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71.
72.
浅谈学生责任感的培养 总被引:2,自引:0,他引:2
责任感(责任心)就是个体对完成自己分内事的自觉和负责态度以及产生的情感体验。当今学生责任心缺失的现象让我们认识到培养学生责任心的紧迫性和重要性。提出了学生责任感培养的几项具体措施。 相似文献
73.
Ni2MnGa铁磁形状记忆材料 总被引:1,自引:0,他引:1
铁磁形状记忆合金 (FSMA)是在一定温度范围马氏体相稳定同时又具铁磁性的一类特殊的形状记忆合金。Ni2MnGa铁磁形状记忆合金近年来成为呈现磁场驱动大应变的新型驱动材料 ,这些应变来自磁场诱发马氏体孪晶的重排 ,而不是磁场对奥氏体至马氏体相变的作用。孪晶变体的重排在宏观上呈现为正或切应变 ,一非化学计量比Ni2 MnGa单晶于室温加 0 .4T磁场能产生6 %的应变 ,Ni Mn Ga单晶在高至 15 0Hz的交变磁场仍可得到 2 .5 %的应变。本文阐述了与这种磁控形状记忆效应相关的孪晶界迁动的磁学和晶体学理论。马氏体相的大磁晶各向异性能使磁化沿c轴方向有利 ,穿过孪晶界c轴刚好转动 90度 ,同时 ,这个孪晶界也构成了约 90度的畴界。在各向异性的情况下 ,孪晶界的迁动仅有相邻孪晶变体的Zeeman能差驱动 ,μ0 ΔMis·Hi。磁场和外应力对应变的影响通过对一简单的自由能表达式取极小值来表示 ,自由能表达式包括Zeeman能、磁晶各向异性能和外应力以及在某些情况下需考虑的内部弹性能 ,模型的所有参数可通过应力 应变曲线和磁化曲线测量得到。铁磁形状记忆合金的磁场诱发应变可类比传统热弹性形状记忆效应 ,与更为人们所熟知的磁致伸缩现象不同。 相似文献
74.
李建军 《科技导报(北京)》2003,(4):23-25
一、对“李约瑟问题”的反思上个世纪 ,著名的科学家李约瑟曾经提出一个问题 :在公元前1世纪到公元14世纪的漫长岁月中 ,中国科学和技术曾处于世界领先地位 ,并对整个人类文明做出了许多原创性的贡献。但在近三四百年中 ,中国社会为什么没有能够孕育出近代科学和技术?是什么原因导致近代中国科学和技术落后于西方的?这就是所谓的“李约瑟问题”。围绕“李约瑟问题” ,中外学者不但从不同的角度探讨了中国科学和技术本身所存在的缺陷 ,而且更多地讨论了中国社会和文化在政治、经济、文化等方面存在的种种不足和局限。这些讨论对于中国科… 相似文献
75.
76.
魏琪 《海南大学学报(自然科学版)》2003,21(2):113-116
湍流是极为普遍的流动现象,湍流统计模式是目前预测复杂湍流的唯一工具.本文讨论了Navier Stokes方程与湍流的关系,分析了湍流统计模式的局限性,认为一个好的湍流统计模式应当包含尽可能多的湍流脉动结构信息. 相似文献
77.
180℃热液条件下锆石表面溶解行为研究 总被引:4,自引:0,他引:4
报道了锆石颗粒在180℃,HCl或NaCl溶液中经过240~712 h反应后表面特征的变化.扫描探针显微镜(SPM)对比观测表明,反应前后锆石表面微形貌发生了显著变化,反应后锆石表面平台和台阶普遍存在溶蚀现象,而在NaCl(1 mol/L)溶液中反应712 h的锆石表面出现了nm级、串珠状定向排列、可能是ZrO2的沉淀物.X射线光电子能谱(XPS)测定发现,锆石溶解过程中元素Si比元素Zr有更快的溶出速率,因而反应后锆石表面可以形成富锆的薄层.锆石表面溶解现象还得到了反应溶液ICP-MS分析结果的进一步支持,测定反应后溶液成分的变化发现,随着反应时间的增加,Zr,Hf,U等元素的溶出量也随之增加,HCl溶液中锆石各元素的溶出量最高,均比NaCl中性溶液中的溶出量要高. 相似文献
78.
79.
偶联表面活性剂与传统表面活性剂混合溶液的双水相 总被引:2,自引:2,他引:2
研究了偶联表面活性剂(Geminis,l2—3—l2,2Br)和传统表面活性剂(SDS)混合体系双水相的性质。结果表明:该系统在很低的总浓度下(0.03mol/L)能够形成双水相。双水相约区域非常狭窄,且分相溶液中正负离子表面活性剂的比值随着表面活性剂总浓度的变化而线性改变。双水相的表观现象也因表面活性剂总浓度的不同而异。采用冷冻蚀刻技术、负染色技术及透射电子显微镜观察得到的结果表明,双水相中两相的微观结构明显不同,胶团和囊泡可以共存。偏光显微照片显示该系统有独特的液晶结构。 相似文献
80.
氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
常天海 《华南理工大学学报(自然科学版)》2003,31(9):40-43
研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5~106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150~200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重. 相似文献