MPCVD金刚石膜的拉曼光谱学

研究了MPCVD生长的金刚石膜的拉曼光谱. 除给出它们的全部一级谱外, 还根据纳米结构特有的共振尺寸选择效应, 认为MPCVD金刚石膜中不含有纳米晶成分, 并认为1145 cm^−1峰不能作为生成纳米晶金刚石的判断标准, 虽然这个标准已被人们广泛地应用了许多年.     

复合涂膜用于黄瓜的保鲜研究

选用壳聚糖、海藻酸盐等原料作为涂膜原料，并通过正交实验优化涂膜配方，对黄瓜进行涂膜处理。在室温下，分别对黄瓜进行了失水率、硬度、叶绿素含量和Vc含量的测定。     

Pt/陶瓷电极上醇类的阳极氧化作用及其钼和钨的添加对电极活性的影响

采用电沉积Pt在陶瓷膜的方法制得了一种新型的可用于醇类阳极氧化的陶瓷基底电极,采用在电沉积前用氧化钨的溶胶或硅钨酸或硅钼酸的溶液浸渍陶瓷膜的方法可将钨和钼添加到电极中.实验发现钨和钼的添加可以十分显著地提高催化剂的活性,如对于甲醇的阳极氧化,添加硅钼酸的电极上的电流密度可达到187 mA/cm2,为相同条件下不含硅钼酸的电极的5倍多.对于乙醇的阳极氧化也得到了相同的结果.     

新型磺化聚酰亚胺的合成

质子导电离子交换膜由于其高导电率和优异的化学性质而广泛应用于H2/O2燃料电池,但是全氟化膜的昂贵的价格限制了它的市场应用,为此,研究者尝试生产廉价的代替品,磺化聚酰亚胺就是被人们看好的代替品之一.用3,3′-二磺酸钠基-4,4′-二氟二苯酮和对氨基苯酚为原料合成一种新型芳香族二胺,再将新型芳香族二胺和二酐以间甲酚为溶剂一步法合成一系列具有不同磺化度的聚酰亚胺,从而避免了由聚合物磺化改性引起的聚合物链的交联与降解.用红外吸收光谱和H NMR核磁共振光谱对新型芳香族二胺单体进行了表征,并用红外吸收光谱表征了聚合物.研究了共聚物的组成结构,溶解性,及磺化度对共聚物的影响.结果表明DMF,DMAc,NMP等均是该磺化聚酰亚胺的良溶剂,聚合物粘度随着磺酸基含量的增加而降低.     

ITO透明半导体膜的研究

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80％以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。     

分子筛结构和无定形结构中Ti-O-SiO_3键的IR特性

在对用ＸＲＤ表征确证分属于ＴＳ－２分子筛和无定形ＴＳ氧化物（简称ＡＴＳ）结构的一系列样品进行红外表征时，首次发现在分子筛骨架与无定形表面都存在Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３健，但这两者在红外上是可区分的，前者作为骨架钛振动带出现在９６２．５～９６６．７ｃｍ－１处，而后者作为非骨架钛振动带则出现在９４５～９５６ｃｍ－１处，即后者明显发生了红移．分子筛骨架振动带（１２２６，５５６ｃｍ－１）强弱对其Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３带的位置影响不大，比较而言骨架带弱的约有２．０ｃｍ－１的红移．苯酚羟基化结果表明在分子筛骨架上的Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３活性位上苯酚羟基化生成邻苯二酚和对苯二酚；而处于无定形表面的非骨架Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３活性位上只生成邻苯二酚     

汞对小麦幼苗损伤机制研究

本文研究汞对小麦种子萌发过程中幼苗膜脂过氧化水平，细胞膜透性，保护酶（ＣＡＴ、ＳＯＤ）、ＰＯＤ）活性，可溶性糖和可溶性蛋白质含量的影响。结果表明，随着汞浓度的升高，细胞膜脂质的氧化水平升高，细胞膜透性增大，ＣＡＴ活性降低、ＰＯＤ、ＳＯＤ活性 升高，组织可溶性糖和可溶性蛋白质含量升高。     

贵金属/陶瓷催化膜制备:溶胶粒子表面修饰技术

80年代初,非对称中孔γ-Al_2O_3陶瓷膜成功地商用.由于无机膜具有高温热稳定性和表面可修饰性,从而引起了人们对无机膜反应器的广泛兴趣与重视.近年来无机膜反应器的研究工作主要集中在脱氢反应、加氢反应和选择氧化等催化反应上.无机膜在膜反应器中可以起分离作用,除去反应区的产物之一,从而提高反应的转化率;也可以用来调控反应区中反应物之一的加入计量和反应物的接触,改善反应的选择性.     

新型乙醇气敏半导体材料CdFe_2O_4

采用化学共沉淀和固相反应相结合的方法制备出单相ＣｄＦｅ２Ｏ４，实验表明，ＣｄＦｅ２Ｏ４作为一种尖晶石型结构的复合氧化物，是电子导电型半导体，具有良好的酒敏性能．且有较好的化学稳定性和气敏稳定性     

一种PVC膜硫酸根电极的研制

硫酸根离子敏感性电极的研制至今仍然是离子电极领域中的一个难点。由于固膜型硫酸根电极存在重现性差以及受到磷酸根离子严重干扰等缺陷,这方面的研究重点随之转移至液膜型硫酸根电极的研制。曾有人报道了基于季铵阳离子作为电活性物质的液膜硫酸根电极。但是这类电极存在稳定性、选择性差以及线性响应范围窄等缺陷。采用新的活性物质是制备性能良好的电极的重要途径。本文首次合成一种新的有机化合物:N-烷基取代苯并三氮唑衍生物,并以之为载体,研制出一种具有良好的稳定性和电位响应性能的PVC膜硫酸根离子敏感性电极。