ASM2000机台机械手运行的影响因素分析

ASM2000半导体外延设备,作为世界上硅外延材料领域的主流设备,在硅片传递过程中,以“正面、非接触式”模式,可较好地避免硅片表面缺陷的产生。在这种传递模式下,偶有硅片掉落现象发生,故障产生原因较多,造成问题处理效率低下、复机验证流程繁琐等现象。为提高机械手装取片故障处理的效率及成功率,文章将从硅片传递的工作原理开始分析,总结导致硅片掉落的可能原因,以供故障排查所用。     

强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响

在有效质量近似下,采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响。结果表明对于采用体激子的等效Ｒｙｄｂｅｒｇ能量Ｒ＾＊比较大的材料制备的量子点,其形状带来的影响是显著的。     

微量吸附量热法研究Zn-Al水滑石及其衍生复合氧化物的酸碱性质

由共沉淀法合成了Ｚｎ／Ａｌ摩尔比为１、２、３和６的Ｚｎ－Ａｌ水滑石．热重－差热结果显示其分解经两个过程,分别对应１８０和２２０℃的吸热峰．经４００℃焙烧,生成Ｚｎ－Ａｌ复合氧化物,ＸＲＤ测定仅显示ＺｎＯ物相（除Ｚｎ／Ａｌ比为６的样品）,表明组成成分均一．微量吸附量热结果表明Ｚｎ－Ａｌ复合氧化物的表面酸碱性介于γ－Ａｌ２Ｏ３和ＺｎＯ之间,碱性（酸性）随着Ｚｎ（Ａｌ）含量的增加而增强．     

氧化物和盐类在分子筛内外表面及孔穴中的自发分散及？…

氧化物和盐类可在分子筛内外表面及孔穴中自发形成原子水平的分散,原因是分散后体系的熵可大大增加,同时在表面生成的新键,其强度和未分散时化合物内部的键强度不相上下,结果导致体系的总自由能下降。熔点较低的化合物的分散可通过它们与分子筛混合在适当温度下加热来实现;熔点较高的化合物的分散,则需要通过用其溶液浸渍分子筛后烘干和热分解来实现。     

用热处理方法降低PTC陶瓷发热体的电阻值

提出了一种利用隧道窑热处理方式降低ＰＴＣ陶瓷发热体电阻值的新方法．这种方法不仅能降低电阻值而且还能提高ＰＴＣ陶瓷的主要电性能;同时还讨论了热处理条件对电性能的影响．     

准分子激光诱导下a—Si：H膜的电导率异常

用ＸｅＣｌ准分子激光器对ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜进行了低能量密度下的辐照处理,测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化。研究表明,能量密度在７５ｍＪ／ｃｍ＾２附近的激光辐照可导致膜的电导率大幅度升高,这种电导率异常是膜表层形成了ｎｍＳｉ晶粒分散于ａ－Ｓｉ：Ｈ基底中的混合相的反映。     

固相反应合成稀土钙钛矿氧化物的研究

采用固相反应方法合成了稀土钙钛矿型氧化物-SmCoO3，并利用XRD和Raman谱对其结构进行了测试，确定了合成单相SmCoO3的条件及反应时间对合成产物的影响。     

Ni掺杂中孔TiO2的合成及其光催化分解水性能研究

合成了Ni掺杂中孔TiO2光催化剂，其吸收光谱阈值红移至500nm，500℃焙烧后依然保持中孔结构．喇曼光谱证实，这种催化剂具有锐钛矿晶型．在Na2S／Na2SO3复合牺牲剂体系下，对Ni掺杂中孔TiO2和Ni掺杂颗粒TiO2两种催化剂的产氢活性进行了考察，发现前者比后者提高了近1倍。