DD402/FGH95扩散偶中单晶合金γ′相筏形化与其形成元素的扩散

通过研究不同温度时热等静压(HIP)多元扩散偶DD402/FGH95中的Al,Ta和Ti元素的扩散规律，发现DD402单晶中存在Al和Ta元素的上坡扩散．因此单晶中在近结合界面处形成了Al ,Ta和Ti元素的富集区以及γ′相的筏形化．对Al和Ta元素的扩散流量及扩散深度进行计算．计算结果与试验结果相吻合．     

多相氧化还原法制备超微粉末的理论分析

在阐述锈蚀法制备四氧化三锰的基础上，提出了合成超微粉末的多相氧化还原法这一新方法，并从热力学、动力学两个方面对多相氧化还原法进行理论上的分析。     

电致发光的应急标志灯电源

介绍了一种按照我国新标准要求而研制的应急灯电源，分析了它的设计特点及电路工作原理。     

粉末触媒在六面顶压机上合成优质金刚石研究

制备了ＮｉＭｎ急冷粉末触媒，对其组织结构进行了分析．以该粉末触媒为原料，采用二步升压工艺，在国产六面顶压机上实现了优质金刚石的高温高压合成，其合成单产为１４２ｇ，峰值粒度在２５０～３００μｍ之间．该结果对增加六面顶压机用触媒材料形态的认识具有一定的促进意义．     

硅基钠米材料发光特性的研究进展

近年，硅基低维材料物理与工艺的研究预示，硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向，而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格、量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术的日益发展，硅基发光材料正向纳米方向开拓。本文将主要介绍硅基纳米材料，如采用各种成膜技术在不同衬底表面上制备的高质量纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）膜，镶嵌在各种介质，如　－Ｓｉ：Ｈ、ＳｉＯ２或ＳｉＮｘ中的纳米晶硅，以及利用自组织生长的Ｇｅ、Ｓｉ以及ＧｅＳｉ纳米量子点的光致发光特性及其最近研究进展。     

大中型水泵空蚀与泥沙磨损预防及修复技术

比较了焊补修复、非金属材料涂敷、不锈钢板镶嵌、合金粉末喷焊等几种修复大中型水泵空蚀侵蚀方法的优缺点，重点介绍了氧乙炔合金粉末喷焊的特点及应用中应注意的问题。     

镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究

采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜．测量显示，随着正向偏压的增加，来自Au／含纳米碳粒氧化硅膜／p-Si结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动．     

降低交流薄膜电致发光器件驱动电压的实验

本文通过对Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２材料的选择和镀制，得到了驱动电压为７０Ｖ的交流薄膜电致发光屏，给出了具体的工艺参数，并讨论了影响其性能的因素．     

北京交通大学光电子技术研究所

北京交通大学光电子技术研究所是根据学校“211工程”建设计划，为加强理工科基础，提高学校教学和科学研究的总体水平，于1997年成立的研究机构。现有实验室总面积960m^2，已建设成4个实验平台、8个实验室，大部分实验室具有国际先进水平，总投资达1600余万元。目前可深入进行无机和有机电致发光材料、稀土功能材料、纳米材料；光存储、低维半导体物理、