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101.
初步考察了金属锆粉末在M(OH)2(M=Sr,Ba)介质中的水热氧化过程.结果表明,钙钛矿型氧化物MZrO3(M=Sr,Ba)的生成规律与常规水热合成基本相同.对金属锆水热氧化过程的初步分析表明,ZrO2·xH2O作为中间产物起着重要作用. 相似文献
102.
103.
张晓丽 《宝鸡文理学院学报(自然科学版)》2011,31(3):30-35
目的研究LiFePO4在不同锂盐电解液体系中的电化学性能。方法采用恒电流充电、放电和循环伏安方法来进行相关研究。结果在不同锂盐(LiClO4、LiBF4以及LiPF6)和不同碳酸酯混合溶剂(EC-DEC、EC-DMC或者PC-DMC)所组成的电解液中,电极材料在1 M LiClO4/EC-DMC和1 M LiPF6/EC-DMC电解液中的电化学性能较好。其中在1 M LiClO4/EC-DMC电解液中充放电容量最高,而在1 M LiBF4/EC-DMC电解液中的充电、放电容量最低。结论锂盐本身及电解液的电导率对磷酸亚铁锂电化学性能有较大的影响。 相似文献
104.
介绍了一种环境友好的磷酸亚铁锂的合成的方法,采用该方法制备出了纳米级的磷酸亚铁锂,0.2 C时的放电容量达到151 mAh/g. 相似文献
105.
106.
亚铁氰化钯无机膜修饰玻碳电极的表征 总被引:1,自引:0,他引:1
近年来,在有机导电高分子修饰电极的研究被大量报道的同时,无机膜(包括蒙脱土钠盐、粘土类、沸石分子筛型化合物、金属氧化物、吸附金属微粒、以及混合价态多核化合物类)修饰电极的研究亦日趋活跃,后者以过渡金属铁氰盐普鲁士蓝(PB)薄膜的研究最为重要。已有报道此类薄膜在电催化、电色显示、二次电池、及非电活性金属离子的电位或伏安测定中获 相似文献
107.
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算多铁材料BiNi_xFe_(1-x)O_3(x=0,0.125,0.167,0.25,0.5)各晶体结构的电子性质.能带结构、Mulliken电荷以及自旋磁矩等计算结果表明:由Ni离子部分替代掺杂Fe离子可使体系由反铁磁有序转变为局部亚铁磁有序,晶体总自旋磁矩随Ni离子浓度的增大而增大;Ni离子掺杂明显抑制了特定位置Fe离子的磁矩,这是由于Ni-eg轨道少数自旋方向的电子态被50%占据以及Ni离子与Fe离子之间的超交换作用所致. 相似文献
108.
109.
This article reports first-principles band structure calculations for RMn6Sn6 (R= Tb, Dy). The calculation uses the linear muffin-tin orbitals (LMTO) method in the atomic-sphere-approximation (ASA),and yields results showing that both TbMn6Sn6 and DyMn6Sn6 are ferrimagnetic compounds with antiparallel aligned moments of R and Mn atoms. In this research the 4f states of R atoms are treated as localized states,i. e., the hybridization of 4f states with other valence electrons is neglected. The moments of Mn in both compounds were determined to be 2.43μB and 2.38μB, respectively. The considerably small additional moments for Mn from the spin-orbit coupling indicates that the spin-orbital coupling is not dominated for Mn atoms. The total moments of Tb and Dy atoms are 10.28μB and 11.20μB. All the calculation findings accorded well with experimental results. 相似文献
110.
离子注入形成FeSi2埋层的电镜研究 总被引:4,自引:0,他引:4
利用MEVVA离子源将Fe离子注入到Si基体中会生成一层铁硅化物薄膜.利用电子显微镜,研究了这层铁硅化物的显微结构及其在随后的升温退火过程中发生的变化.研究结果表明,在离子注入剂量为1×1017/cm2的未退火样品中,亚稳的γ-FeSi2相占大多数,同时有少量的由CsCl结构派生的缺陷相Fe1-XSi.在(100)取向的Si片上,这个硅化物层埋在硅基体中,形成了厚度为25nm左右的埋层(buriedlayer)结构 相似文献