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11.
水中大体积放电产生方法的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
研究了一种脉冲电压下采用涂覆介质的球一环电极结构在水中产生多通道、辐射状、大体积流注放电的新方法.与以前方法相比,该方法能在较低电压幅值下在水中产生大体积放电.采用光学和电学手段,对流注放电通道的长度、数量、脉冲电压参数(如电压幅值和脉冲宽度)对放电的影响进行了研究.对电极介质涂覆条件下流注的产生与发展做出了理论解释.研究结果表明,水中放电的最大流注长度和通道起始点数均随脉冲电压幅值和脉冲宽度增加而增加.介质涂覆中局部电场的增强和微小缺陷的局部放电在水中形成气泡是水中流注放电起始的根本原因.  相似文献   
12.
根据等离子体的流体方程提出了脉冲电晕放电中流注形成和传播的数学模型,导出了流注空间电荷电场的普遍积分表达式.用Flux-CorrectedTransport(FCT)算法,就实验中所用的超窄脉冲电压波形对该模型进行了数值求解,得到了带电粒子密度、电场和电子温度等参量沿流注发展轴线上的时空分布  相似文献   
13.
本征砷化镓光导开关中的流注模型   总被引:3,自引:1,他引:2  
刘鸿  阮成礼 《科学通报》2008,53(18):2181-2185
应用耿效应电子学结合气体放电理论系统研究了高增益砷化镓(GaAs)光导开关(PCSS)的工作机理, 提出了以畴电子崩为基础的流注模型, 阐述了畴电子崩概念及其物理意义和高增益GaAs光导开关中载流子的输运过程, 阐明了光导开关中光致电离的效应和畴电子崩可能导致集体碰撞电离在局域引发雪崩现象, 分析了流注形成的临界条件, 导出了流注维持发展的临界条件解析表达式, 揭示了与非线性模式(lock-on效应)密切联系的流注的形成和发展的一般规律. 应用这个模型合理解释了高增益GaAs光导开关的实验结果、非线性现象中流注快速发展和电流的上升时间很快的物理原因, 以及非线性模式的发展过程中的各种现象.  相似文献   
14.
 研究了不同电压下的窄脉冲荷电,利用密立根油滴仪测量了有无导流柱情况下的液滴荷电量.研究表明,无导流柱的情况下,窄脉冲放电电压低于火花放电电压时,随着电压的增加,气溶胶颗粒的荷电电量也随之增加,当电压达到火花放电电压时,窄脉冲放电的荷电量最大,但当所应用电压大于火花放电电压时,荷电量反而下降.应用导流柱时,可以避免流注放电中等离子区内的电中和,所以应用的电压大于火花放电时,应用导流柱的情况下,气溶胶颗粒的荷电量大于无导流柱时的电压,但当电压低于火花放电电压时,导流柱的应用则不利于气溶胶颗粒荷电.同时也研究了导流柱直径对荷电量的影响,指出导流的直径为2cm时最有利于窄脉冲荷电.研究为以后窄脉冲荷电的应用提供了依据.  相似文献   
15.
分析了高增益砷化镓光导开关中流注一端波长890 nm自发辐射的光致电离效应,导出了砷化镓光导开关中流注顶部波长890 nm自发辐射在吸收区域产生的载流子密度分布规律.计算结果表明,紧邻流注顶部处的光生载流子密度最大,波长890 nm自发辐射产生的最大载流子密度比流注内平均载流子密度至少小3个数量级.  相似文献   
16.
讨论了在正极性雷云作用下避雷针流注形成过程,对从电子崩出现到流注形成的整个初始放电过程进行了分析。使用含电子、正离子、负离子的连续方程对雷电下气体的放电过程建模,通过耦合泊松方程求解空问电荷对电场的畸变影响。采用变量耦合计算得到了整个过程中电子浓度、正离子浓度、电子热能的空间分布,分析了电子浓度、正离子共同作用下对电场的影响。通过分析还得出在电子浓度高的区域电子热能并不高,两种的分布趋势并不完全一致。  相似文献   
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