穿龙薯蓣高产栽培技术研究

主要通过穿龙薯蓣(Dioscoreanipponica)的栽植密度试验及栽植深度试验,用方差分析及多重比较的方法来寻找穿龙薯蓣高产栽培技术。经过试验分析,最佳栽植密度为20cm×50cm,最适栽植深度为5cm～10cm。     

硅甲基亚胺与水亲核加成反应机理的理论研究

采用量子化学从头算和密度泛函方法在HF/6-31G**及B3LYP/6-31G**水平上对硅甲基亚胺与水间的亲核加成反应机理进行了理论研究.利用能量梯度法对反应途径上各驻点的几何构型进行了优化,对过渡态进行了振动分析确认.结果表明:该反应为一由两步基元过程所构成的复杂反应,两反应物首先经过一无势垒过程形成中间体复合物,该复合物经过四元环过渡态形成产物,第二步过程的活化势垒为1.67kJ·mol-1(B3LYP/6-31G**).总反应为强放热过程.     

激光相干控制光电流的密度矩阵表述

用以密度矩阵微扰论为理论基础的Feynman图形技术分析了相干控制光电流和光学整流的物理实质, 说明它们分别来源于密度矩阵对角元和非对角元对应的“实”和“虚”跃迁; 从极化的角度来讲, 两者又分别对应于带内极化和带间极化. 从时域和频域两个角度分别阐明了相干控制光电流在超短激光脉冲激发下的时间演化情况以及对频率的依赖关系, 并且由光生载流子在动量空间的分布进一步说明带内极化是相干控制光电流产生的原因.     

荷电对单壁碳纳米管稳定性的影响

采用基于密度泛函理论的DMol3程序对荷电的短开口单壁碳纳米管进行了结构优化计算. 结果表明, 体系的总能量随荷电量按抛物线规律变化, 体系的最高占据分子轨道能量随荷电量按线性规律变化, 碳管荷一定量负电荷时总能量最低, 碳管具有正的电子亲合势, 荷一定量负电荷的单壁碳纳米管比电中性的单壁碳纳米管结构更稳定. 荷电量较小时, 单壁碳纳米管的原子结构随荷电量的变化很小, 忽略碳管原子结构的变化仍能得到体系的总能量和最高占据分子轨道能量随荷电量变化的正确定性结果. 荷电量较大时, 开口单壁碳纳米管的端口原子结构首先受到影响, 形成喇叭口形状. 随着荷电量的增加, 碳管端口的原子结构将变得不稳定, 最终导致碳管原子结构的破坏.     

W51云核的CH3CN, CH3OH, HCOOCH3和13CS的柱密度和丰度

用美国Berkeley-Illinois-Maryland Association毫米波射电干涉阵在2.7 mm和3.3 mm波段对W51云核进行了观测, 给出了CH₃CN (J=6-5, K=0,1,2,3,4), CH₃OH (15_-2-15₁ E), HCOOCH₃-A (7_1,6-6_1,5), HCOOCH₃-E (7_1,6-6_1,5)和¹³CS (2-1)及2.7 mm (110 GHz)连续谱的成图观测结果. 根据观测谱线的强度, 计算了W51云核的不同区域的CH₃CN, CH₃OH, HCOOCH₃和¹³CS的总柱密度和丰度.     

蚂蚁算法建立度限制树在聚类中的应用

针对聚类算法解决大规模数据时间复杂度和空间复杂度都很大的问题，给出了应用蚂蚁算法建立度限制树．同时结合密度思想来解决这一问题的算法．经过数据的测试和验证，得到了较好的结果和一系列有意义的结论．     

球对称动态黑洞的广义Stefan-Boltzmann定律

选取超前爱丁顿坐标，采用统计的方法，计算出动态黑洞的瞬时辐出度．结果表明，动态黑洞的瞬时辐出度不仅与假定黑洞处于热力学平衡时的辐出度有关，还与黑洞的事件视界速度、事件视界温度、事件视界附近的熵密度及黑洞的吸收和辐射系数有关．对于球对称动态黑洞，任一时刻黑洞的瞬时辐出度总是正比于黑洞事件视界温度的四次方．     

动态黑洞视界面附近的熵密度

利用带有电荷与磁荷的直线加速动态黑洞的熵密度，得到了任一时刻黑洞视界面附近沿某一方位角的熵密度总是正比于该处视界温度的三次方的结论．发现直线加速动态黑洞视界面附近的熵密度不仅与时间有关，而且与方位角有关．     

基于综合赋权的风险型多属性决策方法

讨论了属性值是有限区间上的连续型随机变量的风险型多属性决策问题。首先,通过密度函数的变换,研究了风险决策矩阵的规范化问题。基于主客观赋权的思想,建立了一个确定综合权重的模型,并给出了求解此类问题的一种方法。最后,以属性值为区间数的多属性决策问题作为特殊情况,给出了实例。     

脉冲导函数对UWB信号功率谱的影响分析

根据美国联邦电信委员会（FCC）对超宽带（UWB）信号功率谱分布的规定，论述了作为UWB通信信息载体的脉冲波形对UWB信号功率谱分布的重要性，推导出在脉冲位置调制（PPM）方式下，高斯脉冲及其导函数与UWB信号功率谱中心频率之间的关系．