Gallium-Catalyzed Silicon Oxide Nanowire Growth

Silicon oxide nanowires tend to assemble into various complex morphologies through a metalcatalyzed vapor-liquid-solid （VLS） growth process. This article summarizes our recent efforts in the controlled growth of silicon oxide nanowire assemblies by using molten gallium as the catalyst and silicon wafer, SiO powder, or silane （Sill4） as the silicon sources. Silicon oxide nanowire assemblies with morphologies of carrotlike, cometlike, gourdlike, spindlelike, badmintonlike, sandwichlike, etc. were obtained. Although the morphologies of the nanowire assemblies are temperatureand silicon source-dependent, they share similar structural and compositional features： all the assemblies contain a microscale spherical liquid Ga ball and a highly aligned, closely packed amorphous silicon oxide nanowire bunch. The Ga-catalyzed silicon oxide nanowire growth reveals several interesting new nanowire growth phenomena that expand our knowledge of the conventional VLS nanowire growth mechanism.     

氧化硅材料光活性缺陷中心研究进展

氧化硅材料在光通信、半导体光电子器件及照明等领域具有广泛应用,对其光学性能研究进行总结、归纳具有重要意义。氧化硅材料本征E’、2种缺氧型以及各种富氧型光活性缺陷中心在光导纤维及紫外吸收等应用中扮演了很重要的作用,某些具有良好发光性能的缺氧中心及掺杂离子或半导体纳米粒子发光中心的深入研究使氧化硅材料在照明领域具有良好的应用前景。对氧化硅材料各类光活性缺陷中心阴离子配位场的修饰将对这些光活性缺陷中心的光学性能产生显著的影响,并有可能进一步提高其发光性能。     

具有强酸性锆掺杂有序介孔硅材料的合成

通过三嵌段的共聚物做模板制备了一系列具有不同锆含量、强酸性的介孔硅材料,获得的样品通过x射线衍射分析、透射电镜分析、氮气吸附脱附、紫外可见光谱、热重分析等技术进行了表征.研究结果发现,当样品中硅和锆的物质的量比大于4时,锆物种能被完全引入到有序介孔硅结构的骨架中;然而,当样品中硅和锆的物质的量比小于4时,会出现一个由无...     

真丝纳米防皱整理中温度与浓度效应

以纳米氧化硅作马来酸酐防皱整理的催化剂，实验测定不同条件下真丝织物的防皱整理效果，优选得到最佳工艺条件为：马来酸酐浓度2g／(50mL)，烘焙温度为150℃。     

锗/氧化硅纳米多层膜的电致黄光发射研究

通过射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层薄膜.测量到了来自Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致黄光发射,并发现该纳米结构具有整流特性.     

负载硫化铅纳米颗粒介孔氧化硅薄膜的制备及其非线性光学性能

通过离子交换法成功地将硫化铅纳米颗粒引入介孔氧化硅薄膜的孔道内．并用X射线衍射、透射电子显微镜、紫外可见光谱对合成出的硫化铅纳米颗粒负载的复合介孔薄膜进行结构分析,结果表明硫化铅纳米颗粒在孔道分布均匀,平均原子含量为12％．Z扫描测试测试结果表面该复合薄膜具有较高的三阶非线性极化率．     

表面活性剂浓度对介孔氧化硅薄膜结构和性能的影响研究

报道了一种新型纳米多孔氧化硅薄膜的制备方法，并详细探讨了表面活性剂浓度对介孔氧化硅薄膜结构和性能的影响。以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂．正硅酸乙酯为硅源，盐酸为催化剂，采用溶胶-凝胶技术，通过提拉法制备了二氧化硅透明介孔薄膜。用红外光谱、小角XRD、原子力显微镜对样品进行了表征，并采用椭偏仪和阻抗分析仪测量薄膜的折射率和介电常数。该薄膜具有很低的介电常数和较好的机械强度，是一种可用于微电子工业的极富应用前景的低介电常数材料。     

溅射含纳米锗氧化硅复合薄膜的光致发光和拉曼特性

采用射频磁控溅射法制备了含纳米锗的氧化硅复合薄膜，在室温下对不同温度退火的样品测量了光致发光谱，其发光峰位均位于580nm，通过对样品所作的拉曼散射光谱的拟合，确定出了样品中纳米锗的尺寸，并发现纳米锗的平均尺寸随温度退火的升高在增大。     

氧化硅-锗系统中缺陷的形成及转换

应用光吸收和电子顺磁共振等方法,对溶胶-凝胶法制得的氧化硅一锗玻璃的异常光吸收现象进行了实验研究,分析了掺铝氧化硅一锗玻璃光敏中心及其转化过程,并对紫外光辐照条件下氧化硅一锗玻璃中顺磁中心[GeO-4/Li ]0的形成及其性质进行了探讨.结果表明,在掺铝样品中发生了从锗相关的氧缺陷中心到E'中心的光化学转换.     

混合液晶模板法合成六方介孔氧化硅分子筛

利用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)与脂肪胺(C