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91.
提出了一种新的适合于GTR电流型变频器整流器部分的PWM控制方法,推导出了在准圆轨迹PWM控制规律下,整流器输出电压的计算公式和平波电抗器电感量计算的实用公式。实验证明,采用新型PWM控制的整流器功率因数近似为1,且可大大减小平波电抗器的电感器。 相似文献
92.
极化子对量子点中的Stark效应的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
该文采用变分法研究了盒形量子点中Stark效应,计算了电子-受限LO声子相互作用对Stark能量移动的修正。计算结果表明,电子-受限LO声子相互作用减弱了Stark能量移动,随着电场强度和量子点尺寸的增大,其对Stark能量移动的贡献也增大。 相似文献
93.
M型锶钙铁氧体的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
赵福建 《贵州大学学报(自然科学版)》1997,14(2):97-100
Ca离子在M型锶钙六角铁氧体中的最大固溶量Xm≈0.5。在固溶范围内,Ca离子代换Sr离子对材料的本征磁性能如居里温度θf,比饱和磁化强度δs,以及磁晶各向异性场HA没有明显的影响,这有可能在保证材料性能不下降的前提下,在M型锶钙六角铁氧体中加入廉价的钙来降低材料成本。 相似文献
94.
SnO_2 薄膜光谱透过率及气敏特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了半导体氧化物SnO2膜及其掺杂薄膜的光谱透过率气敏特性,导出了光波在固体介质中传播时的光折射率、消光系数、吸收系数的表示式,以及在“空气—薄膜—玻璃”三元系统中光透过率的近似表达式;解释了气敏使半导体氧化物薄膜系统光透过率变化的原因。所有这些结果与解释,与我们的实验结果相一致,也与一些文献报导的实验结果相符合[1,2]。 相似文献
95.
常温半导体气敏元件的研制 总被引:7,自引:0,他引:7
简述了常温气敏陶瓷材料及高分子材料的制备方法,常温电阻型及振荡型元件的制造工艺及其气敏特性,最后探讨了元件的工作机理及今后的改进方法。 相似文献
96.
复合氧化物SrTiO3—TiO2氧敏材料的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
将具有氧敏特性的SrTiO3与TiO2复合化,采用电子束蒸发方法,制备了SrTiO2-TiO2薄膜,研究了其氧敏特性。实验结果表明,复合氧化物SrTiO3-TiO2薄膜的n-p型转换点比SrTiO3薄膜的n-p型转换点高,氧敏特性有所改善,从而提高了贫燃共氧灵敏度曲线的线性化。 相似文献
97.
将TiO2与Nb2O5氧化物氧敏材料复合化,研究氧敏响应特性及其与环境温度、气流转换频率的关系,并指出采样方法对响应时间的影响,在无贵金属催化条件下,烧结型复合氧敏材料的响应时间约为60ms.对机理进行了初步探讨 相似文献
98.
郝素君 《上海交通大学学报》1997,31(5):81-84
测量了1.3μmInGaAsP半导体激光器自发发射光谱。利用脉冲工作条件下自发发射谱线的微小漂移,对激光器激光活区中晶格温升进行了测量分析,得到了晶格温升与热平衡时间的关系曲线。 相似文献
99.
采用皮称量级的超快速光谱技术,分析了混晶GaAs1-xPx:N材料发光瞬态过程,结果证实了材料随组份变化,从间接带到直接带转变的带增强效应,对Nx发光带不同能量位置的发光衰退测量还表明Nx带同时存在着快速的带内隧道转移和较慢的发光衰退过程。 相似文献
100.
基于Petri网的分层半导体制造过程调度结构 总被引:1,自引:0,他引:1
针对复杂的半导体制造过程调度,在综述现有调度问题及方法的基础上,提出由投料调度、路径调度和两种类型的工件调度共同组成的分层调度结构的思想及方案,继而基于Petri订网模型,探讨所提出的分层半导体调度结构基于Petri网模型的实现方法,最后通过仿真对分层调度结构加以应用验证,并总结全文. 相似文献