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81.
双原子分子离子XY+势能函数的变分 总被引:3,自引:0,他引:3
基于能量变分的思想建议了获得双原子分子离子XY+势能精确数据的新解析势能函数. 该新势函数中的离子Coulomb作用势包含了各级高阶修正, 收敛迅速且变分可调. 用这种新的解析势函数和能量自洽法(ECM), 对部分双原子分子离子XY+的8个电子状态——CO+的A2Π态, Li+2的X2Σ+g态, He+2的X2Σ+g态, Na+2的12Πu态, N+2的A2Πu态, KrH+的X1Σ+态, SiO+的X2Σ+态和SO+的A2Π态的势能进行了研究, 并与常用的Huxley-Murrell-Sorbie (HMS)势、基于实验的Rydberg-Klein-Rees (RKR)数据和量子力学从头计算的结果进行了比较. 结果表明, 离子XY+的新的解析势函数明显优于HMS解析势能, 与RKR数据符合得很好. 而且在离子的渐近区和离解区域, 新的解析变分势能也往往比量子力学从头计算的结果更可靠. 相似文献
82.
基于二元合金沉淀动力学相场方程的微观离散格点形式建立三元体系模型,在倒易空间中求解方程.用此模型对实际三元Ni75Al10V15合金的早期沉淀过程进行了模拟,计算γ′有序相的成分序参数和长程序参数.结果表明:Ni75Al10V15合金中γ′相的沉淀机制为非经典形核长大,先形成非化学计量比有序相,然后才形成化学计量比有序相,其中非化学计量比有序相并非热力学意义上的亚稳相;DO22结构的非化学计量比θ有序相在γ′相界处形成,其成分和有序化程度较低,且距离相界越远,有序程度越低,θ有序畴存在两种类型:水平分布和垂直分布,和它所依附的γ′相界面取向有关;该模型无须预先设定新相结构和沉淀类型,可在原子水平模拟三元体系的两个有序相析出、成分簇聚等过程. 相似文献
83.
运用电化学循环伏安(CV)和电化学原位石英晶体微天平(EQCM)研究了Pt电极表面不可逆吸附S原子的电化学特性以及Pt电极上S吸附原子对0.1mol^-1H2SO4溶液中甲酸电催化氧化性能的影响.研究发现,当扫描电位的上限Eu≤O.70V(SCE)时,Sad可以稳定地吸附在Pt电极表面;通过控制电位扫描上限和扫描圈数剥离部份S可方便地得到Sad的不同覆盖度;Pt电极表面S吸附原子的氧化会消耗表面氧物种,抑制了甲酸的电氧化.本文从表面质量变化提供了吸附原了电催化作用的新数据。 相似文献
84.
合成了二氯二(对溴苯胺)合锌(Ⅱ)配合物ZnCl2(p BrC6H4NH2)2,并测定了该配合物分子的晶体结构.该晶体属单斜晶系,空间群为C2 c,晶胞参数:a=3.1802(6)nm,b=0.46893(9)nm,c=1.1803(2)nm,β=110.83(3)°,V=1.6451(6)nm3,Z=4,Dc=1.939g·cm-3.对于1348(I≥2σ(I))个可观察点,最终偏差因子R=0.0565,wR=0.1538.两个对溴苯胺的2个胺基N原子和2个Cl-与Zn(Ⅱ)离子配位,形成畸变四面体Cl2N2Zn配位构型. 相似文献
85.
用SG921—1型双光束测汞仪测定了头发中痕量汞.结果表明两组发样的回收率分别为101.7%和99.1%,该方法具有灵敏度高、精密准确、操作简便易行等优点. 相似文献
86.
南蛇藤中9种金属元素含量的测定 总被引:6,自引:0,他引:6
采用原子吸收分光光度法,测定了南蛇藤中9种金属元素的含量.结果显示:南蛇藤中含有较丰富的钙镁、锰和铁等金属元素,其含量分别为6.720mg/g、2.410mg/g、0.5180mg/g和0.2281mg/g. 相似文献
87.
在pH值5.0的HAc—NaAc缓冲介质中,银离子与过量的碘离子生成的配阴离子可与溴化十六烷基三甲铵CTMAB反应,生成的离子缔合物可被三氯甲烷所萃取.据此,可利用火焰原子吸收分光光度计测定有机相中的银含量,从而可间接测定CTMAB的含量.本方法的线性范围为8.0—110μg/ml,对于合成样品分析结果表明,回收率在93.8—104%之间. 相似文献
88.
根据 Bethe理论 ,高能快电子碰撞截面可以分解为电子碰撞前后动力学散射因子和靶的电子碰撞激发跃迁的几率或广义振子强度 ( GOS) .作为动量转移函数的 GOS测量可以提供独特的电子跃迁和电子散射过程的信息 ,用于精确的波函数质量评估 ,以及开发新的量子计算方法等 . Lassettre及其合作者首先采用角分辨的电子能量损失谱技术用于精确的偶极振子强度测量 ,角分辨的电子能量损失谱方法优于光吸收谱方法之处在于前者可以在很宽的能量范围内获得精确的绝对截面数据而无需进行绝对的实验测量 ,它提供了一个强有力的实验手段用于原子分子价壳… 相似文献
89.
在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后,采用低能量氩离子束轰击芯片背面,能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数。实验结果表明,晶体管低频噪声系数的下降与硅-二氧化硅界面的界面态密度的减小有关,而其高频噪声系数的下降是特征频率和电流放大系数增加的结果。 相似文献
90.
设Ω是Rn(n≥2)上的Lipschitz区域,s∈R,0
相似文献