甘氨酸的荷移分光光度法测定

文章用分光光度法研究了甘氨酸与四氯苯醌 ( TCBQ)的荷移反应 ,确定在 p H=9.0的硼砂缓冲溶液中 ,于 5 0℃水浴中恒温 60 min,可获得 1∶ 1的络合物 ,其λmax=35 0 nm,表观摩尔吸光系数 ε=1 .98× 1 0 4 L· mo L- 1· cm- 1线性范围为 0～ 2 .7× 1 0 - 5mo L/L.应用拟定的方法测定了甘氨酸制剂的含量 ,结果与文献方法一致 ,回收率为 95 .0 %～ 1 0 4 .2 %相对标准偏差为 0 .79% .     

CdS薄膜制备方法及其性能比较研究

用三种方法（化学水浴法、真空蒸发法和磁控溅射法）在玻璃衬底上制备了CdS薄膜.用测厚仪、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和光学透过率谱等手段测试了各薄膜的厚度、晶面取向、表面形貌、晶粒分布、透过率等,计算了各薄膜的光能隙.结果显示,磁控溅射法适于制备ZnS/CdS超晶格薄膜中的CdS.     

提高钢丝抗拉强度稳定性的措施

抗拉强度是钢丝非常关键的一项性能指标,其是否合格关系到钢丝能否满足特定的使用要求。在批量化的现代大生产中,一条生产线能同时生产50根左右的钢丝,能否确保这几十条钢丝的强度稳定在一个确定的范围内,是一个非常值得探讨研究的课题。结合实际生产,从钢丝原材料控制、明火炉加热、水浴冷却等几个方面展开论述,探究影响钢丝强度性能稳定性的因素,提出提高钢丝强度稳定性的方法。     

高精度智能温度控制仪微控制电路设计

本文介绍了一种水浴器精密温控制仪的设计方法。并对该控制仪的微处理器控制电路的电路原理,结构特点及软件设计方法进行了研究。     

化学水浴法合成CdS粉末的黄光发射特性

利用化学水浴法,在80℃合成了CdS．在氩气氛下,500℃下退火1h,得到六方相的CdS．对吸收光谱的分析,得到六方相CdS的平均吸收边为～510nm;Raman测试中发现3个较强的峰,分别是CdS的1LO,2LO和3LO峰;光致发光谱表现出较强的黄光发射,2个较强的峰分别起源于CdS的带隙发射和表面态发射．这种CdS粉末可以被用作黄光LED的光转换层．     

热水俗预处理对马蹄莲初代培养过程中污染的控制

以生年生长于潮湿土壤中易污染的马莲块茎上的小球为试材,对其进行不同温度的水浴预处理,在初代培养中采取紧封口和松封口对其进行培养,结果表明：不同温度的水浴处理都可不同程度地降低材料的污染,以48℃的温度处理效果最好,污染率控制到了较低水平,且对材料没有副作用,初代培养中对材料进行紧封口和松封口,发现材料的生长状况没有什么差别。     

家兔自体血凝块制备肺栓塞模型的探讨

目的　用家兔自体血凝块建立稳定、持久、客观的肺栓塞模型。方法　通过股静脉穿刺插管术 ,注入不同温度 (37、45、6 5、70℃ )水浴的自体血凝块 ,建立急性肺栓塞模型 ,定期 (栓塞后 1、5、10、14d)解剖肺动脉 ,观察其有否栓塞以及光镜下血管改变 ,探讨制备成功、稳定、持久的肺栓塞模型方法。结果　 70℃水浴 10min的自体血凝块制备肺栓塞模型 ,1～ 14d均未见血块完全溶解 ,模型客观、持久、稳定。     

基于改进集中热容法的Mg-Gd-Y-Zr-Ag变形镁合金表面换热系数求解方法

表面换热系数作为淬火数值模拟过程的重要边界条件,其求解精度直接影响温度场、热应力场的演变规律。实验通过设计矩形淬火探头并进行单面水浴淬火,根据热电偶记录的温降数据,采用改进的集中热容法对Mg-Gd-Y-Zr-Ag变形镁合金进行表面换热系数的求解。研究结果表明：表面换热系数呈现先增大后减小的趋势且水浴淬火过程存在蒸汽膜沸腾阶段、二次形核阶段以及对流换热阶段3个阶段,在第27秒时表面换热系数达到峰值2 496.31 W/(m2·℃),此时淬火面温度为211℃。用此方法计算得到的随温度变化的换热系数以列表的形式代入Abaqus有限元模型的相互作用模块,同一深度处仿真温度与实测温度最大相对误差为15%,平均相对误差仅为6%;采用K-S双样本分布检验对仿真与实验的温度曲线进行分布检验,在合适的显著性水平下4个样本的统计量均不在拒绝域内,验证了改进的集中热容法用来求解水浴淬火过程中表面换热系数的正确性。     

废铅膏湿法浸出强化结晶的影响规律研究

针对乙酸-柠檬酸钠工艺浸出制备的柠檬酸铅前驱体颗粒较小和形貌不均一的问题,以废铅酸电池主要成分废铅膏为原料,浸出制备的浆料通过水浴条件进行结晶强化处理,并采用分析纯试剂模拟废铅膏的主要化学成分进行对比研究.模拟铅膏与废铅膏浸出后在水浴结晶强化处理下得到的柠檬酸铅结晶产物形貌和过滤性能规律基本相同.相比于模拟铅膏,废铅膏水浴结晶强化处理后制备的重结晶产物形貌也更为均一,粒径介于100~200μm,过滤性能得到提高,表明水浴结晶强化过程更有利于废铅膏湿法浸出结晶.     

基于ZnO/SiNWs异质结阵列的电容式湿度传感器

采用湿法化学刻蚀方法制备硅纳米线（SiNWs）,对其进行快速热退火处理,利用水浴法在SiNWs表面生长氧化锌（ZnO）纳米线,制备了ZnO/SiNWs异质结湿度传感器.采用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）分析了ZnO/SiNWs异质结的表面形貌和结构.测试了ZnO/SiNWs异质结湿度传感器不同湿度环境的电容响应,分析了它的工作机制.测试结果表明：传感器具有相对较大的灵敏度,较短的响应时间,较好的重复性、湿滞特性和稳定性,从而说明ZnO/SiNWs异质结在湿敏领域有很好的应用前景.