从碱性腐蚀液中回收锗的实验探究

用沉淀法将碱性腐蚀液中的锗进行沉淀富集回收,对锗回收的适宜的实验条件进行实验探究.讨论了沉淀剂种类及用量,实验温度,碱性腐蚀液的pH值,沉淀时间等因素对锗的回收率的影响.结果表明:在常温下,以FeCl3 为沉淀剂,碱性腐蚀液的起始pH值为6.5,沉淀时间为90 min时,锗的回收率达到了80%以上.     

SiGe合金氧化层中的纳米结构

我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和三维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟,计算且测量出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布,并且反馈控制加工过程,优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件.我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点和量子层结构,我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度的匹配公式和理论模型与实验结果拟合得很好.     

磁对流

本书主要论述了由洛仑兹力引起的液态金属的对流和由磁力引起的空气、水等流体的对流。书中内容主要为作者研究磁场力作用下的传热与流动规律，传热强化及数值模拟等方面成果的概述，介绍了磁对流这种新技术的研究现状。     

磷锗锌多晶合成装置设计研究

研究设计了ZnGeP_2多晶的合成装置,包括合成安瓿,合成炉结构与温场分布。利用自行设计的合成装置,采用两温区气相输运法进行ZnGeP_2多晶合成实验,并对合成的多晶材料进行XRD,EDS和密度测试。结果表明,合成产物为高纯、单相的ZnGeP_2多晶材料,设计的多晶合成装置和两温区气相输运合成工艺适合ZnGeP_2多晶的合成,为高质量ZnGeP_2多晶材料的获得奠定了基础。     

过渡元素的1：9双系列锗钨杂多配合物的合成与性质

首次合成了5种过渡元素的1：9双系列锗钨杂多配合物,Na11H7[Cu(GeW9O34)2].nH2O和K12H6[M(GeW9O34)2].nH2O(M=Ni,Zn,Mn,Fe),用元素分析,IR,UV光谱,G－DTA,极谱和CV等对它们进行了表征,结果表明标题化合物的还原为两步双电子可逆过程。     

烟道灰浸出液和模拟液萃取锗工艺研究

研究了烷基膦酸萃以剂P507和喹啉类萃取剂N601协萃浸出液和模拟液中的锗离子,研究了基协萃动力学特性,并对萃合物的谱图进行分析,对其结构进行了推测。     

高温及等离子体环境下液态锡与钨筛网的相容性研究

本文利用真空管式炉和四川大学直线等离子体与材料表面相互作用平台（SCU-PSI）, 探究了静态高温以及高密度氢等离子体环境下液态锡（Sn）对钨基多孔筛网结构（CPS）的润湿及腐蚀行为. 实验结果发现,在静态高温环境下液态Sn润湿钨筛网（4层150目）的阈值温度为950 ℃,且随着实验温度升高,润湿效果越好. 当实验温度达到1050 ℃时,在钨筛网表面观察到大量SnO2棒状结构. 这种棒状结构可能是由于管式炉中存在少量的氧气,在高温作用下Sn和氧气发生反应生成SnO2纳米晶. 当液态Sn-CPS结构进一步被离子通量为7.71×1022 m-2*s-1和热负荷为54.55 kW*m-2 的氢等离子体辐照时,钨筛网出现大面积断裂,形成丝状结构;而在没有液态Sn润湿的情况下,钨筛网表面没有出现类似损伤. 这可能是在高密度氢等离子体辐照作用下,氢等离子体与SnO2的协同作用加剧了钨筛网的损伤,造成了钨丝硬化断裂. 本文的实验结果为未来液态Sn-CPS在聚变装置中的实际应用提供了一定的参考.     

两段式液态排渣气化炉的研制

首先在分析两段式气化炉和液态排渣气化炉优缺点的基础上提出了两段式液态排渣气化炉的设计理念,并给出了该气化炉的炉体结构图;其次,根据结构设计图和相关标准对气化炉的内外筒体不同材质的筒壁厚度进行了计算、分析和对比,选定了筒体的制造材料,同时,根据该气化炉下部燃烧室区域的内壁外表面堆焊层材料的特性要求,分析对比了3种不同堆焊材料的性质,确定了堆焊层的材料;最后,按照相应的制造工艺对该气化炉的炉体进行了制造,并进行了成品检验,其检验结果表明该气化炉研发与制造是成功的.     

液态物理学绪论

本书是一部介绍液态物理学的重要著作。首先定性地介绍了液体的性质，然后详细地论述了液体的热力学性质、液体的结构等多种情况，接着进一步论述了一些复杂的液体，如各向异性的液晶和聚合物，以及技术上重要的问题等。     

Al—Ge共蒸膜晶化现象的TEM研究

本文对三种不同Al原子百分比的Al—Ge共蒸膜进行了透射电镜观察研究,实验表明:a—Ge的晶化行为敏感地依赖于共蒸膜中Al原子百分比及退火温度,分形结构的出现是由于温度场控制的随机逐次成核机制作用的结果。