,光致／电致发光谱峰位波长、半高宽及影响因素等,并对纳米硅研究的发展前景进行展望．     

氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态

研究了不同温度氮化烧成后,硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态.结果表明:1300℃氮化后,硅的外层包裹着絮状的O'-Sialon;1400℃时,硅颗粒破裂且内部有氮化硅生成;1 500℃时,已没有残留硅保留下来,硅氮化生成了O'-Sialon和氮化硅;1 600℃时,硅氮化完全,其中的杂质相CaO,Fe2O3等富集在一起.     

高硅沸石中二元物系表面扩散系数的预测

用动力学蒙特卡罗（Kinetic Monte Carlo，KMC）方法模拟客体分子单组分及双组分混合物在高硅沸石（Silicalite）分子筛中的扩散，与分子动力学（Molecular Dynamics，MD）方法的模拟结果及Maxwell-Stefan（M-S）方程计算对比说明KMC方法的合理性，而由真实的体系性质获得正确的跳跃频率值及合适的晶格模型是获得正确计算结果的关键，且一旦由单组分研究获得正确的跳跃频率值及晶格模型，便可直接移用至多组分体系的KMC模拟中。     

富钾硅复合物对水稻土中有效K，Si，Ca，Mg的影响

富钾硅复合物为绿豆岩煅烧产物，本文通过盆栽对比实验研究它对水稻土中有效K，Si，Ca，Mg的影响，结果表明：水稻土中施入K，Si，Ca，Mg后，被水稻带走部分养分，土壤养分仍有变化；尽管富钾硅复合物中的K，Si，Ca，Mg多为枸溶性养分，但均能供给水稻生长发育需要，并具有一定后效．     

方波脉冲电沉积氧化锌薄膜的研究

以0.1mol·dm-3的Zn(NO3)2水溶液为电解质溶液,以99.9%Zn片作阳极,采用方波脉冲电流法在氧化锡铟(ITO)导电玻璃基底上阴极电沉积,得到了透明的ZnO薄膜.采用X射线衍射分析、扫描电镜和荧光光谱技术,测试了薄膜的结构、表面形貌和光学特性.用同样方法在多孔硅衬底上电沉积ZnO薄膜,经过1000℃氧气氛下热处理1h,在紫外光照射下可发射强绿色荧光.