SiO_2/SiO界面能级位移光电子能谱的研究

我们在薄膜电致发光(TFEL)器件中使用予热层、加速层及发光层分层优化的方案,予热层除提供电子外,SiO_2/SiO界面的能级位移将决定薄膜场致发光器件中予热能否奏效.尽管半导体界面能级位移的研究已相当成熟,对于较好的研究体系,界面能级位移的研究结果误差不超过0.2～0.3eV,但像SiO_2/SiO界面能级位移的研究很少,因为SiO_2,SiO是非晶,它们的组分又比较复杂,SiO_2和SiO之间界面的偶极矩难以确定,因而利用计算方法确定这种     

酸性条件下合成介孔氧化硅的孔结构及其调湿性能

以十六烷基三甲基溴化铵作模板剂，采用酸性常温法制备介孔氧化硅材料SH，通过添加TMB扩孔剂对其进行改性得到SH＋TMB，分别测试其吸湿、放湿性能，并采用小角度XRD、TEM、B．E．T．等测试手段研究其孔结构、比表面积和孔径分布等，分析微观形貌与其调湿性能之间的关系。结果表明：酸性条件下合成的介孔氧化硅SH有着很好的吸湿放湿性能，并且添加TMB后其湿度调节能力增大。     

硅藻质氧化硅的稳定性及其地球化学意义

硅藻质氧化硅的稳定性实验研究表明,由于共存粘土矿物对碱性的缓冲作用,使硅藻质氧化硅开始大量溶解的ｐＨ值比非晶质ＳｉＯ２高２￣３;硅藻质氧化硅在温度大于４０℃时溶解度成倍增加,它暗示着世界上大型硅藻土矿床分布在中、高纬度区的原因;硅藻质氧化硅的溶解度与时间无明显的关系,这说明了每个硅藻土矿床中硅藻质氧化硅的含量决定于它形成以来最后一次环境介质条件,而与经历的时间无关。     

纳米氧化硅的体外细胞毒性

采用红细胞溶血实验、MTT法、形态学和测定培养液中乳酸脱氢酶(LDH)含量比较纳米S iOx及微米S iO2对红细胞和RAW264.7细胞的毒性作用;测定丙二醛(MDA)、过氧化氢(H2O2)、羟自由基(.OH)、超氧阴离子自由基(O2.-)、一氧化氮(NO)等氧化应激指标,探讨其毒作用机制.研究结果表明:纳米S iOx与微米S iO2在一定粒子浓度范围内致红细胞溶血率及生成MDA的量随浓度增加逐渐升高,呈剂量-反应关系;RAW264.7细胞的半数抑制浓度(IC50)分别为11.60,38.12mg/cm2;染毒细胞体积明显增大,呈气球样变;纳米S iOx及微米S iO2在0.036~0.571mg/cm2浓度范围内,可引起培养液中LDH活性显著升高,呈时间-效应关系,相同浓度纳米S iOx致培养液中LDH含量高于微米S iO2;染毒细胞内MDA,H2O2,.OH,O2.-,NO水平显著升高.结果提示相同浓度纳米S iOx的毒性作用较微米S iO2强,氧化应激在细胞毒性中起一定作用.     

包覆ZrO2的介孔SBA-15涂敷纤维素衍生物手性固定相的制备及手性醇的直接拆分

用碱蒸汽法制备表层纳米氧化锆包覆的介孔SBA-15微球(SBA@ZrO2),并将其作为高效液相色谱柱的填料.将自制的纤维素-三(3,5-二甲基苯基氨基甲酸酯)直接涂敷到SBA@ZrO2核壳复合微球上,作为手性固定相,通过高效液相色谱对十种手性醇进行了直接拆分.研究发现,运用此方法制备介孔微球简单、高效,不仅保持了SBA-15介孔微球颗粒的均匀性、较大的孔径,较高的比表面积、规则的孔道和优良的渗透性等的优点,又具有氧化锆的表面特性;实验发现此手性固定相具有较好的拆分能力,可以对手性醇进行良好的拆分.介孔SBA@ZrO2可以用作高效液相色谱的填料.     

纳米SiO2填充UHMWPE/PTFE/纳米MMT复合材料的摩擦磨损行为

通过热压成型工艺制备纳米SiO2和纳米蒙脱土(MMT)及聚四氟乙烯(PTFE)复合填充超高分子量聚乙烯(UHMWPE)复合材料,采用销-盘式摩擦磨损试验机考察复合材料在干摩擦条件下与45#钢配副时的摩擦磨损行为,用扫描电子显微镜观察复合材料的磨损表面形貌.结果表明:当PTFE和MMT的填充质量分数均保持6%,填充质量分...     

一氧化硅四聚体的结构、振动频率和光谱研究

运用Gaussian03软件,通过量子化学HF,B3LYP和MP2方法,选用6-311G*基组对立方状、平面环状和折叠环状一氧化硅四聚体(Si4O4)的几何构型、稳定性、电子结构和振动频率等性质进行研究,部分结果与实验吻合,振动也与群论方法分析结果一致.研究表明: 平面环状结构不是稳定结构, Si4O4存在Td群对称性的立方状和D2d群对称性的折叠环状两种结构,折叠环状结构能量更低,更稳定;两种结构均有微弱共价键,属绝缘体.     

Electro-red-luminescence from silicon oxide films embedded nm carbon particles and nm silicon particles

Luminescence study from the silicon oxide filmsembedded nm carbon particles (CSO) and nm silicon particles (SSO) is of great importance in integrated optoelectronics. The pioneering work on electroluminescence (EL) from the SSO was reported bu Dimaria et al.     

MNOS存储晶体管的研制

用液氮温度下的液氧蒸汽作为氧源,控制 O_2/N_2值在10~(-2)至10~(-3)可生长性能和重复性均为良好的可隧穿的超薄氧化层,结合用 SiH_4—NH_3体系的 LPCVD 技术,所淀积的具有电荷存储陷阱的 Si_3N_4膜能成功地制造 MNOS 结构存储晶体管。经测试,这种晶体管阈值窗口可设置在6V,对于管子处于高导态时,保留时间为10~3min,闽值电压变化的典型值为1V;当管子处于低导态时,其保留时间为3×10~3min 时阈电压变化的典型值为0.2V。这种存储管可擦写的次数为10~5以上。表明存储晶体管具有良好的器件特性。     

纳米铸造方法下离子液体用于 大孔径多孔氧化硅材料的探索合成

以离子液体为模板剂,通过纳米铸造方法合成了一系列多孔氧化硅材料,详细考察了离子液体种类和硅前驱体种类对材料结构参数的影响,在此基础上探索了合成大孔径多孔氧化硅材料的新方案.