HF-He相互作用势及碰撞截面的研究

作者首先拟合出了ＨＦ分子与Ｈｅ原子的相互作用势,然后用密耦方法计算了ＨＦ－Ｈｅ碰撞体系两种势能的散射截面,并比较了不同势能下的散射截面,研究了ＨＦ－Ｈｅ碰撞体系散射截面的变化规律。     

变分法在计算量子物理基态氦原子能量中的应用

对基态氦原子的波函数据和能量的传统计算方法是自恰场法和微扰论,其计算过程的自恰场法十分繁难,而结果又是数据表,逼近成解析式也比较复杂.采用变分法,以解析式的形式进行讨论,戡用超来又比较方便,其计算结果也与实验结果更相近.     

He—N2相互作用势表面及第二维里系数

首次考虑了He-N_2碰撞体系各种相互作用势表面的形状,从第二维里系数计算结果找出了最佳势表面,并为拟合惰性气体与N_2分子相互作用势表面提供了有效的势模型。     

C—SiC薄膜抗辐照性能的研究

在室温下分别采用射频磁控溅射和离子束辅助沉积技术沉积Ｃ－ＳｉＣ薄膜，并进行了相同注量和相同能量的Ｈｅ＾＋辐照试验。分析结果表明：两种不同方式制备的Ｃ－ＳｉＣ薄膜经Ｈｅ＾＋辐照后显示了不同的形貌特征，薄膜中Ｓｉ组分的含量也有不同。我们对此进行了讨论，还进行了相应的Ｓｉ、Ｃ的化学态分析。     

核聚变堆面向等离子体钨基材料氢氦效应的第一性原理研究

钨基材料以其高熔点、高导热率、良好的抗中子辐照和抗溅射腐蚀等优异性能,被视为未来核聚变装置中最有前景的面向等离子材料.在聚变服役环境下,14Me V的高能中子以及低能氢/氦粒子流对钨基材料造成严重的辐照损伤.研究材料的辐照损伤与氢氦效应机理对揭示辐照引起材料微观结构与性能的变化以及探索开发新型抗辐照材料具有重要的意义.近年来,随着计算模拟技术的发展,多尺度模拟方法在聚变堆材料辐照损伤与氢氦效应机理研究方面有着广泛的应用.本文主要结合作者近几年的研究实践,介绍了第一性原理方法在钨中氢氦效应机理方面的一些进展,揭示了钨中基于空位和杂质的氢/氦泡级联成长机制,建立了过渡族合金元素与辐照点缺陷以及与氢/氦相互作用数据库,从而为高性能钨基材料合金化元素的筛选及其制备实践提供理论指导.     

氦资源对科学仪器及科研项目的影响与对策

全球氦市场价格与供应主要取决于美国的氦产量、价格和政策,而近期美国将氦核定为战略储备资源,限制粗氦产量,频频提高氦价格,并实行定额供应措施,对我国大量用氦的科学仪器装置以及科研项目造成重大危害。面临严峻形势,全面掌握氦供应紧缺对科学仪器与科研项目的影响,进行前瞻性部署,并制定合理可行的对策,显得相当重要而且迫在眉睫。     

AGB星He壳层内重元素丰度的变化

采用新的s-过程核合成模型和分叉s-过程反应通道，计算了太阳金属丰度3MTP-AGB星He壳层内重元素核合成，结果表明，中子辐照量小于标准情况时，丰度不能达到渐近分布，中子辐射量子大于标准情况时，达到渐近分布所需的脉冲数为5－10个，中子辐射量参数的合理取值范围为标准情况的0．5－2．5倍。     

氩气对氦-氩气体中空心阴极放电特性的影响

利用流体模型，在氦-氩混合气体环境下模拟研究了氩气含量对空心阴极放电特性的影响.结果表明，随着氩气含量的增加(摩尔分数0～10%),放电电流、电子密度、氦离子密度、氩离子密度和阴极位降区径向电场强度均升高，负辉区径向电场强度和阴极位降区宽度降低.电子密度和氩离子密度的升高要快于氦离子密度的升高.当氩气摩尔分数高于5%时，氩气对于放电的贡献已经高于氦气.