半导体表面态的研究与展望

半导体表面的研究是半导体物理中极为活跃的一个分支，因为半导体器件的体积越来越小，靠近半导体表面附近的物理性质越来越重要。笔者系统地对半导体表面态进行了综述。认为当波矢K取复数时局域于表面附近存在表面电子态，其波函数体内、体外都衰减。同时对半导体表面研究的发展历程、现状以及前景进行了展望。     

GaAs/AlAs异型异质结导带研究

利用泊松方程分析了异质结导带形状，通过数值模拟研究了GaAs/AlAs异型异质结在不同掺杂浓度下的导带图，确定了导带尖峰出现的位置和耗尽区宽度。     

量子点荧光探针的合成

量子点具有宽的激发光谱，窄的发射光谱，高的荧光量子产率，比有机染料寿命更长等优越的荧光特性，是一种理想的荧光探针，本文评述了量子点荧光探针合成的最新进展。     

储存NOx催化剂BaZrO3的结构和性能研究

用溶胶—凝胶法制备了钙钛矿型BaZrO3催化剂，再用等量浸渍法制备了Rh／BaZrO3样品．并制备了Rh／BaZrO3／γ-Al2O3和Pt／BaZrO3／γ-Al2O3．通过DTA，XRD，XPS等方法研究了它们的结构及其对性能的影响，并对催化剂的储氮量(NSC)及其抗硫性能进行测试．结果表明，BaZrO3催化剂具有良好的储氮及抗硫性能，直接加入贵金属会使NSC降低，而混合γ-Al2O3后再加Rh，Pt则大大提高NSC，并且不论何种方式引入贵金属都使抗硫性能改善．     

半导体纳米粒子气—固复相光催化氧化气相有机污染物的研究

本文介绍了半导体纳米粒子气—固复相光催化氧化法的原理及影响因素,探讨了气相有机物光催化降解的过程和动力学,综述了提高半导体纳米粒子光催化活性的途径,讨论了气相有机污染物光催化降解进一步研究的方向,并对应用前景作出展望。     

Cryptomelane（KxMn8-xO16）： Natural active octahedral molecular sieve（OMS-2）

The Xiangtan manganese deposit (XTM) used to be considered a supergene oxide manganese ore in South China. We reported a new identification of the naturally outcropping cryptomelane by examining the physical, chemical and structural features of the XTM supergene oxide manganese ore. The MnO2 content was over 90%, K2O more than 3%, and water from 2.2%-3.1% which is similar to one in zeolite. The cell parameters of the cryptomelane were given as a0 = 0.9974 nm, b0 = 0.2863 nm, c0 = 0.9693 nm and β= 91.47°. There was a larger pseduotetragonal tunnel in the natural cryptomelane that was formed by [MnO6] octahedral double chains with aperture of 0.462×0.466 nm2, filled with K cations resulting in some Mn3+ substituting for Mn4+ to balance the negative charges of structure. The finding is important not only for prospecting manganese resources in South China, but also in application of octahedral molecular sieve of natural cryptomelane as that developed in the tetragonal molecular sieve of natural zeolite o     

控制光子的“半导体”——光子晶体

光子晶体是一种新型功能材料,其最基本的特征是具有光子频率带隙,频率落在带隙内的电磁波被禁止在光子晶体中传播。本文简述了光子晶体的基本性质和理论研究方法,介绍了光子晶体的制备,并对光子晶体的应用前景给予了简短的评述。     

运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究

对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述，系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质．研究了半导体能带隙所表现出的特有性质．     

Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。     

异丁烯部分氧化的研究进展

总结了近年来复合氧化物、杂多化合物用于异丁烯部分氧化成甲基丙烯醛、甲基丙烯酸研究状况及可能的反应机理，并预测了此反应可能的改进方案和应用前景。