GaP1-χNχ混晶（χ-0．24％～3．1％）发光复合机制的研究

利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-χNχ混晶的发光复合机制．GaP1-χNχ混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征，表现出明显的带隙降低的趋势．测量结果显示，在组分χ≥0．24％的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态，在低组分的混晶中，只存在一种激活能，仍然保持有束缚激子的特征；而在高组分样品(χ≥0．81％)中存在两种激活能．高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征．另一方面也表现出新的发光机制．     

光子晶体新型材料的研究

本文介绍了光子晶体的基本概念,分析了光子晶体的结构特征,给出了几种理论分析方法和制备方法,并对这种材料的应用和前景进行了展望。     

自适应卡尔曼滤波器渐消因子选取方法研究

分析了通过改变噪声和初始条件抑制Kalman滤波发散的方法,指出了造成Kalman滤波发散的原因和控制Kalman滤波发散的机理。推导了衰减记忆滤波方程并研究了衰减记忆滤波噪声阵和滤波初值的选取条件,分析了衰减记忆滤波条件下量测噪声阵遗忘因子权重变化的物理意义。给出了衰减记忆滤波不发散的自适应遗忘因子的新算法,仿真结果证明了所述方法的有效性。     

新型夹层电磁带隙微带天线

研究了一种新型夹层电磁带隙(EBG)结构在微带天线中的应用.文中分析了电磁带隙结构的特性,给出了天线的设计与仿真结果及实验结果.实测表明,利用这种电磁带隙结构在低介电常数基片下可比普通矩形贴片天线的增益提高大约1.8dB,使天线增益达到9.6dB.仿真和实验结果均验证了这种结构对提高微带天线增益的有效性.     

改进数学形态方法及其在电能质量监测中的应用

在分析传统形态滤波方法缺陷的基础上，提出一种改进的数学形态方法来处理电能质量监测中采集数据的噪声问题．通过选取合适的结构元素，并利用不同的结构元素及其自适应的加权组合方式，设计了性能优异的电能质量扰动信号的处理方法，该方法能在保证信号局部特征的前提下对信号进行有效的去噪．文中介绍了算法的设计要点和步骤，并从仿真计算和实验设计两方面来分析所提方法的性能和效率．结果表明，该方法设计简单、计算速度快、易于硬件实现，是一种切实可行的方法。     

低缺陷β-Ga_2O_3单晶材料生长技术研究

β-Ga_2O_3是一种光电性能优异的宽带隙氧化物半导体材料,基于此,介绍β-Ga_2O_3的特性及应用潜力,阐述大尺寸β-Ga_2O_3单晶生长面临的难点,并结合国内外β-Ga_2O_3单晶生长技术进展,分析低缺陷β-Ga_2O_3单晶材料生长方法。     

消弧线圈分散补偿研究

分散补偿消弧线圈控制系统由主站消弧线圈控制器和多个开闭所消弧线圈控制器等共同组成。主站消弧线圈控制器与多个开闭所消弧线圈控制器通过通讯模块实现一对多的数据通讯。主站消弧线圈控制器通过智能软件,统一控制主站消弧线圈和多个开闭所消弧线圈的档位调节、电流补偿程度。     

PT谐振的分析与抑制措施

对湘钢动力厂35 kV系统的PT爆炸事故进行了分析,指出事故的原因是系统单相接地导致PT饱和并引起谐振,分析发生谐振现象的多种原因,阐述了常用消谐方法及其优缺点。     

浅谈消控室的设置误区与对策

当前建筑消控室布置存在设计、管理及应用方面的问题误区，对发挥消控室在火灾时的应急指挥作用带来弊端，通过归纳、分析，提出合理化的修改意见、优化措施。