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62.
在室温下分别采用射频磁控溅射和离子束辅助沉积技术沉积C-SiC薄膜,并进行了相同注量和相同能量的He^+辐照试验。分析结果表明:两种不同方式制备的C-SiC薄膜经He^+辐照后显示了不同的形貌特征,薄膜中Si组分的含量也有不同。我们对此进行了讨论,还进行了相应的Si、C的化学态分析。 相似文献
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钨基材料以其高熔点、高导热率、良好的抗中子辐照和抗溅射腐蚀等优异性能,被视为未来核聚变装置中最有前景的面向等离子材料.在聚变服役环境下,14Me V的高能中子以及低能氢/氦粒子流对钨基材料造成严重的辐照损伤.研究材料的辐照损伤与氢氦效应机理对揭示辐照引起材料微观结构与性能的变化以及探索开发新型抗辐照材料具有重要的意义.近年来,随着计算模拟技术的发展,多尺度模拟方法在聚变堆材料辐照损伤与氢氦效应机理研究方面有着广泛的应用.本文主要结合作者近几年的研究实践,介绍了第一性原理方法在钨中氢氦效应机理方面的一些进展,揭示了钨中基于空位和杂质的氢/氦泡级联成长机制,建立了过渡族合金元素与辐照点缺陷以及与氢/氦相互作用数据库,从而为高性能钨基材料合金化元素的筛选及其制备实践提供理论指导. 相似文献
64.
65.
刘继宏 《河北师范大学学报(自然科学版)》2001,25(2):191-194
采用新的s-过程核合成模型和分叉s-过程反应通道,计算了太阳金属丰度3MTP-AGB星He壳层内重元素核合成,结果表明,中子辐照量小于标准情况时,丰度不能达到渐近分布,中子辐射量子大于标准情况时,达到渐近分布所需的脉冲数为5-10个,中子辐射量参数的合理取值范围为标准情况的0.5-2.5倍。 相似文献
66.
利用流体模型,在氦-氩混合气体环境下模拟研究了氩气含量对空心阴极放电特性的影响.结果表明,随着氩气含量的增加(摩尔分数0~10%),放电电流、电子密度、氦离子密度、氩离子密度和阴极位降区径向电场强度均升高,负辉区径向电场强度和阴极位降区宽度降低.电子密度和氩离子密度的升高要快于氦离子密度的升高.当氩气摩尔分数高于5%时,氩气对于放电的贡献已经高于氦气. 相似文献
67.
68.
腾冲火山区温泉气体组分和氦同位素组成特征 总被引:22,自引:3,他引:22
1 研究区地质背景腾冲火山区(24°45′—25°36′N,98°20′—98°45′E)位于欧亚板块边界的东侧,怒江弧形断裂带上。由于印度板块向北强烈挤压、俯冲,形成局部张性或张扭性断裂。区内火山广布,在东西宽40km,南北长90km的范围内,腾冲火山区有第四纪火山70余座。腾冲火山活动始于中新世,上新世以后活动增强,晚更新世达到高潮。最近的一次火山喷发时间为1609年, 相似文献
70.
氦原子基态能量的快速收敛求解 总被引:3,自引:0,他引:3
邓从豪等人最近,提出一种新的多体Schrodinger方程直接解的方法,用该法对氦原子基态能量进行的计算表明,其美中不足是超球谐(HH)展开收敛很慢;为了得到-2.90328a.u.的基态能值,文献[2]中超球谐(HH)展开了361项,广义拉盖尔函数(GLF)展开了4项.本文对文献[1]进行了改造,以加快HH展开的收敛速度.用改造后的方法求解氦原子基态 相似文献