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21.
郭震宁 《华侨大学学报(自然科学版)》2007,28(3):243-245
采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,制备a-SiOx∶H(0相似文献
22.
以聚砜(PSF)中空纤维超滤为基膜,二苯甲酰-L-酒石酸(L-DBTA)为模板分子,甲基丙烯酸甲酯(MMA)为功能单体,乙二醇二甲基丙烯酸酯(EDMA)为交联剂,采用表面热聚合方法制备了L-DBTA印迹中空纤维复合膜。该复合膜对异丙醇/水体系具有很好的分离效果,对于w=0.20和0.50的异丙醇/水体系,经过一次浸膜制得的L-DBTA分子印迹复合膜的分离因子分别为2 400和5 690,通量分别为1 440 g/(m2.h)和551 g/(m2.h);对于w=0.95的异丙醇/水体系,浸膜液浓缩一倍,经过两次浸膜制得的L-DBTA分子印迹复合膜分离因子可达82 100,渗透通量可达739 g/(m2.h);对于异丙醇/水体系,通过实验,获得了L-DBTA分子印迹复合膜与一般渗透汽化膜相反的分离规律:料液温度升高,L-DBTA分子印迹复合膜的渗透通量下降;随着料液浓度的升高,分离因子出现最大值时的温度逐渐升高。 相似文献
23.
24.
碳还原锆英石分离SiO2和ZrO2 总被引:1,自引:0,他引:1
进行了配碳量,温度,时间和颗粒大小及试样形式对碳还原锆英石中SiO2的实验研究,得到相应脱硅率的影响规律,理论上,脱硅率的极大值可达到97.22%,碳还原锆石的表现反应活化能,在1600~2000℃温度范围内为282.04kj/mol。锆英石被碳还原的限制环节是锆英石的热分解,而不是它裂解成SiO2之后再与碳的反应。 相似文献
25.
等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅 总被引:3,自引:0,他引:3
利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频C-V测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性,结果表明PECVDSiO2-SiN双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。 相似文献
26.
采用TiO_2和SiO_2的金属烃氧基在乙醇溶液中进行水解反应,制成胶状非晶态物质溶液.用浸渍法在玻璃基底上制备出多层TiO_2/SiO_2介质复合膜.它具有涂膜设备和工艺简单,成本低等特点.作者对溶液配制、涂膜工艺和膜的结构进行了初步研究.由实验得出膜厚d与溶液浓度C及提拉速度V的关系;给出了膜厚随其热处理温度的变化;并用扫描电镜对膜的表面结构进行了分析. 相似文献
27.
本文研究了在HF—CVD法中,衬底温度Ts对PETEOS(等离子体增强正硅酸乙酯)氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明:Ts变化影响PETEOS氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ts较低时(750—820℃),PETEOS氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面;随Ts升高(>820℃),氧化硅区域成核密度增加很快;当Ts>850℃时,氧化硅区域成核密度超过硅表面。 相似文献
28.
PES/SPES共混平板复合膜的制备及性能表征 总被引:1,自引:0,他引:1
采用浸没沉淀相转化法制备了聚醚砜/磺化聚醚砜(PES/SPES)共混平板复合膜,并对其进行性能表征.铸膜液配比对膜性能有较大的影响:聚合物浓度增大,膜孔径变小、膜厚增大、水通量变小;PVP的添加能有效改善复合膜的亲水性,膜的接触角随PVP含量增大而减小;膜的水通量随铸膜液中PVP含量的增大先增大后减小,当PVP含量为6%时,水通量达到最大值;接触角随共混聚合物中SPES含量的增大而减小,且随聚合物组份中SPES含量的增加,水通量先逐渐增加,并在质量配比为PES/SPES(8:2)时达到最大值,随后水通量逐渐下降. 相似文献
29.
研究了SiO2纳米颗粒对电化学沉积半金属Bi膜沉积过程和膜形貌、结构的影响。利用I-V循环扫描曲线分析了未掺与掺入SiO2纳米颗粒后薄膜沉积过程的电化学特性,应用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对膜的微观表面形貌及相结构进行了表征。实验结果表明。加入SiO2纳米颗粒引起电沉积过程中还原电势向正电位方向移动,使Bi^3+离子的还原沉积更容易,但不对Bi膜的溶解电位产生明显影响。加入SiO2纳米颗粒后能显著影响沉积膜的形貌,其有明显细化晶粒的效果。总之,SiO2纳米颗粒的加入及加入量显著影响Bi膜的电化学沉积过程和形貌、结构。 相似文献
30.
金属材料是否具有理想的抗高温腐蚀性能,其前提条件是当它一旦暴露在高温腐蚀环境中,能否快速形成单一、连续的保护性氧化膜(例如Cr2O3或Al2O3)。高温合金,由于Cr或/和Al含量较低(含量过高会显著影响材料蠕变性能),通常形成保护性较差的混合型氧化物层。形成单一的保护性氧化膜 相似文献