三氮唑羧酸酯类席夫碱的合成及生物活性

从５－氨基－１Ｈ－１，２，４－三氮唑－３－羧酸出发，合成了７种５－氨基－１Ｈ－１，２，４－三氮唑－３－羧酸甲酯类席夫碱，对其产率，物理性持作了首次报道，采用ＵＶ，ＩＲ，＾１ＨＮＭＲ和元素分析等对化合物结构进行了初步表征，实验室生物活性测试表明此类化合物具有较好的生物活性。     

花生蛋白质变性规律初探

通过测定不同条件下花生蛋白质的水溶性氮指数,揭示了花生蛋白质的变性规律。     

N,N’—二羧甲基,N,N’—二(2,2,6,6—四甲基—1—氧基哌啶—4—氧酰甲基)乙二胺的合成

本文报道了以丙酮和EDTA为原料合成N,N'—二羧甲基,N,N'—二(2,2,6,6—四甲基—1—氧基哌啶—4—氧酰甲基)乙二胺的方法。该方法具有产率高、操作简便、易于提纯等优点。     

Y_(5132C)插齿机刀轴的裂纹分析与控制

插齿机刀轴常出现裂纹。本文探讨出现裂纹的原因,认为是热处理淬火后压力校直时压下力过大所致。在刀轴 C—N 共渗时将立装改为吊装,并控制校直压力后,未再出现裂纹。     

Ti注入硅合成硅化物层精细结构分析

Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构，表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化钛多晶薄层，在该层中晶格无程度达到４０％～５０％，中间层厚度约为２００ｎｍ的高密度的晶格损伤区，晶格损伤率在硅与硅钛界面处最高，其值可达到７７％，并且随深度的增加而下降；第３层则是低密度晶格损伤层，束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。     

离子注入形成表层耐蚀合金的结构分析

本文介绍利用美国伯克利Ｌａｗｒｅｎｃｅ实验室的Ｍｅｖｖａ金属离子注入机在退火后的纯铁表面进行多种元素离子注入．利用透射电子显微镜对表层合金及次表层中的第二相作了电子衍射结构分析，并研究了离子注入所形成的表层耐蚀合金的组织、结构及其腐蚀性能。结果表明：纯铁表面注入能量为３８～５５ｋｅＶ，剂量为（０．５～６）×１０１６／ｍ２的Ｃｒ＋，Ｎｉ＋，Ｔｉ＋多种元素的离子，能在表层形成非晶＋微晶型的耐蚀合金，次表层中形成Ｔｉ２Ｎｉ合金第二相，并有大量位错。     

碱性介质中钯离子注铁电极上硝基苯的电化学行为

本文研究了Ｆｅ及Ｐｄ／Ｆｅ电极在０．１ｍｏｌ／ＬＮａＯＨ溶液中的阴极极化行为，通过循环伏安法研究了硝基苯（ＮＢ）在Ｆｅ及Ｐｄ／Ｆｅ电极上的电化学行为，ＮＢ在注钯剂量较大的Ｐｄ／Ｆｅ电极上还原效果较好，最后提出了碱性溶液中ＮＢ在Ｐｄ／Ｆｅ电极上电还原的机理．     

40Cr钢离子注入后表面形态变化初探

本文对40Cr钢详细测量、分析了其二维和三维的表面粗糙度,随注入能量和剂量不同各评定参数的变化趋势也不同.离子注入使粗糙度高度参数值普遍下降,间距参数值有时增大,有时减小,通过溅射作用有时使糙峰数减少,有时又产生新峰;形状参数上峰态也发生变化.对不同参数的注入表面尚进行了自相关函数和功率谱函数分析.     

离子注入聚合物介质损耗机理的研究

本文进一步讨论离子注入聚合物具有巨大的介质松弛损耗的形成机理和理论公式.作者首先评论了离子注入聚合物可能形成的损耗机理,在否定现有损耗模型的基础上,根椐霍尔效应对导电载流子的鉴别、介质损耗松弛时间温度关系与电导温度关系的一致性,以及隧道效应作用下,电子运劝具有一定速度的概念.推断介质损耗的形成在于隧道效应作用下,导电粒子之间电子的迁移.按照电子迁移形成极化性概念,考虑到电场作用下电子隧道穿透率的差异,建立极化强度的静态和动态方程,导出离子注入聚合物介质松弛损耗的公式。理论分析得到了实验结果的验证.