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71.
以圆周为界面两相材料多裂纹反平面问题 总被引:1,自引:0,他引:1
运用复变函数及积分方程方法,求解了以圆周为界面的两相材料中的多裂纹反平面问题.为解决该问题,建立了两种类型的基本解,分别对应于单裂纹在圆域内和圆域外的情形.利用叠加原理和所得的基本解把两相材料中的多裂纹问题化为单裂纹问题的叠加,得出了一组以基本解密度函数为未知函数的Fredholm积分方程组.通过对该积分方程组的数值求解,可以得出密度函数的离散值,进而得出裂纹尖端的应力强度因子.文中对于两条裂纹分别位于圆域内和圆域外以及两条裂纹均在圆域外的情形进行了数值计算. 相似文献
72.
焊接接头强度不等组配试样的三点弯曲试验 总被引:5,自引:0,他引:5
利用模拟焊接接头试样三点弯曲试验的方式,就焊接接头强度组配对其断裂性能的影响进行了研究,结果发现:焊接接头强度组配的不同对其断裂韧性和裂纹扩展驱动力都有不同程度的影响. 相似文献
73.
从断裂力学出发,利用阻力曲线(R曲线),建立了恒应力速率条件下陶瓷材料亚临界裂纹扩展模型.利用计算机数值计算,获得材料在动态载荷条件下,裂纹扩展速率V与应力强度因子K的关系(V-K曲线),并分析了动态疲劳现象的本质.此模型的中心思想在于将亚临界裂纹扩展分为相互独立的2个过程,即:裂纹瞬时局域失稳扩展和应力腐蚀.利用此模型,对Si3N4陶瓷的动态疲劳特性作出的理论预测与实验结果趋势一致. 相似文献
74.
通过系统的实验及计算分析,发现:空穴扩张比极大值区对应于裂纹的启裂区,启裂时钝化裂端前缘空穴扩张比的临界值不敏感于复合比的变化,可作为裂纹启裂时的控制参数. 相似文献
75.
以SrS∶Ce和ZnS的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色SrS∶Ce薄膜电致发光(TFEL)器件,研究了新法制备的SrS∶Ce膜的光致发光(PL)性能和它的电致发光(EL)器件的电致发光性能,并与直接用SrS∶Ce粉末制备的薄膜和器材的性能进行了对比.结果表明混晶法制备的薄膜电致发光器件的亮度和效率比直接法制备的器件要高得多,且ZnS的引入弥补了在SrS∶Ce薄膜S的不足,避免了直接用SrS∶Ce材料蒸发而采用的共S蒸发方法中S气氛对环境的污染. 相似文献
76.
四氢吡喃醚的形成、裂解和转化 总被引:1,自引:0,他引:1
对四氢吡喃醚的形成、裂解和转化方法进行了综述,参考文献111篇。 相似文献
77.
γ—氨基丁酸在生理条件下不易透过血脑屏障进入脑组织,为了增大γ—氨基丁酸的脂溶性,使其能透过血脑屏障进入脑组织,作者选用具有较高亲脂性的(4’—氯苯基)(5—氟—2—羟基苯基)甲酮作为γ—氨基丁酸的亲脂性载体,设计并合成了7个4-[(4’—氯苯基)(5—氯—2—羟基苯基)亚甲氨基]丁酸酯类化合物作为抗癫痫化合物进行抗惊厥活性实验,所合成的化合物未见文献报道.合成的样品经元素分析、红外光谱和核磁共振氢谱检测,证实合成的化合物的结构与目标化合物一致. 相似文献
78.
本文从影响疲劳裂纹扩展随机性的外因(载荷条件)和内因(材质的分布规律)着手,探讨它们的交互作用对随机载荷作用下构件疲劳裂纹扩展的影响,采用数值模拟的方法,对桥梁、船舶、飞机、特殊容器等大型构件所承受的实际载荷谱以及材料对裂纹扩展的阻力系数等进行模拟,并进而对疲劳裂纹的随机扩展过程进行模拟,提出随机载荷作用下大型构件疲劳裂纹扩展寿命的预测及其可靠性分析方法. 相似文献
79.
采用压痕法及扫描电镜观察,研究了抗磨贝氏体球铁中裂纹的形核与扩展。实验结果表明,裂纹主要在石墨─基体界面形成,其次在碳化物─基体界面形核。裂纹在石墨─基体界面和碳化物─基体界面的形成机制不同,裂纹优先沿界面扩展。并从热力学的角度对其进行了分析。 相似文献
80.
2,6-二异丙基萘是制备高级聚酯材料PEN和液晶聚合物的原料。用择形催化剂丝光沸石代替传统的Friedel—Crafts催化剂,在高压釜中以萘和丙烯为原料经异丙基化反应合成了2,6-DIPN。采用浸渍法用少量镁盐修饰水汽脱铝氢型丝光沸石(SDHM),减少了SDHM外表面的强B酸中心和非择形产物的生成,从而使2,6-DIPN的择形率提高到71%。2,6-DIPN/2,7-DIPN摩尔比达到2.89,有利于2,6-DIPN的分离提纯。 相似文献